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ANSYS宣布14納米FinFET制程技術獲聯電認證

半導體動態 ? 來源:網絡整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-07-17 16:46 ? 次閱讀

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子(UMC)的先進14納米FinFET制程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應用不斷成長的需求。

此次ANSYS取得聯電的認證包括萃取、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移(signal EM)以及自發熱(self-heat)分析。聯電的14納米FinFET技術與 28納米技術相較快55%,耗電減少50%,適合需要更多功能、超高效能與超低功耗的應用。

聯電智慧財產開發與設計支援部門總監T.H. Lin表示:「聯電不斷改進設計以支援產品,幫助客戶縮短設計時間并加速產品上市時程。我們與ANSYS合作無間,雙方共同客戶能夠運用ANSYS的多物理場模擬,將設計最佳化,改善效能并減少過度設計(overdesign)。」

ANSYS總經理John Lee表示:「深次微16納米以下的多層次實體效應的相互依存性持續增加,如電源、可靠度和發熱議題,對設計收斂帶來重大挑戰。ANSYS的半導體解決方案架構針對多層次實體最佳化設計,而聯電認證ANSYS解決方案經過嚴格測試和準確規范的確認,有助于雙方共同客戶加速設計收斂?!?/p>

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