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北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購訂單

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-04 14:17 ? 次閱讀

近日,北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購訂單,訂單包括了ELEDE?330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 EPEE550 PECVD在內(nèi)的數(shù)十臺設(shè)備。本次需求源自蘇州一家化合物半導(dǎo)體公司擴(kuò)產(chǎn)5G基站用氮化鎵功放芯片項(xiàng)目,作為中國高性能氮化鎵芯片IDM領(lǐng)先企業(yè),該項(xiàng)目將為我國5G通訊基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供保障。此次是北方華創(chuàng)微電子在寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破,具有里程碑意義。

北方華創(chuàng)微電子ELEDE?330SG刻蝕機(jī)是寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備, 應(yīng)用于正面工藝中的臺面刻蝕,SiNx柵槽刻蝕,GaN、SiNx極慢速低損傷刻蝕。產(chǎn)品結(jié)合獨(dú)特的離子源設(shè)計(jì)、高精度低輸出的下電極和多片大產(chǎn)能的托盤設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)精確的刻蝕速率控制和良好的工藝均勻性控制,滿足不同制程的工藝要求,多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)領(lǐng)先行業(yè)水平,成為了行業(yè)標(biāo)桿產(chǎn)品,是客戶擴(kuò)產(chǎn)的首選設(shè)備。

SW GDE C200系列單片刻蝕機(jī),可實(shí)現(xiàn)SiC深孔的高速、均勻刻蝕,具備高M(jìn)TBC的優(yōu)點(diǎn),通過獨(dú)特的工藝調(diào)節(jié)可實(shí)現(xiàn)圓滑的刻蝕形貌控制,目前該設(shè)備已通過客戶技術(shù)驗(yàn)證,獲得市場高度認(rèn)可,在中國寬禁帶化合物半導(dǎo)體市場占據(jù)首席之位。同時,SW GDE C200系列刻蝕機(jī)也是SiC MOSFET 柵槽刻蝕和SiC二極管小角度臺面刻蝕的完美解決方案,除了SiC材料,該設(shè)備還可應(yīng)用于SiO2、SiN材料的刻蝕,其靈活的配置可滿足研發(fā)/中試線/量產(chǎn)的要求。

EPEE550 PECVD可用于寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件鈍化層、結(jié)構(gòu)層、犧牲層等應(yīng)用,采用自主開發(fā)的高溫混頻技術(shù),可實(shí)現(xiàn)高致密性、低應(yīng)力、高均勻性的薄膜沉積,助力客戶提高產(chǎn)品性能。截至目前,該設(shè)備國內(nèi)銷量已超過百臺。

5G商用時間表正在加速推進(jìn)中,作為5G不可替代的核心技術(shù),具有高頻率、高功率特性的GaN寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展機(jī)遇。北方華創(chuàng)微電子憑借豐富的設(shè)備工藝技術(shù)儲備,為該領(lǐng)域提供了一系列高競爭力的關(guān)鍵工藝裝備解決方案,本次能夠得到企業(yè)大客戶的批量采購訂單,也充分驗(yàn)證了北方華創(chuàng)微電子卓越的產(chǎn)品實(shí)力。我們將繼續(xù)秉承以客戶為導(dǎo)向的持續(xù)創(chuàng)新,與客戶攜手并進(jìn),共同開拓產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。

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原文標(biāo)題:【成員風(fēng)采】北方華創(chuàng)深耕寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域,成功攬獲高性能氮化鎵工藝裝備批量采購訂單

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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