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基于DS2786 OCV電路板的編程及測試步驟

電子設計 ? 來源:網絡整理 ? 作者:佚名 ? 2019-12-25 07:59 ? 次閱讀

引言

基于開路電壓(OCV)的電量計DS2786在出廠時將默認的OCV特性和默認配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應特定的應用場合,必要時需對DS2796的EEPROM進行再編程。本文描述了如何對EEPROM進行編程及如何對已經安裝好的電路板進行測試。

板極測試

下文給出了一個安裝電池包之前測試基于DS2786 OCV電路板的例子。圖1為電路板的電路原理圖,用到了DS2786的所有功能。圖中所有重要的測試點(共7個)都用帶圈數字標出。測試流程假定電路中的所有分立元件已經過測試,因此,測試目的為確認線路連接,從而驗證安裝的電路板是否正確。

基于DS2786 OCV電路板的編程及測試步驟

圖1. 必須驗證的電路節點

測試步驟1:測試初始化。該步驟的目的是確定電路板中是否存在直接短路,是否能進行通信。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數,以驗證SDA和SCL連接(節點1)、Pack+和VDD引腳之間的連接(節點2),以及Pack-和VSS引腳(節點3)之間的連接是否正確。此外,通過讀取電壓寄存器并確認測試是否有效,可以驗證VIN引腳(節點4)連接是否正確。

Pack+與Pack-間接4.0V電源

等待880ms。 等待電壓轉換。

讀電壓寄存器: 2字節。

若未發生通信表明電路安裝失敗。

若電壓讀數不正確表明電路安裝失敗。

測試步驟2:驗證SNS (節點5)。通過有效的電流測試可驗證SNS引腳連接是否正確。

Pack+與Pack-間接4.0V電源。

Pack-與系統VSS間電流為1.0A。

等待880ms。 等待電流轉換

讀電流寄存器: 2字節。

若電流讀數不準確表明電路安裝失敗。

測試步驟3:驗證輔助輸入AIN0和AIN1連接(節點6)。通過有效的電阻測量可驗證AIN0和AIN1引腳連接是否正確。這一步是可選的。

在PackID端與Pack-間接10kΩ電阻。

在Therm端與Pack-間接10kΩ電阻。

Pack+與Pack-間接4.0V電源。

等待880ms。 等待輔助輸入轉換。

讀AIN0和AIN1: 4字節。

若AIN0/AIN1讀數不準確表明電路安裝失敗。

測試步驟4:驗證VPROG并對EEPROM編程(節點8)。需要提供一個測試點用于連接編程電壓至VPROG引腳,以對DS2786的EEPROM進行編程。通過寫EEPROM和復制EEPROM可以驗證該連接是否正確,并驗證EEPROM是否已更新。EEPROM中包括了電流失調偏置寄存器(COBR),因此在編程EEPROM之前校準COBR是有益的。

Pack+與Pack-間接4.0V電源。

校準COBR。 若希望進行COBR校準,可以參看下文的詳細說明。

參數EEPROM區: 32字節。

將參數復制到EEPROM。

等待14ms。 等待復制EEPROM。

向參數EEPROM區寫0xFFh: 31字節非存儲器地址0x7Dh)*。

從EEPROM中調用參數。

讀參數EEPROM區: 32字節。

如果從EEPROM中讀取到的32個字節都無法與原先寫入的32字節相匹配,說明電路安裝失敗。

*不要向存儲器地址7Dh寫入0xFFh,否則從地址將變化并且器件將停止響應當前從地址。

電流失調偏置寄存器的校準

通過電流失調偏置寄存器,可在+3.175mV至-3.2mV間調節DS2786電流測量結果,步長為25μV。COBR的出廠默認值為0x00h。以下例子列出了校準DS2786電流失調偏置寄存器的步驟:

給DS2786加電,確保檢測電阻中無電流。

向COBR中寫0x00h (存儲器地址0x60h)。

等待880ms,直至下一個轉換周期到來。

讀電流寄存器。

根據實際需要,多次重復步驟3和步驟4,直至獲得平均電流讀數。

將平均電流讀數的相應值寫入COBR。

將COBR值復制到EEPROM (該步驟應與將所有值復制到EEPROM結合起來共同進行)。

總結

要對組裝好的基于OCV電量計DS2786進行正確驗證,需要測試電路中的每一個焊點。測試步驟1、2和3可以合為一個步驟以縮短測試時間,尤其是可以縮短轉換延遲時間。

此外,測試期間對EEPROM編程可以提供更有效的測試流程,同時可以提供足夠的時間施加保存參數(包括電流失調偏置)至EEPROM所需的編程電壓。

責任編輯:gt


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