1 SIM卡（Subscriber Identity Module）

即用戶識別模塊，是一張符合GSM規(guī)范的“智慧卡”。SIM卡可以插入任何一部符合GSM規(guī)范的移動電話中，“實現(xiàn)電話號碼隨卡不隨機(jī)的功能”，而通話費(fèi)則自動計入持卡用戶的帳單上，與手機(jī)無關(guān)。

SIM卡作為智能卡中特殊的一類卡，采用標(biāo)準(zhǔn)的接觸式IC卡。他受到ISO7816標(biāo)準(zhǔn)（接觸式集成電路IC卡的規(guī)定）和ETSI（歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)委員會）的GSM11.11等標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)范。他沿襲了智能卡在安全中的特色，并在移動用戶認(rèn)證和移動商務(wù)中扮演重要的角色。

目前手機(jī)用戶將一些重要的電話號碼都儲存在手機(jī)的SIM卡上。如果手機(jī)失竊，用戶可以買一部新的，但是儲存的號碼怎么辦呢？如果用戶能事先將儲存在SIM卡上的電話號碼做一份電子拷貝，這樣就算手機(jī)丟失了，用戶還是可以很容易地將保存的號碼寫入到新的SIM卡里。為此，研究并設(shè)計了SIM卡讀卡器，通過他可以將手機(jī)SIM卡中信息讀取到電腦中，方便地實現(xiàn)電話簿和短消息的編輯、備份和管理。為經(jīng)常使用手機(jī)的用戶提供了一個經(jīng)濟(jì)、便捷的信息備份管理解決方案。

2 SIM卡常識

SIM卡是一張符合GSM規(guī)范“智能卡”，他實際上是一個裝有微處理器的芯片卡，內(nèi)部有5個模塊，且每個模塊都對應(yīng)一個功能：CPU（8位）、程序存儲器（3～8 kb）、工作存儲器（6～16 kb）、數(shù)據(jù)存儲器（128～256 kb）和串行通信單元。SIM卡能實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)（電話本、短消息等）和在安全條件下（個人身份號碼PIN、鑒權(quán)鑰Ki正確）完成客戶身份鑒權(quán)和客戶信息加密算法的全過程。這些功能都是由SIM卡內(nèi)的一部具有操作系統(tǒng)的微處理機(jī)完成。SIM卡具有機(jī)卡分離（SIM-ME接口）、通信安全可靠、成本低等特點。

（1） SIM卡的物理特征：可以分尺寸為54 mm×84 mmID-1 SIM（大卡）和尺寸為25 mm×15 mmPlug-in SIM（小卡）兩種。

（2） SIM卡的存儲容量：一般SIM卡有8 kB的存儲容量，另外還有容量分別為16 k和32 k的SIM卡，即STK SIM卡。

（3） SIM卡的使用溫度：標(biāo)準(zhǔn)溫度-25～+70℃，極限溫度-35～85℃，極限情況下每次使用不得超過4小時，總共使用不得超過100次。

（4） SIM卡的使用壽命：物理壽命是取決于客戶的插拔次數(shù)，約在1萬次左右；而集成電路芯片的壽命取決于數(shù)據(jù)存儲器的寫入次數(shù)，不同廠家

其指標(biāo)有所不同，就Mo-torola經(jīng)試驗室試驗約5萬次左右。平均壽命約為4年。

3 SIM卡與移動臺設(shè)備的接口

SIM卡芯片有8個觸點，與移動臺設(shè)備相互接通：

（1） 電源VCC（觸點C1）：4.5～5.5 V，ICC《10 mA；

（2） 復(fù)位RST（觸點C2）；

（3） 時鐘CLK（觸點C3）：卡時鐘3.25 MHz；

（4） 不提供（觸點C4）；

（5） 接地端GND（觸點C5）；

（6） 編程電壓VPP（觸點C6）；

（7） 數(shù)據(jù)I／O口（觸點C7）；

（8） 不提供（觸點C8）。

SIM卡同移動臺設(shè)備連接時至少需5個連接線：數(shù)據(jù)I／O口（Data）、復(fù)位（RST）、接地端（GND）、電源（VCC）、時鐘（CLK）。他與基帶單元的接口電路如圖1所示。其中SIM CD為SIM卡檢測腳，用于檢測SIM卡的拔插；SIM CLK為ME提供的讀／寫SIM卡的參考時鐘；SIMRST為SIM卡復(fù)位信號；SIM IO為串行數(shù)據(jù)輸入／輸出線，由20 kΩ上拉電阻上拉至高電平；SIM RnW為讀／寫控制信號，用以指示當(dāng)前SIM_IO線上數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆较?；SIM PWCTRL為功率控制信號，可在空閑方式時控制SIM卡上的電源關(guān)閉，從而降低功耗，延長待機(jī)時間。

4 SIM卡內(nèi)部數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

SIM卡共有3類數(shù)據(jù)文件：主文件（Master File，MF）、專用文件（Dedicate File，DF）、基本文件（ElementFile，EF）。組織結(jié)構(gòu)規(guī)定如下：

