近期，存儲產業風暴已至。海外三大 DRAM 巨頭三星、 SK 海力士、美光涉及價格操縱案遭中國反壟斷調查，美光也傳出施壓阻止部分設備商供貨給中國 DRAM 廠。

目前，國內為了加速存儲芯片自主化，國家集成產業電路基金（大基金）積極評估砸逾 100 億人民幣投資兩大 DRAM 陣營福建晉華和合肥長鑫，加上長江存儲，大基金對三大存儲陣營布局正式完成，要用 5 ~10 年換取斬斷存儲技術被國際大廠壟斷的局面！

中國是全球最大的半導體芯片消耗國，但芯片自制率偏低，每年進口芯片的金額甚至高于石油，其中絕大部分是存儲芯片，因此，國內三大存儲陣營紫光集團長江存儲、福建晉華、合肥長鑫都卯足全力自主開發技術，背負國家級的重大任務，要打破長期以來國際大廠壟斷存儲技術的局面。

近期，國內存儲大廠也有好消息傳出，大基金正在積極評估投資兩大 DRAM 存儲陣營福建晉華和合肥長鑫，業界透露，可能分別是 60 億人民幣資金援助，合計 120 億的金額，來支持這兩大存儲陣營的芯片開發。

由于從零開始的 DRAM 技術開發十分“燒錢”，這兩大存儲陣營如果有大基金“灌頂”，不單是國家重點項目的表征，在研發經費上更是重要的實際支援。

福建晉華300人研發團隊準備就緒，無奈遭美光施壓兼騷擾

福建晉華集成電路經過兩年的整軍出發，從最初的 100 人研發團隊，現在已經擴充至 300 名研發人員，且日以繼夜投入 DRAM 技術開發。晉華的 12 寸晶圓廠已在 2017 年 11 月封頂，包含 FAB 主晶圓廠、辦公室綜合大樓、中央電力站和變電站、員工宿舍等都已經完成，今年更完成了機電安裝和無塵室的施工。

福建晉華集成是由福建省電子信息集團、泉州、晉江政府投資，第一期投資金額為 53 億美元，預計 2018 年底試產，單月產能規模為 6 萬片，未來五年內的第二期規模是達到月產能 12 萬片，技術來源是委由聯電接受晉華委托開發 DRAM 制程技術，而機臺設備是由晉華采購，未來技術所有權歸屬由聯電和晉華共同持有。

不過，福建晉華最近正走“殺破狼”格局，遭遇“空前劫難”。由于福建晉華的掌舵者陳正坤以前是美光轉投資公司瑞晶的總經理，加上有少數的技術團隊人員以前曾經任職美光體系，美光咬住這個把柄，拼命阻止福建晉華的 DRAM 研發進度。

美光使出兩大“騷擾”策略，第一是設法阻止供應商對晉華進口 DRAM 相關半導體機臺設備，第二是動用司法手段控告晉華和技術母廠聯電侵權，然聯電在半導體業界“摸爬滾打”超過三十年，手上累積豐厚的技術和專利庫，開始反告美光的產品和技術侵權，然這樣的發展，已經演變成以司法手段干預商業行為。

業內人士分析，美光非常忌憚福建晉華 DRAM 技術開發陣營崛起，一來是始于老東家與前員工之間的矛盾關系，二來，美光內部評估福建晉華的實力深厚，未來恐會成為一大威脅。

美光“騷擾”福建晉華的 DRAM 技術開發進度，甚至于從設備商著手。據了解，部分設備供應商不愿意賣機臺給晉華做技術開發，雖然表面上用的理由是：基于共同技術開發的限制，因此拒絕銷售設備，但實際來看，這根本不構成拒賣的理由，背后隱含了美光的“施壓”！

福建晉華的掌舵者陳正坤有著日本傳統存儲產業的血統，從 1990 年代的三菱電機還是全球存儲產業一方之霸時，他就接受嚴格的日本半導體文化薰陶，后來 NEC 、 Hitach 、三菱電機的存儲部門合并成為日本最后一家 DRAM 廠爾必達，他更成為爾必達與***力晶合資公司瑞晶的掌舵者，之后爾必達破產被美光并購后，他從日本半導體企業走入美國體系。

由陳正坤領軍的福建晉華集成技術陣營，目前已經快速累積成一支超過 300 名研發軍團，而負責技術開發的聯電早期也具備 DRAM 制程能力，因此技術實力雄厚。

合肥長鑫“兇猛”超車高薪挖角，300臺研發設備準備就緒

另一支重要的 DRAM 陣營是出自于“合肥派系”：控股母公司合肥長鑫存儲技術旗下的睿力集成電路。長鑫在 DRAM 技術開發上，也是一路“兇猛”超車前進，近期也傳出獲得大基金評估投資。

合肥長鑫投入研發的第一代 DRAM 技術是 19 納米世代的，對比福建晉華開發的第一代技術是 32 納米，第二代是 32S 納米制程，從制程數字來看，晉華的技術開發似乎落后很多，但實則不然，這數字其實隱含了一些玄機！

晉華的技術是委由聯電開發，受限于 N-1 規范，聯電為晉華開發的技術必須是落后于聯電目前量產制程至少一個世代，也就是說，聯電現在量產 14 納米制程，但轉移到大陸的技術必須是 20 納米制程以上。

知情人士透露，福建晉華目前開發的 32 納米技術，其實等同于三星、SK 海力士的 2x 納米制程，若以每片晶圓的設計數量來看（先不看量產良率），更是相當于韓系大廠的 1x 納米技術的實力，之所以低調的取名“32X”納米，是因為不想引起競爭對手的過分關注，以及部分業者的“不斷騷擾”，因此刻意在制程數字上“掩飾鋒芒”。

