今天上午，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案。基于市場條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。

GlobalFoundries于2017年初宣布在成都建造12吋晶圓廠，投資規(guī)模估計超過100億美元，成為大陸西南部首條12吋晶圓生產(chǎn)線。成都晶圓廠分為二期建設(shè)，一期為成熟制程(180nm/130nm)，預(yù)計2018年底投產(chǎn)，2期建設(shè)則是22FDX FD-SOI制程，預(yù)計2019年第4季投產(chǎn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于行動終端、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域。

成都股東方認(rèn)為：“此次格芯成都項目的調(diào)整變化為合作雙方留出充分時間進行評估，以更準(zhǔn)確地掌握中國市場需求，為未來新的產(chǎn)能規(guī)劃和項目實質(zhì)性啟動做好前期準(zhǔn)備”。

格芯CEO湯姆·嘉菲爾德（Tom Caulfield）表示：“作為全球規(guī)模最大、增長最快的半導(dǎo)體市場之一，中國是格芯高優(yōu)先市場。FDX技術(shù)特別適合中國市場，我們將繼續(xù)見證其在5G、IoT以及邊緣計算等極富吸引力的市場領(lǐng)域的巨大潛力。我們將與成都政府繼續(xù)深化務(wù)實合作，堅定推動成都項目的實施，共同加快中國FDX技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)和客戶群的發(fā)展。”

記者獲悉，就在2個月前，格芯剛宣布，將擱置7納米 FinFET項目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案。當(dāng)時格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。