8月28日，在2018“芯集坪山”中國集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，電子材料及第三代半導體成為重點話題。深圳市坪山區(qū)政府表示，為推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，坪山區(qū)即將出臺產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關于促進集成電路第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。

發(fā)展第三代半導體是國家戰(zhàn)略重大需求

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、深圳第三代半導體研究院副理事長吳玲會上表示，第三代半導體滿足國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求。

在她看來，第三代半導體支撐著我國高頻、高速、寬帶通信系統(tǒng)核心器件的自主可控，支撐國家能源戰(zhàn)略，支撐著高速列車、新能源汽車等核心動力系統(tǒng)的發(fā)展以及節(jié)能環(huán)保、國防安全軍事裝備的自主發(fā)展等。

吳玲表示，第三代半導體現(xiàn)已進入爆發(fā)式增長期，全球各國爭相搶占戰(zhàn)略制高點，在我國，第三代半導體早已受到政府層面的高度關注。

自2004年開始，我國政府就第三代半導體材料研究與開發(fā)進行了相應的部署，并啟動了一系列的重大研究項目。

2016年我國啟動“十三五”國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項，第三代半導體材料是重點專項中的重要研究領域。

隨后在2016年國務院發(fā)布的面向2030的6項重大科技項目和9大重大工程中，第三代半導體是“重點新材料研發(fā)及應用”重大項目的重要部分。

2016年12月，國務院成立國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領導小組，貫徹實施制造強國戰(zhàn)略，加快推進新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展；2017年2月，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會成立。

2017年6月，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟組織編輯2030國家重點新材料研發(fā)及應用第三代半導體版塊實施方案。

在國家政策推動下，江蘇、浙江、廈門、江西等地已逐步發(fā)展成為第三代半導體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)，那么目前成效如何？據(jù)吳玲介紹，目前國內(nèi)中低壓電力電子材料和器件已初步量產(chǎn)，應用快速滲透。

SiC方面，天科合達、山東天岳、中電集團2所等初步實現(xiàn)4英寸SiC單晶襯底材料量產(chǎn)，并開發(fā)出6英寸樣品；泰科天潤、世紀金光、中電55所、13所等多家企業(yè)和機構已實現(xiàn)600-3300V的SiC肖特二極管量產(chǎn)，處于用戶驗證階段；中車株洲時代電氣、國家電網(wǎng)聯(lián)研院、廈門三安等企業(yè)建設了6英寸SiC電力電子器件工藝線。

GaN方面，中電13所已形成系列化GaN微波功率器件和MMIC產(chǎn)品，并被華為、中興用于進行基站研發(fā)；蘇州納維、東莞中鎵具備2-4英寸GaN單晶襯底材料的供貨能力；蘇州能訊、蘇州晶湛、江蘇能華、杭州士蘭微、江蘇華功半導體均已進入布局GaN電力電子材料和器件；三安集團也已建設GaN射頻器件工藝線。

根據(jù)發(fā)展目標，2018~2020年間，我國將完成第三代半導體的產(chǎn)業(yè)基礎建設，進行產(chǎn)業(yè)鏈的完善、核心裝備研發(fā)、核心工藝開發(fā)、開發(fā)基礎器件并開始示范應用等。

深圳坪山優(yōu)先發(fā)展，政策即將出臺

在國家政策推動下，江蘇、浙江、廈門、江西等地已逐步發(fā)展成為第三代半導體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)，深圳亦是國內(nèi)第三代半導體發(fā)展排頭兵之一。

深圳市根據(jù)“十三五”規(guī)劃的國際科技和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心定位，正在實施新一輪創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略布局，將著力在核心芯片、人工智能等重點關鍵技術的突破。根據(jù)規(guī)劃，坪山區(qū)為第三代半導體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)先發(fā)展區(qū)域。

坪山區(qū)作為深圳東部產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要基地，集聚了中芯國際、比亞迪（中央研究院）、昂納科技、金泰克、基本半導體、拉普拉斯等重點企業(yè)，集成電路及第三代半導體產(chǎn)業(yè)集聚漸成規(guī)模。

