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聯電和美光打全球法律大戰(zhàn),會不會對聯電未來營運投下變量?

xPRC_icunion ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-21 11:13 ? 次閱讀

聯電和美光打全球法律大戰(zhàn),會不會對聯電未來營運投下變量?

今年 6 月,美光和聯電的法律糾紛登上《紐約時報》。目前,美光在***指控聯電 3 名員工和聯電竊取美光的營業(yè)秘密,在美國則同時控告聯電和晉華。聯電則拿出 2 項半導體專利,在福州反告美光侵害聯電的專利權,福州法院也以近似***假處分的「訴中禁令」,禁止美光在中國銷售部分產品

根據《紐約時報》的報導,「美光科技在訴訟中表示,聯電和晉華沒有開啟設計芯片所需的漫長旅程,而是決定采取盜竊的方式。」

聯電官方發(fā)言管道則表示,聯電有自主研發(fā)能力,嚴肅否認美光指控對這場官司,聯電很有信心。

《財訊》取得美國和***案件的起訴書,采訪寰瀛法律事務所執(zhí)行長李立普律師,他在涉外訴訟有多年經驗。

李立普說目前 2 家公司在法律戰(zhàn)上是各擅勝場。「站在美光的立場,如果發(fā)現公司的營業(yè)秘密受損,他一定要告,否則就是沒盡到保護營業(yè)秘密的責任。」這場法律大戰(zhàn)的第一個重點,是聯電是否有授意員工偷美光的營業(yè)秘密,「聯電既然也對這名員工提告,應該是表達聯電并沒有授意員工這么做,因此采取這個策略。」

「就像我聘一個人替我煮牛肉湯,他的原東家說他偷了食譜,在我這里發(fā)現了食譜,也發(fā)現了牛肉湯,但這碗牛肉湯是不是就是根據食譜煮出來的?不一定。」他認為,第二個重點是,是否有直接證據證明聯電用了美光的技術。

在美國訴訟部分,李立普分析,美光是用違反營業(yè)秘密和加州民事反勒索及受賄組織法(Civil RICO)等依據,控告晉華和聯電,關鍵仍在于是否侵犯營業(yè)秘密。

「在美國,約 90% 的訴訟最后都和解」他分析,第三個重點,是雙方談判的狀況,因為,美光在美對聯電提出訴訟,如達成和解,是可撤回的,***的訴訟也可能因此從輕發(fā)落。相對的,聯電在中國對美光提出侵害專利權的訴訟,讓美光部分產品在中國禁售,如果必要,聯電還能再拿手上的專利在中國控告美光的其他產品或相關客戶,擴大禁售范圍。美光要告聯電,就得把中國市場的損失也考慮進去,聯電如果把經營晶圓代工累積的專利都用上,美光也必須考慮可能的代價。

「這個訴訟就是兩個公司對營業(yè)秘密及商業(yè)策略的爭執(zhí)與交鋒,本質跟中美貿易沒有直接的關系。」李立普說,最終可能還是要靠兩家公司坐下來攤牌談條件,才會盡速落幕。

打造 32納米DRAM,聯電 400 天奇襲密謀

聯電是全球第 3 大晶圓代工廠,過去 1 年,做晶圓代工的聯電,卻跨界和專做 DRAM(動態(tài)隨機存取內存)的美國美光公司打起全球訴訟。去年,美光在***和美國控告聯電侵害美光營業(yè)秘密,在***已遭起訴;今年初,聯電在中國福州,控告美光侵害聯電專利,7 月時,中國福州中級法院發(fā)出訴中禁令,禁止美光部分產品在中國販賣。你來我往,互不相讓。

真正的導火線,是 2016 年聯電和中國內存新廠──福建省晉華集成電路公司的一紙文件,指出聯電和晉華協議,是由晉華提供 3 億美元,替聯電采購研發(fā)設備,再按 DRAM 技術的開發(fā)進度支付聯電 4 億美元,但聯電必須開發(fā)出 32 奈米的 DRAM 相關制程技術。

