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5G時代逼近,存儲器何時才能不倚賴進(jìn)口?

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-11 10:44 ? 次閱讀

隨著5G時代的逐漸逼近,物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲器需求的持續(xù)增長。數(shù)據(jù)表明,中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進(jìn)口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。中國存儲市場發(fā)展?jié)摿薮?,?a href="http://www.1cnz.cn/v/tag/207/" target="_blank">芯片制造商也在抓住存儲器市場商機,積極布局,促進(jìn)國產(chǎn)芯片的不斷發(fā)展。

然而盡管成長空間巨大,我國存儲器市場卻一直面臨著一個尷尬的局面——進(jìn)口依賴大。回歸到現(xiàn)實,中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)并不容易,由于技術(shù)門檻高、投資規(guī)模巨大、高端人才稀缺,作為尖端產(chǎn)業(yè),中國存儲器企業(yè)與世界巨頭相比還有相當(dāng)大的差距,舉步艱難。

上下求索 發(fā)展中的存儲器產(chǎn)業(yè)

2018年8月初,長江存儲在2018全球頂級閃存峰會(FMS)上公開發(fā)布Xtacking?技術(shù)。該技術(shù)將為三維閃存提供更高的讀寫性能和更高的存儲密度,同時縮短產(chǎn)品研發(fā)周期。此消息一出,不僅意味著長江存儲向存儲芯片第一陣營出擊的信號槍已經(jīng)打響,更是實現(xiàn)了國產(chǎn)存儲芯片量產(chǎn)“零”的突破。

目前,長江存儲已成功將Xtacking ?技術(shù)應(yīng)用于其第二代三維閃存(3D NAND)產(chǎn)品的開發(fā),預(yù)計2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)紫光集團計劃,長江存儲將在2018年底量產(chǎn)32層64G的3D NAND存儲器,64層128G的3D NAND存儲器將在2019年量產(chǎn),并同步研發(fā)128層256G 3D NAND。

作為國內(nèi)存儲器芯片生產(chǎn)巨頭之一,合肥長鑫的進(jìn)展可謂是如火如荼,7月16日,合肥長鑫發(fā)布首個中國自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,并計劃將于2018年年底推出工程樣品,這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑,采用19納米工藝。

合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元(495億人民幣),項目建設(shè)三期工程,目前建設(shè)的是一期工程12吋晶圓廠,建成后月產(chǎn)能為12.5萬片晶圓。據(jù)悉,項目投產(chǎn)后預(yù)計將占據(jù)世界DRAM市場約8%的份額,填補國內(nèi)DRAM市場的空白。

此外,合肥長鑫前任CEO王寧國于2018年4月在出席活動時曾表示,合肥長鑫DRAM一期已于2018年1月一廠廠房建設(shè)完成,并開始設(shè)備安裝;2018年底將啟動生產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品;2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個月;2020年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

而隨著兆易創(chuàng)新原董事長朱一明接棒王寧國,上任合肥長鑫存儲及睿力CEO后,這時間節(jié)點是否或發(fā)生變化,還未可知。

而在此前狀告美光侵權(quán)的福建晉華(JHICC),在存儲器芯片領(lǐng)域動作也不甘示弱。

晉華與***地區(qū)聯(lián)華電子開展技術(shù)合作,專注于隨機存取存儲器(DRAM)領(lǐng)域。預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn),到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12吋晶圓的產(chǎn)能,到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬片。并適時啟動二廠的建設(shè),到二廠達(dá)產(chǎn)時,總產(chǎn)能將達(dá)24萬片。

晉華此前曾表示,希望在2018年底前,將晉華和聯(lián)華電子共同開發(fā)的第一代內(nèi)存生產(chǎn)工藝投入使用。

受主要國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位。

根據(jù)最新的一份SEMI“中國IC生態(tài)系統(tǒng)報告”(The China IC Ecosystem Report)指出,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%;到2020年,這一份額將增加到20%。

道阻且長 存儲器進(jìn)口依賴大

盡管我國存儲器產(chǎn)業(yè)在不斷發(fā)展,但自主開發(fā)的存儲芯片市場份額卻所占無幾。據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示,2017年中國存儲芯片進(jìn)口總額中,韓國產(chǎn)芯片的進(jìn)口規(guī)模達(dá)463.48億美元,同比大增51.3%,在總進(jìn)口中占52.3%。2018年第一季度,中國存儲芯片進(jìn)口額達(dá)146.72億美元,同比猛增75.4%。

更嚴(yán)峻的是,國內(nèi)存儲業(yè)者還面臨著前有狼后有虎的局面。

據(jù)悉,韓國SK海力士在韓國清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導(dǎo)地位。隨著M15工廠的建成,SK海力士將加速大規(guī)模生產(chǎn)第五代96層3D NAND閃存。

此外,9月3日SK海力士中國銷售總部正式落戶無錫高新區(qū)。SK海力士布局中國市場動作頻頻。

無獨有偶,三星電子7月份也已開始批量生產(chǎn)96層3D NAND閃存,而東芝和美光計劃也將效仿。

不過,隨著國內(nèi)政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支持,以及行業(yè)競爭力的提升,我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的差距有可能也在逐漸縮小,未來國產(chǎn)芯是否能真正做到自給,值得期待。半導(dǎo)體資深觀察家莫大康即分析指出,較為樂觀的估計,中國能用5年左右時間,達(dá)到全球市場(2018年存儲器業(yè)產(chǎn)值預(yù)測可達(dá)1,500億美元)占比的3% - 5%,也即DRAM與NAND的累加產(chǎn)值能達(dá)到近50億美元,表明中國存儲器業(yè)的突圍取得了初步的成功。

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原文標(biāo)題:存儲器風(fēng)云詭譎 倚賴進(jìn)口局面何時“變天”?

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