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串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的性能指標及如何對數(shù)學模型進行求解

電子設計 ? 來源:現(xiàn)代電子技術 ? 作者:李戎 , 汪曉鴻 ? 2020-04-28 08:04 ? 次閱讀

1、串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的計算模型

串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類繁多,把他作為我們研究問題的對象,使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路如圖1所示。圖中,Ui為電網(wǎng)電壓經(jīng)變壓、整流、濾波后的輸出電壓值;VT1為調(diào)整管,VT2為放大管,VD為穩(wěn)壓管,內(nèi)阻為r。假設,VT1的參數(shù)為rbe1,β1;VT2的參數(shù)為rbe2,β2。

串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的性能指標及如何對數(shù)學模型進行求解

根據(jù)電路圖可知電路有5個獨立節(jié)點,輸入為節(jié)點1,輸出為節(jié)點5,其余節(jié)點按順序標于圖中。

根據(jù)放大電路導納矩陣的建立方法,可以對此電路建立計算模型。

(1)首先去掉晶體管VT1和VT2,寫出剩余部分電路的導納矩陣。

公式

(2)按電路中的實際編號,寫出晶體管VT1和VT2的節(jié)點導納矩陣。

公式

(3)將YVT1,YVT2按他的元素所在的行、列位置“對號入座”地補入Y0中,得到串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的節(jié)點導納矩陣:

公式

此導納矩陣即是用來描述串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的數(shù)學模型。對于穩(wěn)壓電源而言,我們所關心的是穩(wěn)壓電源的輸出電壓是否恒定、輸出電阻是否很小、穩(wěn)壓系數(shù)是否很小。有了穩(wěn)壓電源的數(shù)學模型,下一步的問題就是如何對數(shù)學模型進行求解。

2、串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路性能指標的求解

2.1 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路性能指標的求解

對于直流穩(wěn)壓電路來說,可以假設有兩個外加恒流源電流,分別記為Iω1和Iωn,方向以從外節(jié)點流入為正。這樣整個電路的方程組包括反映信號源和負載的方程各一個。由于對外只有兩個節(jié)點,可以用兩個方程來描述,再考慮外加恒流源和支路電流關系的兩個方程,總共6個方程來描述。利用直流穩(wěn)壓電源的節(jié)點導納矩陣,可以得到端口方程:

公式

由于穩(wěn)壓電路有公共點,所以可以求得節(jié)點電壓列向量:

公式

式中,△為穩(wěn)壓電路節(jié)點導納矩陣的行列式;△11為此導納矩陣中位于第1行第1列的元素所對應的代數(shù)余子式;△n1為此導納矩陣中位于第n行第1列的元素所對應的代數(shù)余子式;△1n為此導納矩陣中位于第1行第n列的元素所對應的代數(shù)余子式;△nn為此導納矩陣中位于第n行第n列的元素所對應的代數(shù)余子式。

公式

有了三個方程就可以確定穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標。

2.2穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓系數(shù)

穩(wěn)壓電源

2.3 確定穩(wěn)壓電源的輸出電阻

求輸出電阻時,負載應該開路(RL=∞),輸入端的信號源若為定勢源時,視信號源處短路(Us=0,但保留Rs);若為恒流源時,視信號源處開路(Is=0,但保留Rs)。由輸出端加電壓Us,得到電流Is,于是可求得輸出電阻為:

穩(wěn)壓電源

式(11)和式(13)就是描述穩(wěn)壓電路質(zhì)量指標的解析式,從而作為求解穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標的依據(jù)。對于直流穩(wěn)壓電源來說,只要建立形如式(3)的節(jié)點導納矩陣,并計算出他的行列式以及相應的代數(shù)余子式△,△11,△15,△55,△11,55,代入式(11)或式(12)以及式(13)或式(14),就可以求出穩(wěn)壓電路的穩(wěn)壓系數(shù)及輸出電阻。

