本文主要是關于nor flash燒寫的相關介紹，并著重對nor flash燒寫原理及應用進行了詳盡的闡述。

nor flash

nor flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。Intel于1988年首先開發出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器）和EEPROM（電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點是芯片內執行（XIP ，eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設計中應該考慮這些情況。——《ARM嵌入式Linux系統開發從入門到精通》 李亞峰 歐文盛 等編著 清華大學出版社 P52 注釋 API Key

性能比較

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。

執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統計表明，對于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。

l 、NOR的讀速度比NAND稍快一些。

2、 NAND的寫入速度比NOR快很多。

3 、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

4 、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

5 、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

此外，NAND的實際應用方式要比NOR復雜的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接運行代碼；而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅動程序。不過當今流行的操作系統對NAND結構的Flash都有支持。此外，Linux內核也提供了對NAND結構的Flash的支持。

詳解

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

像“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處，因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

NOR的特點是芯片內執行（XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統接口。

接口差別

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。

NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。

NAND讀和寫操作采用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。

容量成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。

NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合于數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC（多媒體存儲卡Multi Media Card）存儲卡市場上所占份額最大。

可靠耐用

采用flash介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF（平均故障間隔時間Mean Time Between Failures）的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命（耐用性）、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。

壽命（耐用性）

在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

位交換

所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下（很少見，NAND發生的次數要比NOR多），一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。

一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。

當然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正（EDC/ECC）算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。

這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。

關于nor flash燒寫失敗的原因

最近在看國嵌的教學視頻，在國嵌體驗入門班-2-1（開發板系統安裝-Jlink方式）一集中，直接燒寫nor flash，不進行任何配置的方法，能夠成功純屬偶然！在視頻中燒寫時也出現了兩次錯誤。

我的開發板是mini2440，如果是其它類型，也可以根據具體情況參考。

一、解決方案一

1、在網上搜索S3C2440 JLink配置文件下載。

2、點擊file -》 open project，選中下載好的初始化工程文件。

3、點擊option -》 project settings選擇Flash，點擊select flash device。選中開發板對應的nor flash芯片型號，我的板子采用得是SST39VF1601 ，這里我選擇SST39VF1601。具體情況參考用戶手冊可以查找到Nor Flash芯片型號。

設置好前面這些之后，就可以進行下面的燒寫工作了，通過這種方式一次燒寫成功。

二、解決方案二

1、選擇Options -》 Project Settings -》 CPU -》 ‘Use following init sequence：’中，默認只有一行：

0 reset 0 0ms reset and Halt target

然后選中該行，點擊Edit，修改Delay為2ms，確定即可。

三、解決方案三

1、點擊options--》project settings--》CPU，選擇Use following init sequence 中的Action，把 Reset 改成 Halt 也可以。

但是建議大家最好使用第一種方案。

NOR Flash 燒寫原理

在對FLASH進行寫操作的時候，每個BIT可以通過編程由1變為0，但不可以有0修改為1。為了保證寫操作的正確性，在執行寫操作前，都要執行擦除操作。擦除操作會把FLASH的一個SECTOR，一個BANK或是整片FLASH 的值全修改為0xFF。在寫的時候要注意每個頁、扇區、塊的邊界問題。

對Flash讀寫操作流程（W25Q64為例）;

1：定義以一個數組（全局變量），大小為最小擦除緩存，用來對將要擦除區域數據的備份：；

u8 SPI_FLASH_BUF［4096］。

2：定義3個變量用來保存扇區編號、扇區偏移地址、扇區剩余地址；

secpos=WriteAddr/4096;

secoff=WriteAddr%4096;

secremain=4096-secoff;//剩余地址

3：判斷將要寫入Flash的數據容量大小，數據容量小于剩余地址數，表示可以將所有數據寫入Flash，而沒有扇區邊界問題；如果超過地址數則要在數據容量的邊界位置做個記號。

if（NumByteToWrite《=secremain）secremain=NumByteToWrite;//判斷

4：將數據要寫入那個扇區的所有數據讀出，放到緩存中。

5：從扇區偏移地址起，檢驗即將要寫入的扇區，存儲的舊數據是否都為1，否就將整個扇區擦除，使之全變成1.

6：以扇區邊界為限，將要寫入的數據從扇區偏移地址起存到緩存區。

7：將緩存區的數據全部寫入扇區（寫的時候還要判斷頁邊界的問題，思路和寫扇區差不多）。

8：判斷數據是否全部寫入，（如果要寫入的數據容量超過剩余地址，則扇區編號加1；偏移地址清零；數據容量減去之前剩余地址數；修改數據容量的地址，把已經寫入的數據過濾掉；修改即將要寫入存儲單元的地址）

9：返回第4步。

結語

關于nor flash燒寫的相關介紹就到這了，如有不足之處歡迎指正。

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