功率既不是由電感量確定，也不是由開(kāi)關(guān)管確定，是由你的需要確定。

一般程序是這樣，由功率和經(jīng)驗(yàn)效率確定變壓器的型號(hào)，也可以由“AP”等書(shū)上介紹的方法確定變壓器，我一般是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定，要求比較嚴(yán)格時(shí)用允許溫升確定變壓器型號(hào)。確定變壓器后其他參數(shù)可算出。包括開(kāi)關(guān)管的電流，這樣就可以選管子。

變壓器的氣隙有相關(guān)的公式計(jì)算，但注意氣息一般不要大于1毫米，否則可能引起邊緣磁通效應(yīng)使初級(jí)有過(guò)熱點(diǎn)。

反激電壓方式不需要斜率補(bǔ)償。電流方式大于50%脈寬，或?yàn)榱朔乐乖胍粲绊懶枰樱?jì)算方法可參考3842應(yīng)用指南。

變壓器的兩種屏蔽層。

在小功率電源變壓器中，一般有兩種兩種屏蔽 層，銅薄和繞組。銅薄的原理是切斷了初次級(jí)間雜散電容的路徑，讓其都對(duì)地形成電容，其屏蔽效果非常好，但工藝，成本都上升。繞組屏蔽有兩種原理都在起作 用：切斷電容路徑和電場(chǎng)平衡。所以繞組的匝數(shù)，繞向和位置對(duì)EMI的結(jié)果都有很大影響。可惜我不會(huì)在這里畫(huà)圖來(lái)講解，總之有一點(diǎn)：屏蔽繞組感應(yīng)的電壓要和 被屏蔽繞組工作時(shí)的電壓方向相反。

屏蔽繞組的位置對(duì)電源的待機(jī)功耗有較大的影響。下節(jié)講變壓器浸漆和屏蔽繞組位置對(duì)待機(jī)功耗的影響。

你說(shuō)的屏蔽層是不是這個(gè)意思

只是起隔離作用的一個(gè)隔離層？（對(duì)不 起，我接觸的都是些通訊電源和儀表電源都是體積小的二次片式電源，所用的變壓器也都是采用體積小的表貼變壓器，沒(méi)有用什么屏蔽層，也沒(méi)有見(jiàn)過(guò)其它同類(lèi)電源 用屏蔽層），你所說(shuō)的用了屏蔽層的電源主要用在哪方面？這樣一來(lái)是不是體積就大了呢？還有你的“屏蔽繞組感應(yīng)的電壓要和被屏蔽繞組工作時(shí)的電壓方向相反” 是什么意思？還有，你的屏蔽繞組輸出接哪兒？最好能圖文結(jié)合，這樣大家的興趣不是就來(lái)了嗎？

屏蔽的“接地”

屏蔽在初次級(jí)間時(shí)，其接地可以不接，接原邊地，接次邊地，接大地幾種形式，一般接原邊的地的情況較多。不知道cmg兄是如何處理的。

變壓器的外部加屏蔽，特別在flyback中，由于要加氣隙，在批量小或簡(jiǎn)單起見(jiàn)，不是只在中間加，而是磁心截面全有氣隙，為減小外部氣隙的磁場(chǎng)干擾，而加屏蔽的，此屏蔽一般接大地。

是EMI屏蔽，非安全屏蔽。

可以接原邊的地線，也可以接原邊的高壓端，EMI幾乎沒(méi)有分別，因?yàn)橛懈邏弘娙荽嬖冢舷聦?duì)共模信號(hào)（一般大于1M后以共模干擾為主）來(lái)說(shuō)是等電位的。

變壓器的外部屏蔽可以不接，也可以接初級(jí)地線，其對(duì)EMI的影響看繞組內(nèi)部的情況，但注意安規(guī)的問(wèn)題，接初級(jí)地線，磁芯就是初級(jí)。

