機械能-電能轉換技術被認為具有廣泛的運用前景，特別在微型化傳感器、可穿戴電子器件及便攜式設備的自供電方面有著巨大的市場潛力。其中，摩擦納米發電技術（TENG）取得了令人矚目的發展。傳統的摩擦納米發電技術基于介電材料之間的摩擦起電（contact electrification），往往能夠獲得高電壓（靜電荷積累）。然而由于常用聚合物材料的高阻抗，基于介電質位移電流（dielectric displacement current）原理產生的瞬時電流往往非常微弱。同時，其產生的交流電必須通過整流轉換為直流電加以利用。

成果介紹

2017年，加拿大阿爾伯塔大學（University of Alberta）加拿大首席杰出科學家（Canada Excellent Research Chair），國家“外專千人計劃”專家Thomas Thundat 教授課題組博士生Jun Liu（劉駿）在一次偶然的導電原子力顯微鏡（C-AFM）實驗中，發現在金屬-二維半導體材料摩擦體系中存在一種特殊的連續直流電生成現象（J. Liu， et al. Nature nanotechnology 13 （2）， 112）。近日，劉駿博士等人通過原子層沉積技術（ALD）對界面氧化層厚度的精確調控，發現了直流電流隨金屬-絕緣體-半導體摩擦體系中絕緣體厚度的指數衰減關系，驗證了摩擦直流電的量子隧穿機制。基于這一發現，他們在宏觀體系中成功驗證了硅基材料的直流發電機雛形，硅材料表面1-2 納米的氧化薄層提供了一個天然的電子隧穿通道，其連續直流電流密度高達10 A/m2。該項成果以題為“Sustained electron tunneling at unbiased metal-insulator-semiconductor triboelectric contacts”在線發表在Nano Energy。合作單位有阿爾伯塔大學材料系系主任Ken Cadien教授課題組，韓國Sogang大學Jungchul Lee教授課題組，以及上海交通大學“千人計劃”專家胡志宇教授課題組。

圖文導讀

圖1 摩擦直流電的電流輸出特征

（a） 導電原子力顯微鏡（C-AFM）原理示意圖

（b） p型硅樣品的摩擦直流電C-AFM輸出信號（探針作用力對電流輸出影響）

（c） 探針作用力對探針-樣品接觸面積和形變影響

（d） 有效氧化層厚度對C-AFM電流輸出值的影響

（e） 宏觀體系測試示意圖，演示用探針為萬用表探針

（f） 和 （g） 分別為往復摩擦和連續旋轉摩擦示意圖

（h） 和 （i） 分別為往復摩擦和連續旋轉摩擦條件下的短路電流輸出信號

（j） Si表面氧化層厚度對輸出電流的影響，其指數型衰減趨勢與電子的量子隧穿機理一致

圖2 摩擦直流電的電壓輸出特征

（a） 和 （b） 分別為往復摩擦和連續旋轉摩擦條件下的開路電壓輸出信號

（c） 和 （d） 分別為摩擦（非平衡）和靜止（平衡）狀態下的界面能帶圖

（e） C-AFM體系中外加偏壓對輸出電流的影響

（f） Si表面氧化層厚度對開路電壓和界面電場的影響

圖 3 金屬功函數對界面電勢差方向的影響

（a）-（c） 分別為銅、金、鋁材料探針對摩擦界面電勢差方向的影響

圖4 硅基摩擦直流電機雛形的性能表征

（a） 單針摩擦系統在不同負載下的電流電壓輸出

（b） 單針摩擦系統在不同負載下的電流密度和功率密度輸出

（c） 單針系統在硅材料上產生的摩擦直流電對電容器進行充電

小結

金屬-絕緣體-半導體摩擦系統中基于量子隧穿效應直流電效應的發現，為摩擦電的利用打開了新思路，對摩擦界面的基礎物理有了更加深入的探索。利用其原理進行規?；剿骶哂芯薮蟮倪\用前景。