問(wèn)題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過(guò)程中,工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作
發(fā)表于 06-16 17:34
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導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映
發(fā)表于 05-26 15:09
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電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布,因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,超結(jié)
發(fā)表于 05-06 15:05
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Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí),大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但
發(fā)表于 03-24 15:03
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長(zhǎng)期損害終
發(fā)表于 03-17 16:40
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
發(fā)表于 03-13 15:08
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選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí),大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定
發(fā)表于 03-06 15:59
,Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì),并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降,開關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC
發(fā)表于 02-13 00:21
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電阻器是電子電路中最基本的元件之一,用于限制或調(diào)節(jié)電流的流動(dòng)。根據(jù)其精度和穩(wěn)定性的不同,電阻器可以分為精密電阻和普通電阻兩大類。 1. 定義與用途 普
發(fā)表于 10-31 09:25
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本文簡(jiǎn)單介紹了諧波的概念及應(yīng)用。
發(fā)表于 10-18 14:14
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MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET,采用先進(jìn)SGT(屏蔽柵極槽)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適合用于高效電源管理和
發(fā)表于 10-14 09:40
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場(chǎng)帶來(lái)了更加高效的解決方案。
發(fā)表于 10-08 15:15
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關(guān)于817光耦的導(dǎo)通電壓,我們可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行介紹: 一、817光耦的基本概述 817光耦是一種常用的光耦合器,由發(fā)光二極管和光敏三極管組成,能夠?qū)崿F(xiàn)電氣隔離和信號(hào)傳輸?shù)墓δ堋_@種光耦在
發(fā)表于 08-21 11:01
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《S參數(shù)的概念及應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-12 14:29
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓,也稱為閾值電壓(Vth),是MOSF
發(fā)表于 08-01 09:19
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評(píng)論