屏蔽繞組對(duì)變壓器的工作有影響

屏蔽繞組為了起到很好的作用，一般緊 靠初級(jí)，這樣它跟初級(jí)繞組之間形成一個(gè)電容，屏蔽繞組一般接初級(jí)地線或高壓端，這個(gè)電容就相當(dāng)于接在MOS的D-S端，很明顯造成很大的開(kāi)通損耗。影響了 待機(jī)功耗，對(duì)3842控制來(lái)說(shuō)還可能引起空載不穩(wěn)定。當(dāng)然，加屏蔽也會(huì)使漏感增大，但此影響在空載時(shí)是次要的。

理論上關(guān)斷損耗會(huì)小。

但由于關(guān)斷電路作用都很強(qiáng)，MOS速度又快，所以對(duì)關(guān)斷的損耗影響很小。

另外屏蔽引起的損耗嚴(yán)格來(lái)說(shuō)不全算開(kāi)通損耗，有一部分是導(dǎo)通損耗，在開(kāi)通瞬間和導(dǎo)通后，電容放電。用電流探頭可以很明顯看到導(dǎo)通瞬間有一個(gè)很大的尖峰。

我看到很大的電流尖峰，你說(shuō)的尖峰是不是在FLYBACK的MOSFET開(kāi)通時(shí)有一個(gè)很大的尖峰，我以前一直沒(méi)法理解這是怎么來(lái)的，但我的變壓器好象沒(méi)有什么屏蔽呀，只是中間加了絕緣膠帶

如果你能反饒也可以，但在生產(chǎn)工藝上是不可能的。

可以改變繞組從左到右，或從右到左的方向。

可能你沒(méi)有接觸過(guò)工廠的生產(chǎn)過(guò)程。

骨架換方向當(dāng)然可以，但生產(chǎn)效率差不多降低40%.變壓器的價(jià)格就上來(lái)了。

1. 實(shí)際的電容總有感抗成分在內(nèi)，在共模頻率內(nèi)，接高壓端和地線真對(duì)EMI沒(méi)有分別嗎？

2. \“變壓器的外部屏蔽可以不接，也可以接初級(jí)地線，其對(duì)EMI的影響看繞組內(nèi)部的情況\”，能詳細(xì)說(shuō)明一下嗎？比如順繞和夾繞時(shí)外部屏蔽該怎樣處理呢？

3.\“磁芯就是初級(jí)\”是什么意思？

第一個(gè)確實(shí)幾乎沒(méi)有影響，我測(cè)過(guò)很多。

第二個(gè)有很多情況，我不一一細(xì)說(shuō)，只告訴你一個(gè)原則，繞組最外層如果工作時(shí)電壓變動(dòng)大，則接地有巨大的影響，如果變動(dòng)小，也有影響，但不是很大，當(dāng)然電源功率本身很大時(shí)最好接地。

第三個(gè)是安規(guī)的問(wèn)題，已經(jīng)有人說(shuō)了。

3倍之說(shuō)需要查安規(guī)。

但其原理是明顯的，如果安全屏蔽的保險(xiǎn)絲電流 額定值比電源保險(xiǎn)絲小或一樣大，則發(fā)生短路時(shí)可能安全屏蔽的保險(xiǎn)絲先斷，起不到安全屏蔽的作用。至于外部屏蔽，首先要滿足安規(guī)的要求，在此前提下，當(dāng)然寬 一些會(huì)好一點(diǎn)，但增加了成本，只要把兩半磁心的結(jié)合面包住就好了，還有一個(gè)更好的方法，讓銅帶直接接觸磁心。

反激式電源的開(kāi)關(guān)過(guò)程分析。

我看到有個(gè)帖子在討論此問(wèn)題，所以需詳細(xì)寫(xiě)一下。我看到有個(gè)帖子在討論此問(wèn)題，所以需詳細(xì)寫(xiě)一下。很多人對(duì)反激電源開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間的過(guò)程不清楚，以至于產(chǎn)生電流突變等想法。我來(lái)詳細(xì)解釋一下：

