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KAUST大學研發出奈米級AlGaN發光裝置,能直接在金屬等基質上延展

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:工程師曾玲 ? 2018-07-29 09:05 ? 次閱讀

近期,沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊研發出奈米級氮化鋁鎵(AlGaN)發光裝置。研究人員以漸變折射率分布限制結構層(GRINSCH)裝置,制作出奈米級GRINSCH二極體,研究人員期望未來能應用在奈米高效能UV LED裝置,像是激光、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。

圖片來源:KAUST官網

現有AlGaN發光裝置,被視為是取代現有UV氣體激光和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由于裝置中的UV激光二極體,電壓至少要25伏特才能操作,加上電洞注入層效率不佳,導致串聯電阻高,導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體涂層以及缺少有效的散熱管道等有關。

奈米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比,由于表面積對體積比高,形成有效的應力松弛,能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包復的金屬基質,能在高電流操作過程,提供更好的散熱管道。另外,奈米級P型半導體因為加入了鎂,活化能需求低,因此電阻也相對較小。經過研究團隊實驗證實,GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色,所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:清華紫光將以 26 億美元收購法芯片制造商 Linxens

文章出處:【微信號:cjssia,微信公眾號:集成電路園地】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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