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臺積電狂砸310億元奔向3nm工藝

dKBf_eetop_1 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-08-17 16:45 ? 次閱讀

8月14日,臺積電召開董事會,做出多項重大決議,首要的就是投入巨額資金,繼續推進產能和工藝,保持領先地位。

臺積電已經核準資本預算約13643796萬新臺幣(約合人民幣310億元),將用于:

1、興建新的工廠廠房;

2、建設、擴充、升級先進工藝產能;

3、將邏輯工藝產能轉換為特殊工藝產能;

4、將成熟工藝產能轉換為特殊工藝產能;

5、擴充、升級特殊工藝產能;

6、擴充先進封裝工藝產能;

7、2018年第四季度研發資本預算與經常性資本預算。

同時,臺積電任命黃漢森博士為技術研究(Corporate Research)主管,其擁有美國利哈伊大學(Lehigh University)電氣工程學博士學位,曾在IBM半導體部門工作達16年。

目前,臺積電已經開始量產7nm工藝,大客戶包括蘋果、高通、華為、AMD、NVIDIA等等,并在明年升級加入部分EUV極紫外光刻技術,而到了后年,臺積電將投產5nm,并全面普及EUV。

看這意思,臺積電已經是奔著3nm工藝而去了。

很顯然,無論三星還是Intel,在臺積電面前都已經追趕不及,聯電這樣的代工老字號甚至都不得不放棄了12nm以下先進工藝。

另外,臺積電還核準對設立在英屬維京群島的全資子公司TSMC Global Ltd.增至不超過20億美元,以降低外匯避險成本。

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原文標題:進擊的臺積電!狂砸310億元:建設新廠、開發新工藝,奔向3納米

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