MOS關(guān)斷后，初級(jí)電流給MOS輸出電容和變壓器雜散電容充電（實(shí)際雜散電容放電，為簡(jiǎn)單，我們統(tǒng)一說(shuō)充電），然后DS端電壓諧振上升，由于電流 很大，諧振電路Q(chēng)值很小，所以基本上是線形上升，當(dāng)DS端電壓上升到在次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓加整流管的電壓后，本應(yīng)該次級(jí)就導(dǎo)通，但由于次極漏感的影 響，電壓還會(huì)上升一些來(lái)克服次級(jí)漏感的影響，這樣反映到初級(jí)的電壓也略高于正常反射電壓，在這樣條件下，次級(jí)電流開(kāi)始上升，初級(jí)電流開(kāi)始下降，但不要忘記 初級(jí)的漏感，它由于不能偶合，所以它的能量要釋放，這時(shí)是漏感和MOS輸出電容，變壓器雜散電容諧振，電壓沖高，形成幾個(gè)震蕩，能量在嵌位電路消耗掉，這 里要注意一點(diǎn)，漏感的電流始終是和初級(jí)電流串聯(lián)的，所以漏感電流的下降過(guò)程就是次級(jí)電流的上升過(guò)程，而漏感電流的下降過(guò)程是由嵌位電路電容上的電壓和反射 電壓的差來(lái)決定的，此差越大，下降越快，轉(zhuǎn)換過(guò)程越快，明顯效率會(huì)提高，轉(zhuǎn)換的過(guò)程是電壓電流疊加的過(guò)程。

用RC做吸收時(shí)，由于穩(wěn)態(tài)時(shí)C上的電壓和反射電壓差別不是太大，所以轉(zhuǎn)換過(guò)程慢，效率低，用TVS做吸收時(shí)，其允許電壓和反射電壓差很多，所以轉(zhuǎn)換快，效率高，當(dāng)然RC耗電是另一個(gè)方面。

我曾經(jīng)在21ic上請(qǐng)教過(guò)您一些問(wèn)題，對(duì)于mos的關(guān)斷，通過(guò)您上序的分析，已經(jīng)很透徹 了，其他拓?fù)鋺?yīng)是同樣的原理，比如正激，在mos關(guān)斷后，副邊折射電流與激磁電流對(duì)coss充電，電壓上升到vin后，按理折射電流應(yīng)變?yōu)榱悖捎诼?感的影響，使電流并不太圖變只剩下激磁電流，正是這個(gè)原因，導(dǎo)致電流與電壓重疊時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，mos端并電容也沒(méi)有明顯效果，所以只能減少漏感來(lái)減小關(guān)端重疊 時(shí)間，實(shí)現(xiàn)零電壓關(guān)端，我要問(wèn)的是激磁電感與漏感在一個(gè)什么樣的比列下才算正常呢，我目前變壓器激磁電感20uh，漏感為2uh，我總懷疑漏感太大，您說(shuō) 有無(wú)道理呢？

基本同意說(shuō)明有些不認(rèn)同，說(shuō)出來(lái)共同分析一下。

你的1得出的結(jié)論是不對(duì)的，和我的原意不符。可能我的語(yǔ)文表達(dá)差一些。我的意思是初級(jí)電壓上升，次級(jí)也跟著生，當(dāng)次級(jí)的電壓達(dá)到次級(jí)輸出電壓加整流管的壓降后，次極整流管應(yīng)該導(dǎo)通。

1、 不清楚“雜散電容放電”

2、“漏感電流的下降過(guò)程是由嵌位電路電容上的電壓和反射電壓的差來(lái)決定的”，嵌位電路電容上的電壓不是由反射電壓決定的嗎？（當(dāng)然和R的放電也有關(guān)）。