▲ 福建省晉華集成電路是目前中國 3 個發(fā)展 DRAM 技術的團隊之一,整個投資案規(guī)模超過臺幣 1,500 億元。

左右全球 DRAM 產業(yè)的大案 聯電有機會藉此擴大影響力

事實上,2016 年 4 月,經濟部投審會就通過了聯電和晉華的合作案,由聯電在南科研發(fā),再移轉到晉華生產;聯電如果成功,中國和***將首度擁有自制 DRAM 的能力,全球 DRAM 產業(yè)的格局將因此改變,聯電也能藉此擴大在利基型內存市場的影響力,此役可謂非常關鍵。

但是現在,與美光的訴訟讓這起合作案變得極為敏感。中國急于取得 DRAM 的制造能力,合肥睿力、清華紫光和福建晉華三股勢力,都爭相開發(fā) DRAM 技術。我們好奇,聯電在這場大戰(zhàn)里,扮演什么樣的角色?

8 月 1 日,《財訊》采訪團隊赴福建晉江,直擊正在大興土木的晉華公司,一探聯電機密 DRAM 生產計劃的虛實。

車子進入晉江,迎面而來的是大批香蕉園,傳統(tǒng)產業(yè)才是這里的主流,轉入一條小路后,右邊赫然出現一棟巨大的晶圓廠;《財訊》造訪時,晉華的主建筑物剛剛完成,警衛(wèi)室的鐵門都還沒裝上,就連一旁的旗桿都是前幾天裝的。

從外部觀察,晉華已經進入裝機階段,因為,門口不時可看到***啟德的搬運車,這家公司正是專為***晶圓廠搬運設備的搬運商;這代表,這座廠不是空殼子,已經在為生產做準備。

另一跡象是,矽在晉華對面,也圈下一塊 44,000 坪的土地,趕工興建封測廠,很明顯的,硅品要趕在晉華一開始生產內存時,就拿下相關的內存封測商機。

▲ 硅品在福建晉華總部對面正拿下 4 萬坪土地,趕工興建封測廠,急著布局晉華未來的內存封測商機。

問題是,聯電真能設計出 DRAM 技術嗎?《財訊》記者多次要透過聯電約訪關鍵人物,聯電資深副總經理陳正坤,但被拒絕,他也是現在福建晉華的總經理。

這天中午,《財訊》在晉華門口「堵」到了陳正坤。

陳正坤是***瑞晶前總經理,他經營***瑞晶時,這家公司是***最賺錢的 DRAM 廠,當時,每天下午 5 點,他就帶著年輕的工程師在廠區(qū)里跑步,這是他激勵團隊的方式。

▲ 《財訊》在晉華采訪到聯電資深副總陳正坤,他目前也兼任晉華總經理。

關鍵人物陳正坤現身》晉華準備試產,趕工布建產能

「陳總,來這里還跑嗎?」《財訊》記者問陳正坤,跟著他走進晉華的大樓門廳,「快要開始了」,陳正坤笑,我們走進晉華的大門,門廳里晉華的標志才剛剛貼上,陳正坤說,「這里的規(guī)模應該有瑞晶的 3 到 5 倍」。規(guī)畫是,要讓產能先到位,只要試產沒問題,隨時就能進入量產!但,聯電做 DRAM 良率如何?陳正坤低調回應,「我們已經有良率」,意思是,已經能成功制造產品,只待進一步修正,提高良率。聯電 DRAM 量產,在技術上已有重大突破。

陳正坤透露,聯電研發(fā) DRAM 的研發(fā)生產線早已在***南科運轉,聯電調集 200-300 名研發(fā)工程師進行實驗,「我們做研發(fā),兢兢業(yè)業(yè),不敢松懈!」他自信地說。

外傳聯電擁有晉華股份,問到這里,陳正坤急忙否認,「這里都是福建的」,陳正坤雖然掛晉華總經理,但他其實是從聯電借調到晉華,提供晶圓廠設計服務,讓聯電設計出的 DRAM 技術,能搭配適當的生產設備生產。而且,蓋廠要負擔沉重的成本,根據《紐約時報》報導,這座廠要價 57 億美元。只設計,不投資,對聯電目前的財務狀況來說,負擔才不會太沉重。

福建有可能成為中國第一個量產 DRAM 的地方,問題是,***過去也從沒在 DRAM 上取得自主開發(fā)的技術,怎么突然在 1 年半時間,研發(fā)出自主的量產技術?