0x3F00代表根目錄，0x2FXX代表根目錄下的基本文件；

0x7FXX代表一級子目錄，0x6FXX代表一級子目錄下的基本文件；

0x5FXX代表二級子目錄，0x4FXX代表二級子目錄下的基本文件。

5 SIM卡上電復(fù)位流程

SIM卡符合國際標(biāo)準(zhǔn)ISO7816的要求，按照協(xié)議中的規(guī)定，SIM應(yīng)有8個觸點，包括電源接口、復(fù)位控制接口、時鐘輸入接口、數(shù)據(jù)輸入輸出接口，SIM卡工作時整體電流消耗小于10 mA。SIM卡的時鐘頻率可由外部提供，在指定時問內(nèi)運(yùn)行鑒權(quán)過程時至少需要13／4 MHz的時鐘頻率，其他情況下，使用最小為13／8 MHz的時鐘頻率。I／O端口的數(shù)據(jù)傳輸波特率為時鐘頻率的1／372。

5.1 觸點接通與冷復(fù)位時序（Activation and cold reset）

初始時，所有端口皆處于低電平（L）態(tài)，電壓范圍0～0.4 V；VCC電源電壓先上電（H態(tài)），后提供VPP編程電壓，在智能SIM卡中，VPP端無用，電壓范圍5 V±0.4 V；VCC電源端穩(wěn)定一段時間后，將IO端口置為接收方式（H態(tài)），并提供穩(wěn)定的CLK時鐘信號（注：IO口需在提供CLK信號前或在提供CLK信號后200個時鐘周期內(nèi)（ta）置為接收方式）；RST復(fù)位信號需在提供CLK信號后400個時鐘周期內(nèi)（tb）保持L態(tài)，之后才可置為H態(tài)；提供復(fù)位信號后400～40 000個時鐘周期內(nèi)（tc），I／O口有復(fù)位應(yīng)答。

5.2 熱復(fù)位時序（Warm reset）

熱復(fù)位在冷復(fù)位失敗情況下使用，過程中保持VCC為H態(tài)，且有穩(wěn)定的CLK時鐘信號；熱復(fù)位時需保持RST端為L態(tài)的時間至少為400個時鐘周期（te）；在RST端置L態(tài)之前或之后200個時鐘周期時間內(nèi)（td），IO口應(yīng)置為接收方式；在RST置為H態(tài)后的400～40 000個時鐘周期內(nèi)，I／O口有復(fù)位應(yīng)答。

5.3 時鐘停止時序（Clock stop）

外部控制停止時鐘，可使SIM卡通信暫時中斷，過程中保持VCC端與復(fù)位端RST為H態(tài)；要停止時鐘，需在I／O口輸出最后一個字符之后等待至少1 860個時鐘周期（tg）；恢復(fù)時鐘后至少等待700個時鐘周期（th），I／O開始有字符輸出。

5.4 觸點釋放時序（Deactivation）

將RST端置為L態(tài)；結(jié)束CLK輸入并將I／O口置為L態(tài)；最后將VCC端置為L態(tài)。

5.5 SIM卡的復(fù)位應(yīng)答

SIM卡的觸點被激活之后，終端啟動一個冷復(fù)位。如果SIM卡在冷復(fù)位后回送的字節(jié)數(shù)不符，或在19 200個初始etu之內(nèi)復(fù)位應(yīng)答未完成，終端不立即終止卡片操作過程，而是再發(fā)一個熱復(fù)位信號。如果仍然得到同樣的結(jié)果，那么，接口沒備應(yīng)釋放觸點，否則卡將繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)操作。流程如圖6所示。

復(fù)位應(yīng)答最多為32個字節(jié)（包括歷史字符，不包括初始字符），其中歷史字符最多為15個字符，協(xié)議分為T=O與T=1兩種，一張SIM卡只支持其中的一種協(xié)議。位持續(xù)時間：在IO上的位持續(xù)時間被定義為一個基本時間單元etu。復(fù)位應(yīng)答期間的位持續(xù)時間稱為“初始etu”。初始etu=372／fs=372個時鐘周期。復(fù)位應(yīng)答之后的位持續(xù)時間稱為“當(dāng)前etu”，當(dāng)前etu=F／D／fs。F為時鐘頻率變換因數(shù)，D為比特率調(diào)整因數(shù)，均在SIM卡復(fù)位應(yīng)答的接口字符TA1中給出，缺省值為F=372，D=1，即復(fù)位應(yīng)答之后的當(dāng)前etu=初始etu。復(fù)位應(yīng)答過程中相連兩字符起始位前沿之間的最小時間間隔為12個初始etu，最大時間間隔為9 600個初始etu，所有應(yīng)答字符在19 200個初始etu的時間內(nèi)傳送完，即從第一個字符的起始位前沿到最后一個字符起始位前沿后的12個初始etu結(jié)束）。

