選頻聲控開關電路,Voice-activated switch
關鍵字:聲控開關電路圖
選頻聲控開關是一種以特定哨音控制的聲頻遙控電路。用它可以遙控各種家用電器電源的開關。它與射頻、紅外線等遙控方式相比,具有電路簡單、調試方便、功耗低、成本低、體積小和發射器無源等特點。由于采用高Q值的電感線圈,提高了電路的抗干擾能力。
工作原理
整機電路見上圖。電路由放大、選頻、整形、記憶、觸發、執行和電源等部分組成。發射器是一只皮囊哨,用手捏動時會發出大約12kHz…的叫聲。話筒MIC收到聲信號后轉換成電信號,由三極管VT1、VT2放大,并經由電感L1和電容C3組成12kHz的選頻回路選頻。當電路中出現12kHz頻率的信號時電路諧振,輸出最大,使平時處于截止狀態的三極管VT3迅速飽和,在其集電極電阻R8兩端產生一接近電源電壓的高電平信號,觸發記憶單元的IC。由于諧振回路中電感Q值較高,其通帶較窄。因為家庭環境噪聲大多在10kHz以下,又由于普通駐極體話筒的頻響上限為十幾kHz,故選頻電路諧振頻率確定為12kHz。
當IC被前級的高電平觸發后,電路翻轉,Q2端輸出電平亦發生變化,使晶體管VT4狀態發生變化從而觸發雙向可控硅VS導通或關斷,完成了對電器的開關控制。附圖中的IC采用一片CMOS雙D觸發器CD4013。為保證觸發可靠,將其中一個D觸發器接成單穩態電路,當第11腳接收到上升沿高電平信號時,由于VD1接地,使Q1變為低電平,Q1端輸出變為高電平,并通過電阻R8給電容C5充電。當c5上的電壓充至S1端的轉移電壓時,使Q1端跳變回高電平,再去觸發下一級D觸發器構成的雙穩態電路。單穩電路的時間常數T≈0.7R9C5,按圖中的數值,在3秒鐘內只接受一個控制信號,可以有效地克服雙穩電路由于觸發原因引起翻轉不穩定的缺點。
整機電路采用電容降壓方式供電,不存在過熱問題,功耗也有降低。
元器件選擇與制作
電感L1采用錄音機用偏磁線圈骨架繞制,電感量為21mH,可調。各三極管β值應大于100。
電路焊接無誤后,先用低壓電源調試。將12V直流電壓接在電容C6兩端,同時將DW斷開一極。有條件者可用音頻信號發生器輸出12kHz、10--20mV的信號至話筒兩端,調L1使R8兩端電壓最高。然后去掉信號發生器,捏動發音哨子,發光二極管LED會有相應反應。拉開距離5--7m,電路也應動作靈敏。最后將電路復原,接上220V交流電源和負載試機,當LED點亮時,負載亦應加電,當LED熄滅時,負載亦應斷電,否則應檢查可控硅是否接錯或損壞。可控硅應根據負載確定其電流容量,但可控硅電流容量越大,所要求的觸發電流也越大,如調試中發現可控硅未全導通,可減小電阻R11的數值,以加大觸發電流,使雙向可控硅完全導通。
工作原理
整機電路見上圖。電路由放大、選頻、整形、記憶、觸發、執行和電源等部分組成。發射器是一只皮囊哨,用手捏動時會發出大約12kHz…的叫聲。話筒MIC收到聲信號后轉換成電信號,由三極管VT1、VT2放大,并經由電感L1和電容C3組成12kHz的選頻回路選頻。當電路中出現12kHz頻率的信號時電路諧振,輸出最大,使平時處于截止狀態的三極管VT3迅速飽和,在其集電極電阻R8兩端產生一接近電源電壓的高電平信號,觸發記憶單元的IC。由于諧振回路中電感Q值較高,其通帶較窄。因為家庭環境噪聲大多在10kHz以下,又由于普通駐極體話筒的頻響上限為十幾kHz,故選頻電路諧振頻率確定為12kHz。
當IC被前級的高電平觸發后,電路翻轉,Q2端輸出電平亦發生變化,使晶體管VT4狀態發生變化從而觸發雙向可控硅VS導通或關斷,完成了對電器的開關控制。附圖中的IC采用一片CMOS雙D觸發器CD4013。為保證觸發可靠,將其中一個D觸發器接成單穩態電路,當第11腳接收到上升沿高電平信號時,由于VD1接地,使Q1變為低電平,Q1端輸出變為高電平,并通過電阻R8給電容C5充電。當c5上的電壓充至S1端的轉移電壓時,使Q1端跳變回高電平,再去觸發下一級D觸發器構成的雙穩態電路。單穩電路的時間常數T≈0.7R9C5,按圖中的數值,在3秒鐘內只接受一個控制信號,可以有效地克服雙穩電路由于觸發原因引起翻轉不穩定的缺點。
整機電路采用電容降壓方式供電,不存在過熱問題,功耗也有降低。
元器件選擇與制作
電感L1采用錄音機用偏磁線圈骨架繞制,電感量為21mH,可調。各三極管β值應大于100。
電路焊接無誤后,先用低壓電源調試。將12V直流電壓接在電容C6兩端,同時將DW斷開一極。有條件者可用音頻信號發生器輸出12kHz、10--20mV的信號至話筒兩端,調L1使R8兩端電壓最高。然后去掉信號發生器,捏動發音哨子,發光二極管LED會有相應反應。拉開距離5--7m,電路也應動作靈敏。最后將電路復原,接上220V交流電源和負載試機,當LED點亮時,負載亦應加電,當LED熄滅時,負載亦應斷電,否則應檢查可控硅是否接錯或損壞。可控硅應根據負載確定其電流容量,但可控硅電流容量越大,所要求的觸發電流也越大,如調試中發現可控硅未全導通,可減小電阻R11的數值,以加大觸發電流,使雙向可控硅完全導通。
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