7月5日,耐威科技公告稱,公司與青島市即墨區(qū)人民政府、青島城市建設(shè)投資(集團)有限責任公司在2018年國際集成電路產(chǎn)業(yè)投資(青島)峰會上簽署《合作框架協(xié)議書》。
首先回顧一下這次合作背景。今年5月24日,耐威科技宣布與袁理先生、青島海絲民和半導體投資中心(有限合伙)、青島民芯投資中心(有限合伙)共同投資設(shè)立兩家控股子公司——聚能晶源(青島)半導體材料有限公司與青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司,耐威科技分別持股35%、40%。
兩家控股子公司業(yè)務(wù)均與氮化鎵(GaN)相關(guān):聚能創(chuàng)芯主要從事功率與微波器件,尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā);聚能晶源主要從事半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)。
隨后,耐威科技將聚能晶源項目落地青島市即墨區(qū),青島城投擬通過青島海絲民出資參與聚能晶源項目,因此有了這次耐威科技、青島城投與青島即墨政府簽署合作協(xié)議。
協(xié)議內(nèi)容包括:
(1)為幫助和盡快形成產(chǎn)能,占領(lǐng)國內(nèi)第三代半導體材料市場份額,青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項目合作協(xié)議,為聚能晶源提供一系列項目支持;
(2)為支持聚能晶源吸納骨干尖端人才,各方互相協(xié)助使得聚能晶源為本項目引進的優(yōu)秀人才切實享受到青島市、區(qū)等各項人才優(yōu)惠政策。
(3)聚能晶源預(yù)計本項目投資總額不少于約2億元人民幣:2018年年底前投資總額不低于 5000 萬元人民幣,2020年底前投資總額不低于1.5 億元人民幣;
(4)聚能晶源未來產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用,打造世界級氮化鎵(GaN)材料公司,項目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片,以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片等。
耐威科技表示,這次合作有利于公司加快第三代半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)進度;有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇,盡快拓展相關(guān)材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用;有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用”的全面布局。
耐威科技緊密圍繞軍工電子、物聯(lián)網(wǎng)兩大產(chǎn)業(yè)鏈,一方面大力發(fā)展導航、MEMS、航空電子三大核心業(yè)務(wù),一方面積極布局無人系統(tǒng)、智能制造等潛力業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括軍/民用導航系統(tǒng)及器件、MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、航空電子系統(tǒng)等。
2016年耐威科技全資收購瑞典純MEMS代工企業(yè)Silex(賽萊克斯),正式切入MEMS領(lǐng)域并作為其重點發(fā)展及投資方向。2016年11月,耐威科技宣布在北京投資建設(shè)“8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項目”,該項目獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持,目前項目建設(shè)正在高速推進中。
目前國內(nèi)在氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)材料及器件方面的發(fā)展起步較晚,與國際水平仍有較大差距,正在積極布局中。
氮化鎵(GaN)方面,除了正在入局的耐威科技外,相關(guān)企業(yè)還有蘇州能訊、中稼半導體、三安光電、海特高新、英諾賽科、江西晶能等。
其中,蘇州能訊已自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、器件設(shè)計、制造工藝、封裝與可靠性技術(shù),是國內(nèi)首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產(chǎn)企業(yè);海特高新控股子公司海威華芯的氮化鎵已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術(shù);英諾賽科(珠海)科技有限公司8英寸硅基氮化鎵(GaN)生產(chǎn)線也已實現(xiàn)量產(chǎn)......
隨著全球半導體第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,中國作為全球最大的半導體市場,在第三代半導體材料領(lǐng)域機遇與挑戰(zhàn)共存,需腳踏實地努力實現(xiàn)彎道超車。
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原文標題:耐威科技發(fā)力第三代半導體材料,其氮化鎵材料項目宣布簽約青島
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