3、假如正激式電源輸出不要儲(chǔ)能電感，會(huì)怎樣？（如有必要，我可以按我的疑惑畫(huà)個(gè)原理圖，貼在這兒）

4、能不能詳細(xì)說(shuō)說(shuō)RCD吸收回路吸收初級(jí)電感儲(chǔ)能的情況，能不能避免？

5、請(qǐng)回復(fù)一下SOMETIMES的“faraday screen and safety screen ”中的疑問(wèn)好嗎？

1、 與其說(shuō)“雜散電容放電” ，不如雜散電容反向充電來(lái)得準(zhǔn)確。

2、“漏感電流的下降過(guò)程是由嵌位電路電容上的電壓和反射電壓的差來(lái)決定的”，無(wú)論怎樣，漏感電流的下降過(guò)程是非常劇烈的，故而激起的自感電壓是遠(yuǎn)高于副邊反射電壓（MOSFET關(guān)斷的尖峰應(yīng)是因此而起），關(guān)斷時(shí)刻RCD上的電壓應(yīng)由自感電壓決定，而和反射電壓無(wú)關(guān)。

3、這個(gè)問(wèn)題單列出去算了。

4、RCD吸收回路吸收初級(jí)電感儲(chǔ)能是因?yàn)榕c反射電壓串聯(lián)，反激過(guò)程始終存在。用TVS，選擇合適的工作電壓可避免之。

是由電磁定律決定的：u=l di/dt;其中l(wèi)是原邊漏感，其電流的變化必然感應(yīng)出一相應(yīng)電壓，此電壓值由外部電路決定，由公式可知，感應(yīng)電壓越高，電流變化越快，開(kāi)關(guān)管上的電壓電 流交叉時(shí)間越短，關(guān)斷損耗越小。（因漏感與原邊勵(lì)磁電感串聯(lián)，故原邊漏感廚師電流等于開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)的電流值。）

1. 怎么說(shuō)都沒(méi)有關(guān)系，關(guān)鍵是理解這個(gè)過(guò)程，MOS導(dǎo)通時(shí)雜散電容電壓是上正下負(fù)，轉(zhuǎn)換過(guò)程結(jié)束后是下正上負(fù)。

2用RCD吸收，漏感電流下降激起的電壓一般不會(huì)高于副邊反射電壓.C上的電壓是反射電壓和漏感電壓的和，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，C上的電壓和反射電壓 的差決定了漏感的電流下降速度，差U=Llou*dI/dT.當(dāng)然C上的電壓也包括漏感引起的一個(gè)尖峰，C越大時(shí)此尖峰也越小。用TVS時(shí)因?yàn)闆](méi)有C，此 尖峰就是TVS的穩(wěn)壓值。

4.這個(gè)問(wèn)題實(shí)際上已說(shuō)過(guò)，RCD的能量有兩部分，漏感能量和一點(diǎn)勵(lì)磁能量，原因很簡(jiǎn)單：我們?cè)O(shè)想變壓器沒(méi)有漏感，MOS關(guān)斷時(shí)反射電壓還是加在R上，當(dāng)然要耗能。

1、 你用安培環(huán)路定律做個(gè)積分看看。

2、反激變壓器的電流是從異名端流出去的，你用右手螺旋定責(zé)看看是不是和先前的磁場(chǎng)方向一致。

對(duì)你的第一個(gè)問(wèn)題結(jié)論并不正確，根據(jù)變壓器線圈的比例關(guān)系，可以確定變壓器初次級(jí)的電 壓，一般正向道通時(shí)次級(jí)反壓由初級(jí)電壓和線圈比例關(guān)系相乘決定，而關(guān)斷時(shí)邊壓器儲(chǔ)能相當(dāng)于電源向次級(jí)供電，這時(shí)的電壓由次級(jí)決定，在而實(shí)際能量變換是變壓 壓起要求輸出一定的功率，相當(dāng)于變壓器輸出一定的功率，由負(fù)載電阻決定輸出電壓，而這個(gè)電壓再根據(jù)變壓器線圈比例反饋到初級(jí)。所以初級(jí)和次級(jí)的電壓關(guān)系主 要由線圈的匝數(shù)比例決定的，在相同的電路下如剛上電時(shí)，次級(jí)電壓很底，這時(shí)初級(jí)開(kāi)關(guān)的損耗是會(huì)減小，但要知道減少的只是初級(jí)MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（包括漏 感）。另外輸出電壓很底，整流管的損耗比例相對(duì)會(huì)成主要的損耗，所以實(shí)際電路聯(lián)系很多，很多電路都是矛盾的，好的設(shè)計(jì)就是要找到最佳點(diǎn)

