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解析等離子彩電VE/VSCON/VSET電壓形成電路(上)

電子設(shè)計(jì) ? 2018-08-30 20:27 ? 次閱讀

長(zhǎng)虹PT4209 等離子彩電VE、VSCON、VSET 電壓形成電路如圖1 所示。

它是由三個(gè)相同的形成電路組成:其中厚膜電路IC501(KA5L0365R)和開關(guān)變壓器T501 組成VSET 電壓形成電路,輸出180 V 電壓;厚膜電路IC531(KA5L0365R)和開關(guān)變壓器T531 組成VE 電壓形成電路,輸出110 V 電壓;厚膜電路IC561(KA5L0365R)和開關(guān)變壓器T561 組成VSC1N 電壓形成電路,輸出-185 V 電壓。

圖1 長(zhǎng)虹PT4209 等離子彩電VE、VSCON、VSET電壓形成電路圖

1. KA5L0365R簡(jiǎn)介

KA5L0365R 是一款小型開關(guān)電源厚膜電路,內(nèi)含一個(gè)PWM 控制器和大功率M1SFET 開關(guān)管,PWM 控制器設(shè)有振蕩器、穩(wěn)壓控制電路、驅(qū)動(dòng)輸出電路等電路,其引腳功能和對(duì)地參考電壓見表1 所示。

表1 KA5L0365R引腳功能和對(duì)地電壓表

2. VSET電壓

產(chǎn)生(1)VSET 電壓由T501 和IC501 組成的電路產(chǎn)生。

VS 的206 V 電壓一路通過(guò)T501 的⑤~③繞組加到IC501的③腳,即KA5L0365R 內(nèi)部場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管的漏極;另一路通過(guò)R501 降壓、ZD505 穩(wěn)壓后,加到IC501的②腳,對(duì)電容C501 充電,作為IC501 的內(nèi)部電路工作的啟動(dòng)電壓。當(dāng)C501 的兩端電壓充至13 V 左右時(shí),經(jīng)內(nèi)部穩(wěn)壓成5 V 后,OSC(振蕩)電路開始工作,驅(qū)動(dòng)內(nèi)部MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管工作在開關(guān)狀態(tài),在開關(guān)變壓器T501 的各個(gè)繞組產(chǎn)生感應(yīng)脈沖電壓。

(待續(xù))

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