3、參數(shù)變化和電路結(jié)構(gòu)的改變對穩(wěn)壓電源性能指標的影響

用以衡量穩(wěn)壓電源穩(wěn)壓特性的指標是質(zhì)量指標。在電子線路中常用的質(zhì)量指標有穩(wěn)壓系數(shù)輸出電阻和紋波電壓等。對于穩(wěn)壓電源來說,穩(wěn)壓電源的輸出電壓越穩(wěn)定、輸出電阻越小、穩(wěn)壓系數(shù)越低,穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓效果就越好。通過對穩(wěn)壓電源的分析,根據(jù)不同的需要可以采用不同的方法來改變相應的質(zhì)量指標。下面針對幾種不同的方法給出相應性能指標的解析式。

3.1參數(shù)變化對穩(wěn)壓電源性能指標的影響

造成電路參數(shù)變化的原因大致有兩種:第一種是自然條件發(fā)生變化引起的。常見的有環(huán)境溫度的變化,會造成晶體管輸入電阻rbe、電流放大系數(shù)β等發(fā)生變化,勢必會造成晶體管節(jié)點導納矩陣中的元素值發(fā)生變化;第二種是人為因素造成的,比如改變電阻值,更換晶體管等,也會改變晶體管節(jié)點導納矩陣中相應的元素值。這兩種情況,僅僅是改變了放大電路導納矩陣中的某些元素的值,并不會改變放大電路的節(jié)點數(shù)。在分析參數(shù)變化對穩(wěn)壓電源性能指標的影響時,可以采用相關的解析式求得相應的數(shù)值和參量變化后性能指標的相對變化率。

在此以更換調(diào)整管為例,說明其對穩(wěn)壓電源的性能的影響。為了提高穩(wěn)壓電源的輸出電流,我們可以采用大功率的晶體管作為穩(wěn)壓電源的調(diào)整管。此時電路的節(jié)點數(shù)不發(fā)生變化,放大電路的附加矩陣Yδ就是調(diào)整管的節(jié)點導納矩陣YVT1,既有:

公式

式(15)中的行號、列號b,c,e應分別與晶體管的基極、集電極和發(fā)射極在穩(wěn)壓電源中的實際編號相對應。對于圖1所示的串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源來說,b,c,e分別對應于節(jié)點2、節(jié)點1和節(jié)點50,在式(15)中,他的二階及二階以上的高階子式的行列式都為零,只有6個一階子式為非零值,可以找到由Yδ造成的相應代數(shù)余子式的增量值:

公式

有了式(16),可以得到更換晶體管之后對穩(wěn)壓電源性能指標造成的影響:

公式

3.2 電路結(jié)構(gòu)的改變對穩(wěn)壓電源性能指標的影響

為了改善電子電路的性能,可能需要添加一條支路,或者把原有的某條支路改變接點的位置,或者插入某個環(huán)節(jié)。或者將兩個節(jié)點短路等,這都使得電路結(jié)構(gòu)發(fā)生一定的變化。這種變化不僅改變了導納矩陣中元素的位置,甚至會擴大或縮小導納矩陣的階數(shù)。為了方便分析問題,假設放大電路的節(jié)點數(shù)不變,從而研究電路結(jié)構(gòu)發(fā)生某種變化對穩(wěn)壓電源性能指標產(chǎn)生的影響。

3.2.1 在不同節(jié)點處加接電容對紋波系數(shù)的影響

對于圖1所示的串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路,為了減小紋波系數(shù),常采用對地跨接一個大電容的方法來實現(xiàn)。至于這個電容的容值有多大,接在哪個節(jié)點上,我們要經(jīng)過理論計算和實際物理實驗加以驗證并得到確定。下面針對此電路,求解在不同的節(jié)點處跨接相同電容的情況下的紋波系數(shù)的解析式。 (1)在i=2,k=0處跨接電容C1,此時附加矩陣為:

公式

其中,△11,22為在Y中去掉第1行第1列,第2行第2列剩下的代數(shù)余子式;△15,22為在Y中去掉第1行第5列,第2行第2列剩下的代數(shù)余子式。由此,可求得在節(jié)點2對地加入電容C1后的紋波系數(shù):

公式

(2)在i=3,k=0處跨接電容C2與在i=4,k=0處跨接電容C3。此時,附加矩陣分別為:

公式

比較3種情況下的紋波系數(shù),選擇值較小的哪種即可。

3.2.2 在不同節(jié)點處加接電容對輸出電阻的影響

公式

比較3種情況下的輸出電阻,選擇值較小的那種即可。

責任編輯:gt


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