復(fù)位應(yīng)答格式：

TS 初始字符（強(qiáng)制性的），確定后續(xù)字符傳送順序（高位先送還是低位先送）；

TO 格式字符（強(qiáng)制性的）；

TA1／TB1／TC1／TD1～TAi／TBi／TCi／TDi 接口字符（選擇性的）；

T1～TK歷史字符（選擇性的）；

TCK 校驗字符（有條件的）T=0時不出現(xiàn)。

6 SIM卡信息交互規(guī)程

6.1 SIM卡信息交互指令格式

6.1.1 命令格式

6.1.2 應(yīng)答格式

DATA：響應(yīng)數(shù)據(jù)； SW1／SW2：返回命令狀態(tài)。

6.1.3 通用錯誤返回代碼表

6.2 常用的基本指令

6.2.1 目錄或文件選擇指令（SELECT）

選擇一個文件，選擇成功后，對線性固定型文件，記錄指針不確定。對循環(huán)型文件，記錄指針指向最近更新或增加的一條記錄。

0x9F代表命令正確執(zhí)行，XX為SIM卡返回的數(shù)據(jù)長度；返回0x94／0x04，代表給出的目錄地址是錯誤的。在復(fù)位應(yīng)答之后（ATR），主要文件（MF）被默認(rèn)為選中，成為當(dāng)前目錄。然后，可采用符合下列原則的SELECT功能來選擇每種文件：

① 選擇DF或MF設(shè)為當(dāng)前目錄；DF是在選擇任何他的EF之前被先選擇出來

② 選擇EF設(shè)為當(dāng)前文件，DF或MF是EF的上層。當(dāng)前EF總是當(dāng)前目錄的下層。

可選擇的文件包括：屬于當(dāng)前目錄的直接子文件；屬于當(dāng)前DF的父文件的直接子DF；當(dāng)前月錄的上層；當(dāng)前DF；MF。

6.2.2 取前一命令應(yīng)答數(shù)據(jù)指令（GET RESPONSE）

Length（R）：響應(yīng)數(shù)據(jù)最大長度。

全部命令響應(yīng)為：

0x90／0x00代表命令正確執(zhí)行。

6.2.3 從透明的數(shù)據(jù)文件中讀取以二進(jìn)制形式存儲的字節(jié)串指令（READ BINARY）

0x90／0x00代表命令正確執(zhí)行；返回0x94／0x00，代表沒有數(shù)據(jù)文件被選中，即當(dāng)前被選中的可能是目錄而不是文件；返回0x94／0x08，代表當(dāng)前目錄或數(shù)據(jù)文件與指令不一致，即當(dāng)前數(shù)據(jù)不是以二進(jìn)制形式存儲的；返回0x98／0x04，代表本次操作不滿足存取安全規(guī)則，密碼認(rèn)證未通過。

7 SIM卡數(shù)據(jù)讀寫測試

SIM卡數(shù)據(jù)讀寫測試的具體步驟及其結(jié)果如下：

Step1 SIM卡首先上電復(fù)位，原則是先接通觸點，后啟動冷復(fù)位，若冷復(fù)位失敗，啟動熱復(fù)位，若熱復(fù)位也不成功，則釋放觸點并報錯。冷復(fù)位或熱復(fù)位成功后，SIM卡應(yīng)輸出復(fù)位應(yīng)答。

實驗測試中取得的復(fù)位應(yīng)答信號如下：

0x22代表指令返回數(shù)據(jù)最大為34個字節(jié)；

SIM卡返回：

Step5：發(fā)送取命令響應(yīng)數(shù)據(jù)指令：

0x00代表數(shù)據(jù)偏移地址為0，即從第一個字節(jié)開始讀數(shù)據(jù)；0x09表示IMSI信息有9個字節(jié)；

SIM卡返回：

0xB0代表響應(yīng)數(shù)據(jù)對應(yīng)的指令為READ BINARY；0x08代表IMSI號有8個字節(jié)數(shù)據(jù)；0x90／0x00代表命令正確執(zhí)行。按照協(xié)議，該SIM卡IMSI號即為：

460 00 0104559542，符合國際移動用戶識別碼IMSI（International Mobile Subscriber Identification Number）的編碼規(guī)則，即IMSI（國際移動用戶識別碼）=MCC（移動國家號）+MNC（移動網(wǎng)號）+MSISDN（移動用戶號碼）。

8 結(jié) 語

SIM卡符合GSM規(guī)范，采用標(biāo)準(zhǔn)的接觸式IC卡，受到ISO7816標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)范。本文在研究接觸式集成電路IC卡國際標(biāo)準(zhǔn)ISO7816的基礎(chǔ)之上，提出了一種SIM卡讀卡器的設(shè)計方案，針對SIM卡信息交互規(guī)程給出了具體的測試步驟，測試結(jié)果證明了該設(shè)計的可行性，讀卡器能夠穩(wěn)定可靠地工作。