SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計要求及應(yīng)用
本課程概述了碳化硅(SiC)材料的特點(diǎn)以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能，描敘了一些SiC MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域包括太陽能和電動汽車。 詳細(xì)討論了SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計要求，以及簡單介紹了幾款TI SiC MOSFET驅(qū)動產(chǎn)品。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7201瀏覽量
213620 -
太陽能
+關(guān)注
關(guān)注
37文章
3420瀏覽量
114333 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2841瀏覽量
62720
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起
來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點(diǎn)。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)。可見，SiC這一市場在汽車領(lǐng)域頗有潛力。 不過，近幾年
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
發(fā)表于 01-04 12:37
什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？
、Si MOSFET、SiC MOSFET。- 原理分析：當(dāng)下管Q2保持關(guān)閉，在上管Q1開通瞬間，橋臂中點(diǎn)電壓快速上升，橋臂中點(diǎn)dv/dt的水平，取決于上管Q1的開通速度。該dv/dt會驅(qū)動
發(fā)表于 01-04 12:30
SiC MOSFET如何選擇柵極驅(qū)動器
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）
三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅SiC
SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡
OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點(diǎn).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-10 10:47
?0次下載
Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器
發(fā)表于 05-23 11:23
?789次閱讀
碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅(qū)動器研究
]。與傳統(tǒng)的 IGBT 相比，第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC MOSFET 在高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗等方
面具有優(yōu)勢，已成為近年來新的研究熱點(diǎn)。電動汽車要求電驅(qū)動系統(tǒng)具有高功率密度、
發(fā)表于 05-14 09:57
如何更好地驅(qū)動SiC MOSFET器件？
IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計。
發(fā)表于 03-13 14:31
?345次閱讀
在通用PWM發(fā)電機(jī)中，可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
在通用PWM發(fā)電機(jī)中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
發(fā)表于 03-01 06:34
工商網(wǎng)監(jiān)
評論