《財訊》采訪多位半導體產業(yè)人士,得到的結論是,內存設計和制造其實不像外界想得那么困難,「但繞過 3 家大廠的專利保護網才困難」。過去,DRAM 生產比的是速度,誰能用半導體微縮技術,開發(fā)出新一代的內存,就能在同樣一片晶圓上,生產出更多、成本更低的內存,而且更省電,因此,在制程競賽中落后的廠商,就會因為缺乏成本競爭力被迫退出賽局。但近幾年,由于半導體微縮制程已近物理極限,內存線路微縮的速度也在放緩,這一點對新加入競爭的廠商有利。

試圖繞過 3 家大廠專利保護網》晉華給聯電極大優(yōu)惠,雙方各擁技術權

根據《財訊》調查,目前聯電高層認為,DRAM 技術里,device(器件)的設計,相當于邏輯制程的 65 奈米,「這對我們很簡單」,真正難的是 module(模塊)的設計,「大約是 14 奈米制程,比較難,關卡在 module 技術」。

聯電已建立起 DRAM 研發(fā)能力,并規(guī)劃出不只一個世代的產品,雖然第一代從較成熟的 35 奈米開始,但未來有能力自己研發(fā)出使用 1X 制程的產品。「DRAM 微縮的速度在放慢,」一位業(yè)界人士觀察,聯電如果能從 25 奈米切入,就能做出各式各樣的嵌入式產品,擁有巨大的商業(yè)價值,「但聯電對做一般 DRAM 沒有興趣,是為了發(fā)展代工用的嵌入式內存技術才加入合作案」。

關鍵在于,聯電現在改變策略,要專注發(fā)展與臺積電不一樣的制程和服務,嵌入式系統(tǒng)用的內存技術對聯電未來發(fā)展十分重要,這項技術可以用在數據中心高速運算物聯網等領域,臺積電也積極投入研發(fā)。

投入 DRAM 的另一個關鍵是,晉華給了聯電極為優(yōu)惠的條件。

福建晉華拿出 3 億美元資金,替聯電買專用設備,放在南科聯電 12A 廠做研發(fā),如果做出這項技術,晉華還會再按進度,拿出 4 億美元給聯電,最重要的是,聯電將和晉華共同擁有這項技術的所有權。為了把技術留在***,聯電因此把研發(fā)基地設在南科。這項技術合作案也通過投審會審查。

其中最重要的限制條件則是,「不能授權中國其他省分使用這項技術;但中國之外,聯電能自由使用這項技術。」聯電等于不用付錢,就有機會取得內存技術。

這項計劃早已布局多年,在馬政府時代,曾有兩岸共同研發(fā) DRAM 技術的構想,中國方面也一直積極在全世界找合作對象。當初福建省有意與爾必達前執(zhí)行長阪本幸雄合作,聯電原本只是想在阪本幸雄的旁邊蓋廠,共同采購設備,降低成本。

阪本幸雄最后「劈腿」,改與合肥合作,「新娘」跑了,福建官方就找上「媒人」,與聯電商議,「不如由聯電來做」,整個計劃前后布局至少 4、5 年。聯電是意外參與這個計劃。

過去幾年,大部分人只注意到晶圓代工之王──臺積電的動向,卻沒注意,聯電開始把過去累積的半導體技術實力,拿到新的市場上「變現」。聯電如果成功,中國和***將有自制 DRAM 的能力,惟聯電的新策略能否成功,除了攻克技術難關,能不能打贏法律戰(zhàn),才是接下來最重要的關鍵。

▲ 聯電把 DRAM 技術設計中心放在南科 12A 廠,圖為設計中心所在大樓。

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原文標題:聯電、美光法律大戰(zhàn)!盜竊機密?400 天造出32nm DRAM

文章出處:【微信號:icunion,微信公眾號:半導體行業(yè)聯盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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