近年來(lái),許多電視發(fā)射臺(tái)已完成全固態(tài)發(fā)相繼開(kāi)發(fā)出橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅場(chǎng)效應(yīng)斷其好壞。電阻法是維射機(jī)替代電子管發(fā)射機(jī)的更新?lián)Q代工作。全固管(LDMOS),經(jīng)UHF電視發(fā)射機(jī)使用證實(shí),其修工作的常用方法,只態(tài)發(fā)射機(jī)的廣泛使用,給發(fā)射設(shè)備的檢修與維線性和效率優(yōu)于雙極性晶體管、MOSFET管,特要根據(jù)檢測(cè)原理靈活運(yùn)護(hù)提出了新的要求。對(duì)發(fā)射機(jī)固態(tài)功率放大模塊的故障和維護(hù)作一介紹,供同行在實(shí)際操作與維護(hù)工作中參考。
1.固態(tài)功放的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)
與真空管放大器比較,固態(tài)放大器具有穩(wěn)定性好、可靠性高、壽命長(zhǎng)、能耗低、維護(hù)便利等優(yōu)點(diǎn)。固態(tài)高功率放大器通常由輸入單元、輸出單元、功放模塊、微處理器監(jiān)控系統(tǒng)、電源組件和冷卻系統(tǒng)等電路構(gòu)成。功率放大器的主要部件“功放模塊”則由多個(gè)LDMOS或VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)組成,該類場(chǎng)效應(yīng)管采用橫向或縱向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù),屬電壓控制器件,熱穩(wěn)定性好,但熱傳導(dǎo)性差,擊穿電壓較低,因此輸出功率受到一定的限制,使用中為了獲得較大輸出功率,通常采用功率合成技術(shù),由多個(gè)功放管進(jìn)行功率合成達(dá)到所需輸出功率,其中個(gè)別功放管的損壞,輸出功率會(huì)減少,但不影響放大器繼續(xù)工作。
衡量一個(gè)高功率放大器的性能,主要有線性、非線性、增益、效率和可靠性等指標(biāo)。其中非線性指標(biāo)變差將產(chǎn)生載波頻率的諧波,導(dǎo)致信道內(nèi)外出現(xiàn)互調(diào)干擾,引起信號(hào)畸變,因此,提高固態(tài)功放的線性指標(biāo)尤為重要。固態(tài)功放中采用的晶體管通常有三種形式,即雙極性晶體管、MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管和LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管。雙極性晶體管技術(shù)相對(duì)成熟,但溫度穩(wěn)定性差,難以承受數(shù)字電視廣播的高線性要求。MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管具有負(fù)溫度系數(shù)特性,無(wú)須另加溫補(bǔ)電路。但易引發(fā)載波寄生相位調(diào)制。為求得效率和線性的平衡,晶體管通常工作在AB類,其非線性失真是不可避免的。近年來(lái),飛利浦等公司相繼開(kāi)發(fā)出橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅廠效應(yīng)管(LDMOS),經(jīng)UHF電視發(fā)射機(jī)使用證實(shí),其線性和效率優(yōu)于雙極性晶體管、MOSFET管,特別適合數(shù)字電視放大。即使工作在AB類,其性能仍接近A類放大特性,由于LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的的優(yōu)異性能,使其成為UHF波段新型固態(tài)發(fā)射的。VHF波段功放單元功放管一般采用BLF861A與BLF278的VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管BLF278,UHF波段功放單元采用橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅場(chǎng)效應(yīng)管(LDMOS)BLF861A。
表1 管腳與電極的對(duì)應(yīng)關(guān)系
2.MOS管的更換方法和注意事項(xiàng)
由于MOS型場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝中絕緣層很薄,所以柵極和襯底易感應(yīng)電荷,由柵極、絕緣層和襯底組成的電容器容量很小,感應(yīng)電荷將在絕緣層上產(chǎn)生很高的電壓,易導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管絕緣層被擊穿,以致?lián)p壞管子。所以在使用、保存、更換MOS管時(shí)必須采取防靜電措施。因?yàn)榇蠊β蔒OS管目前仍是一種較昂貴的器件,每只管子的價(jià)格在一干元左右,因此,掌握大功率場(chǎng)效應(yīng)管的維護(hù)和更換,避免場(chǎng)效應(yīng)管的人為損壞,對(duì)縮短維修時(shí)間,降低維護(hù)成本都有積極、現(xiàn)實(shí)的意義。
操作規(guī)程如下:
(1)在焊接MOS管時(shí)必須在防靜電工作臺(tái)上進(jìn)行,操作人員應(yīng)通過(guò)接地將自身靜電放掉并帶橡膠手套或佩戴接地的金屬手環(huán)c