一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值。

順序繞法（先初級(jí)，后次級(jí)）一般漏感為電感量的5%左右。三明治繞法，一般在3%以下，用屏蔽好的磁心和繞線順序可達(dá)1%以下。

RCD吸收回路，如果電容很大，但RC時(shí)間常數(shù)還是開(kāi)關(guān)周期的1/10到1/5.那損耗 就會(huì)很大。會(huì)不會(huì)RC回路不隻吸收漏感能量，還消耗了一部份初級(jí)電感蓄積的能量。也就是說(shuō)，當(dāng)MOSFET關(guān)斷後，變壓器初級(jí)電感蓄能大部分通過(guò)次級(jí)釋 放，還有一部分被RC回路吸收。加上電容上的直流電壓（n*（Vo+Vd））在電阻上的損耗會(huì)很大。

首先加在電容上的直流電壓不是（n*（Vo+Vd）），如果是這個(gè)電壓，則電源的轉(zhuǎn)換時(shí)間將非常長(zhǎng)。一定會(huì)比這個(gè)電壓高。

其次，RCD吸收回路吸收的能量恰恰向你說(shuō)的，是由兩部分組成，一部分是漏感的能量，還有一部分是初級(jí)電感儲(chǔ)能。這后一部分是很多人不會(huì)想到的。

RC吸收電路的設(shè)計(jì)。

開(kāi)關(guān)管和輸出整流管的震鈴是每個(gè)電源設(shè)計(jì)工程師最討厭的事情。過(guò)度的震鈴引起的過(guò)壓可能使器件損壞，引起高頻EMI問(wèn)題，或者環(huán)路不穩(wěn)，解決的辦法通常是加一個(gè)RC吸收電路。但很多人不知該如何選取RC的值。

首先在不加吸收電路輕載下用示波器測(cè)量震鈴的頻率，但注意用低電容的探頭，因?yàn)樘筋^的電容會(huì)引起震鈴頻率的改變，使設(shè)計(jì)結(jié)果不準(zhǔn)。

其次，在測(cè)量震鈴頻率時(shí)盡可能在工作的最高電壓下，因?yàn)檎鹆愕念l率會(huì)隨電壓升高而變化，這主要是MOS或二極管的輸出電容會(huì)隨電壓而變化。

震零產(chǎn)生的原因是等效RLC電路的震蕩，對(duì)于一個(gè)低損的電路，這種震蕩可能持續(xù)幾個(gè)周期。要阻尼此震蕩，我們要先知道此震蕩的一個(gè)參數(shù)，對(duì) MOS，漏感是引起震蕩的主要電感，此值可以測(cè)出，對(duì)二極管，電容是主要因素，可以有手冊(cè)查出。計(jì)算其阻抗：知道L，則Z=2*3.14*f*L;知道 C，Z=1/（2*3.14*f*C）。先試選R=Z，通常足可以控制震鈴。

但損耗可能很高，這時(shí)需要串聯(lián)一個(gè)電容來(lái)減小阻尼電路的功率損耗。可如此計(jì)算C值：C=1/（3.14*f*R）。增加C值損耗就增加，但阻尼作用加強(qiáng)，減小C值當(dāng)然是相反的作用。

電阻的損耗P=C*（V*V）Fs.當(dāng)然在某些電路形式里面損耗可能是0.5P. 實(shí)際中，可依計(jì)算的值為基礎(chǔ)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)做一些調(diào)整。