為了加快第三代半導體發(fā)展步伐，深圳市已相繼成第三代半導體器件重點實驗室、深圳第三代半導體研究院，并在坪山區(qū)設立第三代半導體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。坪山區(qū)政府于8月3日公開發(fā)布了《深圳市坪山區(qū)人民政府關于促進集成電路第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見稿）》。

在高峰論壇上，政府代表人員表示該政策即將出臺，并重點介紹了政策主要內(nèi)容。據(jù)介紹，該政策主要包括對符合條件的相關企業(yè)在資金、融資、租賃、落戶等14方面的支持和資助獎勵，具體有：

1.資金支持：坪山區(qū)級層面將成立產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項資金以提供續(xù)的支撐，此外還將設立一個集成電路專項產(chǎn)業(yè)基金，帶動社會資本一起支撐第三代半導體擊和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2.融資資助：對于企業(yè)獲得一年期以上的信貸融資的，將按照利息或擔保費50%，分別給予年度最高200萬元的資助。

3.租金資助：對企業(yè)租賃創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房的，按照市場平均價的50%到90%，給予最高年度500萬元的資助。

4.落戶獎勵：對新設立或新遷入的制造、封測類企業(yè)，按照落戶后第一年實際完成工業(yè)投資額的10%，給予最高1000萬元一次性獎勵；對新設立或新遷入的設計、設備和材料類企業(yè)，按落戶后第一年追加實繳資本的10%，給予最高500萬元的資助。

5.研發(fā)資助：對企業(yè)關鍵技術攻關的，按照研發(fā)投入的10%，給予年度最高500萬元的資助，對產(chǎn)品區(qū)域聯(lián)合研發(fā)的資助額度提高到最高600萬。

6.平臺支持：對于企業(yè)建設的公共服務平臺，經(jīng)區(qū)政府認定的，按設備購置費的50%一次性給予最高2000萬元的資助。

7.設計資助：企業(yè)購買EDA軟件（含升級費用）、采購轄區(qū)公共服務平臺設計服務等不同類型，

按實際發(fā)生費用的50%給予資助。

8.驗證資助：對企業(yè)進行工程片、設備、材料測試驗證的，按實際發(fā)生費用50%，給予年度最高200萬元的資助。

9.流片資助：對企業(yè)參加多項目晶圓項（MPW）項目的，按MPW直接費用的80%（高校和科研院所比例提高到90%），給予年度最高200萬元資助；對企業(yè)首次工程流片的，按照實際費用的30%，給予年度最高300萬元資助；對利用轄區(qū)企業(yè)開展MPW的，最高資助額度為400萬元。

10.首購獎勵：對整機企業(yè)首購首用本轄區(qū)芯片，按采購金額的10%，一次性給予最高50萬元獎勵；對企業(yè)首購首用本轄區(qū)設備、材料的，按照采購金額的10%，一次性給予最高100萬元的獎勵。

11.經(jīng)營資助：對生產(chǎn)性用電按用電費用的50%，一次性給予最高500萬元資助；對企業(yè)建設雙回路、儲能電站等用電設施，按實際投入費用的30%，一次性給予最高500萬元的資助；對企業(yè)的日常環(huán)保處理，按照實際支出的50%，給予最高100萬元的資助；對企業(yè)建設環(huán)保處理工程的，按工資費用50%，給予年度最高500萬元的資助。

12.配套資助：對于承擔軍工科研項目、設立海外研發(fā)中心、建設公共服務平臺、獲得國家首臺（套）重大技術裝備保險補償?shù)钠髽I(yè)，分別按照上級實際資助額度的1:1給予配套資助。

13.技改資助：征求意見稿中關于微組裝生產(chǎn)線、設備購置、潔凈室裝修的資助內(nèi)容，將以更大支持力度納入“實體經(jīng)濟二十條”的修訂版中，即將發(fā)布。

14.人才資助：征求意見稿中關于人才資助的內(nèi)容，將統(tǒng)籌納入到“龍聚坪山”的人才政策，即將發(fā)布。