(2)手拿MOS管時(shí)不得接觸MOS管的極片,應(yīng)拿MOS管的陶瓷部分c
(3)焊接MOS管的烙鐵一定要接地,如無(wú)良好接地,可以拔掉烙鐵電源插頭后進(jìn)行焊接。
(4)拆卸MOS管時(shí)、先拆除固定螺釘,再用50W接地烙鐵或吸錫器吸掉極片周圍的焊錫,烙鐵與管極的接觸時(shí)間每次應(yīng)小于10s。
(5)拆卸和安裝時(shí)管腳的焊接順序:拆卸時(shí),按先D(漏)極再G(柵)極后S(源)極順序焊開(kāi),安裝時(shí),按先S極再G極后D極順序焊接。
(6)安裝MOS管前先用干酒精棉球擦干凈安裝面。在MOS管的法蘭底面加上薄薄一層導(dǎo)熱硅脂,以改善散熱效果。導(dǎo)熱硅脂不能多,多了反而會(huì)降低散熱效果。管子放平整后,安裝緊固螺釘。
(7)場(chǎng)效應(yīng)管更換焊接完成后,再用三用表測(cè)量管子的CD和CS極間電阻,確認(rèn)功放模塊上的兩對(duì)管子各極間阻值彼此接近,數(shù)值正常。MOS管更換后,試機(jī)時(shí)要逐漸加大功率,直至正常。
3.大功率場(chǎng)效應(yīng)管好壞的判定
(1)在沒(méi)有專用檢測(cè)儀器的情況下,準(zhǔn)確判定較為困難,但可測(cè)其各極對(duì)地電阻與正常值比較來(lái)做大致的判斷,上機(jī)后再用電壓法做進(jìn)一步的判斷,就比較準(zhǔn)確了。如果測(cè)試可疑組件管腳對(duì)地電阻時(shí),差值明顯,可將該器件拆下來(lái)檢查判斷其好壞。電阻法是維修工作的常用方法,只要根據(jù)檢測(cè)原理靈活運(yùn)用,許多故障是可以通過(guò)這種方式來(lái)判定清楚的。圖1、圖2分別是BLF861A與BLF278的外形圖。
圖1
圖2
(2)用F500-B型萬(wàn)用表測(cè)量電阻時(shí),黑表筆接源極S(地),紅表筆分別接各管腳,三用表置于R×10擋,表2列出BLF861A與BLF278管的參考值。
表2 電阻法測(cè)量參考值
3)值得指出的是:BLF861A的漏極1與漏極2之間本身是短路的。不要誤以為它們之間短路就認(rèn)為管子已經(jīng)損壞了。BLF278的漏極1與漏極2之間是開(kāi)路的,它們之間短路了,則表明管子內(nèi)部已經(jīng)存在問(wèn)題。通常情況下,用三用表測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極之間的電阻為o時(shí),該管的O-S(柵源極問(wèn))極問(wèn)內(nèi)部已擊穿。
(4)電流法就是用測(cè)量取樣電阻兩端的電壓,計(jì)算出該電流通路中的電流,舉例說(shuō)明如下。圖3是BLF861功率放大器的供電電路。在靜態(tài)工作狀態(tài)下,用三用表測(cè)量R4兩端的電壓為V4.則該只功放管的靜態(tài)電流IDS=V4/R4。同理,動(dòng)態(tài)工作時(shí)iDS=V4/R4,通常iDS的電流為5~8A。正常工作時(shí)VD和VC電壓正常。M兩端無(wú)電壓,說(shuō)明該管已損壞,或取樣電阻R4已燒壞。
4.功放模塊的故障檢修
(1)對(duì)功放模塊進(jìn)行靜態(tài)檢查時(shí),應(yīng)用原配型號(hào)規(guī)格的電源供電,連線關(guān)系一定不要搞錯(cuò),否則,會(huì)造成功率管的損壞。在輸出端口應(yīng)接上一個(gè)50W/50Ω的負(fù)載,以防止功率放大器自激振蕩,損壞功放管。
(2)末級(jí)功放管型號(hào)為:BLF86l,其漏極工作電壓YD=32V,柵極對(duì)地電壓VD=4.6~5.3Y,靜態(tài)工作電流I=600~1000mA,取樣電阻(0.05Ω)兩端電壓應(yīng)在lO~60mV左右。
(3)末級(jí)功放管型號(hào)為:BLF278,其漏極工作電壓YD=48Y,柵極對(duì)地電壓YD=2.6~3.2Y,靜態(tài)工作電流I=150~400mA,取樣電阻(0.1Ω)兩端電壓應(yīng)在15~40mV左右。
(4)功放管的工作電壓、電流參數(shù)不正常時(shí)應(yīng)分別檢查:
1)檢查開(kāi)關(guān)電源有無(wú)321/或48Y輸出,如果不正常應(yīng)檢查供電通路中的電阻、電容、電感、連線等關(guān)聯(lián)器件有無(wú)損壞。
2)功放模塊不加電,用三用表電阻擋檢查柵極對(duì)地電阻應(yīng)為1.5kΩ~1.8kΩ,若柵源極問(wèn)電阻為零,則柵源極間可能已被擊穿或短路,此時(shí)應(yīng)取下功放管再檢查。
3)用三用表檢查每只功放管對(duì)應(yīng)的取樣電阻兩端的電壓,若無(wú)電壓,則說(shuō)明該管無(wú)工作電流,取樣電阻或功放管可能已損壞。
4)功放模塊加電,不送激勵(lì)信號(hào),用三用表檢查功放管,柵極無(wú)控制電壓,應(yīng)檢查偏壓供給電路的器件有無(wú)損壞。如LM7808有無(wú)8V輸出電壓。偏壓調(diào)整電位器有無(wú)虛焊,原調(diào)參數(shù)有無(wú)變化的情況發(fā)生。
(5)功放模塊加電,在有激勵(lì)推動(dòng)信號(hào)的狀態(tài)下,功放管過(guò)熱,應(yīng)檢查微帶合成器中匹配電阻有無(wú)損壞或參數(shù)偏離太大,信號(hào)通路中耦合貼片電容有無(wú)漏電,擊穿的情況發(fā)生。
(6)在沒(méi)有專業(yè)儀器的情況下維修功放,一定要換上同型號(hào)功放管,一般可以滿足要求不要隨便調(diào)整其他元件。
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