Panasonic電工PhotoM0S M0SFET的控制電路Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率M0SFET，是作為微小模擬信號用而開發出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列9如通用型的GU型、高頻型的RF型。

上次介紹了PhotoMOS的概要。此次將介紹內置在PhotoM0S中構成控制翹路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。

FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路

圖1 是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅動型元件，因此利用光電二極管陣列（P.D.A）所供給的電壓使柵極容量充電，致使柵極電壓上升至接通電壓（閾值），從而使MOSFET輸出光電耦合器動作。

然而，要使MOSFET輸出光電耦合器復位，則需要做與上述動作相反的工作，即讓柵極內充電的電荷盡量快速地放電。在圖1所示的電路中，由于復位時問過長9故不能作為MOSFET輸出光電耦合器使用。

PhotoMOS利用圖2所示的內置于光電元件的控制電路來解決這些問題。該控制電路為實觀動作時間與復位時間保持平衡的良好的轉換特性，以及輸入LED電流的良好的靈敏度特性發揮著最關鍵的作用。

光電元件內的控制電路示例

關于光電元件內部所內置的控制電路9如圖3的（a）～（c）所示，迄今為止提出了以下若干種電路。下面將簡單地介紹這些電路。

（a）的控制電路

（a）的電路圖是最基本的電路，我們為了加快斷開時間，使輸出MOS 的柵極電荷在斷開時放電，因此在柵極·源極之間連接固定電阻。但是，在接通電路時歲為了使輸出MOSFET柵極容量得到充電，便用了光電二極管陣列（P.D.A），其產生的光電流在通過該電阻時會發生漏電，從而導致接通時間變長。

另外9還存在以下缺點：如圖4所示，相對于輸入電流的變化，輸出電流也平緩地發生變化，困此轉換元件所要求的速動性會變差，另外因溫度變化所引起的特性變動也較大。

（b）的控制電路

該電路的速動性要比（a）電路好，但是，由于插入在輸出MOS柵極·源極之間的晶體管為常開型，因此抗外來干擾性較差。

（c）的控制電路。

作為放電電路，該電路使用常閉型元件，因此斷開時輸出MOS Pf：電荷會急速放電。另外接通時，該元件被第二光電二極管陣列（P.D.A）偏壓，形成開路狀態，從而使第一光電二極管陣列（P.D.A）所產生的光電流被高效快速地傳導至輸出MOS的柵極，因此與（a）的電路相比，接通時間就變短了。

另外，利用該常閉型元件還可大幅度地改善速動性。但與此同時該控制電路必須具備二個光電二極管陣列。