不知哪位高手可以幫幫忙，替我寫(xiě)幾部分，謝謝！當(dāng)然，如果大家感覺(jué)沒(méi)什么意思，就結(jié)束這個(gè)專(zhuān)題。

1）RCD吸收電路的設(shè)計(jì)方法。

2）反激電源多路輸出交叉調(diào)整率的產(chǎn)生原因和改進(jìn)方法。

3） 開(kāi)關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生的原因及對(duì)策。

4）反激電源的控制環(huán)路零，極點(diǎn)分析及環(huán)路定性分析（定量

分析要占用大量的時(shí)間和篇幅）

5）大功率反激電源：雙管反激。

6）反激電源的軟開(kāi)關(guān)和無(wú)損吸收。

變壓器因?yàn)橐呀?jīng)有很多帖子了，在此專(zhuān)題里面不在贅述。

千萬(wàn)不要忽視理論！

理論是指導(dǎo)實(shí)踐的，這是真理，如果沒(méi)有理論，當(dāng)你有問(wèn)題時(shí)就無(wú)處下手，有的人就到處改，到處試，改好了也不知道其所以然。要知道，電源設(shè)計(jì)應(yīng)該是一個(gè)嚴(yán)格的數(shù)學(xué)過(guò)程，如果不能做到這一點(diǎn)，說(shuō)明還有很多東西需要學(xué)習(xí)。

如果我真寫(xiě)書(shū)的話，每一點(diǎn)都會(huì)有理論解釋?zhuān)皇窃贐BS上，畫(huà)圖，寫(xiě)公式都很麻煩（實(shí)際上我根本就不知道怎么弄），所以只能寫(xiě)幾句。

劉勝利很熟悉，還送了我一本書(shū)，他的書(shū)基本上是實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)堆起來(lái)的，很佩服老劉的精神，很大年紀(jì)了還在做實(shí)驗(yàn)研究。不過(guò)老人家很好玩：你跟他講話一定要先讓他講完，否則插不進(jìn)嘴。

反激電源多路輸出交叉調(diào)整率的產(chǎn)生原因和改進(jìn)方法。

理論上反激電源比正激電源更使用于多路輸出，但實(shí)際上反擊電源的多路輸出交叉調(diào)整率比正激電源更難做，這主要是正激后面加了個(gè)偶合電感，而反激的漏感不是零。

很多人做反激電源時(shí)都遇到這個(gè)問(wèn)題，一路輸出穩(wěn)定性非常好，但多路輸出時(shí)沒(méi)有直接取反饋的路的電壓會(huì)隨其他路的負(fù)載變化而劇烈變化，這是什么原因呢？

原來(lái)，在MOS關(guān)斷，次級(jí)輸出時(shí)能量的分配是有規(guī)律的，它是按漏感的大小來(lái)分配，具體是按匝比的平方來(lái)分配（這個(gè)可以證明，把其他路等效到一 路就可得出結(jié)果）如：5V 3匝，漏感1uH，12V 7匝，如果漏感為（7/3）（平方）*1=5.4uH，則兩路輸出的電流變化率是一樣的，沒(méi)有交叉調(diào)整率的問(wèn)題，但如果漏感不匹配時(shí)，就會(huì)有很多方面影響 到輸出調(diào)整率：1.次級(jí)漏感，這是明顯的; 2，輸入電壓，如果設(shè)計(jì)不是很連續(xù)，則在高壓時(shí)進(jìn)入DCM狀態(tài)，DCM時(shí)由于電流沒(méi)有后面的平臺(tái)，漏感影響更顯著。