合肥長鑫在進度上“兇猛”的程度，反映在機臺設備的進度，以及研發人員的挖角上。長鑫的 12 寸晶圓生產基地在今年一月已經完成晶圓廠的建設，技術研發所需的 300 臺設備已經全部到位，下半年全力進入試產，動作十分快速。

同時，合肥長鑫在研發人員的挖角上，也為半導體行業立下高標，之前大量以 2~3 倍的薪資在韓國、***等地挖角，符合資歷的簽下五年長約，讓整個半導體行業有高度的輿論關注。

不過，高薪挖角一事也引發不少DRAM公司的反擊，除了美光告福建晉華、聯電之外，日前南亞科控告一名離職赴合肥長鑫任職的工程師涉嫌竊取DRAM產品測試的營業秘密，南亞科表示，如果競爭對手非法使用該技術，未來產生的不法利益可能高達1.2億美元，基于捍衛營業秘密和智財權的決心，堅持對該名“帶槍投靠”的跳槽工程師提出告訴。

根據合肥長鑫既定的時程，今年底將生產 8Gb DDR4 的工程樣品，預計 2019 年底實現單月產能 2 萬片。再者，計劃在 2020 年啟動二廠的建設，2021 年完成第二代 17 納米的技術研發。

合肥長鑫的目標，是打破國內自制率仍是掛零的空白 DRAM 市場，同時要拿 8% 目標的全球 DRAM 市場份額，成為世界級的存儲制造企業。

隨著兩大 DRAM 陣營福建晉華、合肥長鑫的進展加速，又將獲得大基金的支援，正式列入國家重點培植的項目，加上紫光集團的長江存儲 3D NAND 技術開發順利，成功研發 32 層 3D NAND 芯片后，年底將進入 64 層技術展示，國內三大存儲陣營已經成為打破空白存儲產業的關鍵項目。

3D NAND供貨疏解，DRAM芯片卻持續漲價引發反彈

無論是 DRAM 或是 3D NAND 芯片過去幾年都經歷凌厲的價格漲勢，手機、服務器等系統大廠飽受供貨不足之苦，現在 3D NAND 市場已經從供不應求轉為供過于求，但 DRAM 市場因為供應商只剩下三家，在大家控制擴產的情況下，預計仍是處于缺貨狀態。

全球三大 DRAM 巨頭三星、SK 海力士、美光掌握全球 95% 市場份額，足足享受了超過兩年的 DRAM 漲價超額利潤好時光，引來中國品牌手機大廠反彈聲浪，從去年底開始陸續向中國監管機關以操控價格的名義指控三大存儲陣營涉嫌壟斷 DRAM 價格，在全球半導體產業掀起滔天巨浪。

這一波維持近兩年的 DRAM 漲價潮始于 2016 年中，當時的 DRAM 產業面臨需求不振，合約價下跌將近 20 個月，龐大的成本壓力朝各家 DRAM 大廠迎面而來，因此各廠開始調整產品比重，放緩轉進高端制程的腳步，才讓價格止跌回穩。

漲價兩年“惹毛”手機廠 是供應商的聯合價格操作？還是另有隱情？

然而意外的是，這一波止跌回升的行情居然一走就是兩年，漲價漲到手機大廠都不堪負荷，進而控告三家 DRAM 供應商有壟斷市場和操縱價格之嫌。

全球前十大手機廠中，國內手機廠占了 7 個名額，但國內自有的 DRAM 存儲芯片供給率幾乎是零，100% 依賴進口，過去兩年以來手機大廠面臨芯片嚴重供給不足的問題，引發強烈反彈。

面對三星半導體事業部靠著存儲芯片不斷漲價，獲利節節攀升，系統廠卻一直被調漲零組件價格，反彈情緒越來越無法壓抑，中國反壟斷機構也開始調查近期的芯片價格操縱行為，陸續對三星、 SK 海力士、美光三家大廠展開調查。

存儲產業遭到反壟斷的責罰不是第一次，2002 年由美國司法部發起的調查，陸續向三星、美光、 SK 海力士、英飛凌等公司罰款，最后美光出面做污點證人免責，其他企業都被處以數億美元的罰金，其中三星被罰 3 億美元。

因此，業界根據反壟斷法推斷，如果這次手機系統大廠發起的針對三 DRAM 巨頭價格操作案控訴成功，根據上一年度（2017 年）銷售額進行 1％~10% 的罰款，三家的罰金可能高達 4~40 億美元，但如果把 2016 年度也納入，那罰款金額可能擴大至 8~80 億美元。

業界認為，此案未來的發展關鍵是“舉證”，因為經歷 2000 年初那一波反壟斷大刀后，半導體廠都非常小心翼翼，但此時間點有涉及大環境緊張的氛圍，加上美光限制供應商進口設備給福建晉華，也涉及違反公平競爭，狀況會更復雜一些。

國內從零開始研發存儲技術的決心、毅力強烈，這是過去 20 年來半導體產業不曾發展的重大轉折，未來先填補國內市場空白為優先，之后再考慮國際布局。

平心而論，國內三大存儲新秀短期要撼動國際三巨頭的地位是不太可能，但打破“零自制率”卻是一個可以期待的目標，但國內存儲芯片量產后，也可能要面對專利侵權的議題，可以預見，這是一場長期抗戰，要有用 10 年打一場漂亮戰役的決心，才能成為最后贏家。