化合物半導體相比硅半導體具有高頻率和大功率等優異性能，是未來5G通信不可替代的核心技術。中國是全球最大的移動通信市場，最快將在2019年實現5G通信商用，有望依托市場新機遇提升化合物半導體產業競爭力。國內化合物半導體和5G通信芯片發展正面臨難得的窗口期，機遇與挑戰并存。

為更好的促進行業交流，為國內優秀的化合物半導體和5G通信芯片企業提供與地方政府、投資公司、技術專家進行資源對接的平臺，中國電子信息產業發展研究院將在2018中國集成電路產業促進大會期間組織舉辦5G通信芯片主題論壇，邀請包括Qorvo在內的眾多國家級投資機構、上下游企業和技術專家一起，從政策、投資、技術、產業等多個層面共同探討我國5G通信芯片的發展路徑，重慶的小伙伴們來約一約？

中國電子信息產業發展研究院于11月9日將在南坪國際會展中心組織召開2018中國集成電路產業促進大會（中國芯大會）。該會議已連續舉辦12屆，是國內集成電路領域最具影響力和權威性的行業會議之一，是國內集成電路產品創新和應用創新的大檢閱和風向標。本屆會議以“芯時代、芯作為”為主題，圍繞樹立“中國芯”企業新形象展開交流。

化合物半導體 & 5G通信相關導讀

5G智能手機將大量使用GaAs射頻器件。隨著移動通信頻率不斷提高，Si器件已不能滿足性能要求，4G智能手機中的功率放大器已全部采用GaAs技術。5G通信支持的通信頻段將大幅增加至50個以上，遠大于4G通信的頻段數（不超過20個）。為保證通信質量，需要增加放大器數量或提高器件集成度。賽迪智庫預計，2020年GaAs器件市場將達到100億美元。

5G通信基站亟需更高性能的GaN射頻器件。GaN射頻功率放大器兼具Si器件的大功率和GaAs器件的高頻率特性。為了應對2.4 GHz以上頻段Si器件工作效率不高的問題，4G通信基站開始使用GaN功率放大器。目前約10%的基站采用GaN技術。全球每年新建約150萬座基站，未來5G網絡還將補充覆蓋區域更小、分布更加密集的微基站。賽迪智庫預計2020年GaN射頻器件市場將超過6億美元。

發達國家已完成化合物半導體的戰略布局。美國和歐洲在21世紀初開始組織技術和產業扶持工程，培育了一批龍頭企業，已占領技術和市場的高地。美國國防部DARPA從2002年起發布寬禁帶化合物半導體技術創新計劃（WBGSTI）和下一代GaN電子器件計劃（NEXT），助力Qorvo等化合物半導體企業迅速成長為行業龍頭。

制造成熟度方面，Qorvo公司自2008年至今已出貨超過260萬件GaN器件產品，其中17萬件應用于雷達領域。Qorvo的GaN產品已分別達到美國國防部的制造成熟度評估（MRL）第9級。