改進(jìn)方法：1，變壓器工藝，讓功率比較大，電壓比較低的繞組最靠近初級(jí)，其漏感最小，電壓比較高，功率比較小的遠(yuǎn)離初級(jí)，這樣就增加了其漏 感.2，電路方法，電壓輸出較高的繞組在整流管前面加一個(gè)小的磁珠或一個(gè)小的電感，人為增加其漏感，這樣電流的變化率就接近于主輸出，電壓就穩(wěn)定.3，電 壓相近的輸出，如：3.3V 5V，按我們的解釋其漏感應(yīng)該差別很小，這時(shí)就要把這兩個(gè)繞組繞在同一層里面，甚至有時(shí)候5V要借用3.3的繞組，也就是所謂的堆疊繞法，來(lái)保證其漏感 比。

另外有時(shí)候電壓不平衡是由于算出的匝數(shù)不為整數(shù)造成的，如半匝，當(dāng)然半匝是有辦法繞的，但半匝的繞法也是很危險(xiǎn)的（可參考其他資料），這是我們 可以通過(guò)二極管的壓降來(lái)調(diào)整，如12V用7匝，5V用3匝，如果發(fā)現(xiàn)12V偏高，則12V借用5V的3匝，但剩下的4匝的起點(diǎn)從5V輸出的整流管后面連 接，則12V的整流管的壓降為兩組輸出整流管的壓降和，如：0.5（5V）+0.7（12V）=1.2V，另外12V輸出負(fù)載變化時(shí)，其電流必然引起5V 整流管的壓降變化，也就是5V輸出變化，而5V的變化會(huì)通過(guò)反饋調(diào)整，這樣也間接控制了12V.

1、 關(guān)于匝比平方的問(wèn)題是這樣的：電感值L=匝數(shù)的平方*AL（磁芯的電感因子）。本質(zhì)上還是電感量的問(wèn)題。能量：P=1/2LI^2.

2、漏感隨便怎么調(diào)，如果不采取穩(wěn)壓措施一個(gè)繞組的負(fù)載狀態(tài)（I）都會(huì)影響另一繞組。（個(gè)人觀點(diǎn)）

1. 你說(shuō)的問(wèn)題是電感的電感量，而漏感是不遵守這個(gè)規(guī)律的，你可以把其他組的電壓，電流，漏感等效到一組，然后

就看到我的結(jié)論，只有每個(gè)繞組的電流上升率一樣時(shí)，理論上電壓就不會(huì)再隨負(fù)載而變化。

2.因?yàn)槁└惺芎芏嘁蛩氐挠绊懀豢赡芡耆{(diào)整到理想狀態(tài)，所以實(shí)際上一個(gè)繞組還會(huì)影響另一個(gè)繞組，但可以把這個(gè)影響減到實(shí)際產(chǎn)品可應(yīng)用的水平，而不需要加二次穩(wěn)壓。

這個(gè)指的是每路輸出的實(shí)際功率是看其負(fù)載的大小，而我說(shuō)的是交叉穩(wěn)定性，是兩個(gè)事情，交叉穩(wěn)定性不好時(shí)，其電壓值在負(fù)載大小變化時(shí)變化很大。

從一個(gè)朋友的角度我建議你還是先去多學(xué)點(diǎn)東西，再來(lái)發(fā)帖。

其實(shí)這是 一個(gè)改進(jìn)交叉調(diào)整率的方法之一，并不矛盾。其實(shí)還有很多方法來(lái)改進(jìn)交叉調(diào)整率，如減小RCD電路的電阻，但會(huì)造成很大的耗能，所以沒(méi)列在里面，還有能量再 生繞組，它是把能量反送會(huì)電網(wǎng)，屬于反激軟開(kāi)關(guān)的類(lèi)型之一。你寫(xiě)了這么多，其實(shí)我看的出來(lái)，你壓根就沒(méi)理解我的說(shuō)法。我已經(jīng)告訴你怎么去把結(jié)果推出來(lái)，為 何不去實(shí)驗(yàn)以下，你說(shuō)我的方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)，為何不照我由此推出的改進(jìn)方法去試一下，實(shí)際上我已經(jīng)幫很多人用此方法改進(jìn)了交叉調(diào)整率，特別是在 DVD，DVR，DVB里面。我將不再回復(fù)此帖，信不信由你.