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Veeco攜手ALLOS研發硅基氮化鎵外延片產品技術

nDFv_cnledw2013 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-11-15 14:53 ? 次閱讀

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果,雙方共同努力,致力于為MicroLED生產應用提供業內領先的硅基氮化鎵外延片產品技術。

兩家公司最近合作的宗旨是,在為全球范圍內多家杰出的消費類電子產品公司生產外延片的同時,展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產品技術在Veeco Propel? MOCVD反應器上的可復制性。

“要將Micro LED技術轉化為生產,僅依據單項指標展示主導價值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規格都具有出色的可重復性和收益,”Veeco Compound Semiconductor業務部門高級副總裁兼總經理Peo Hansson博士表示。“此次成功聯合再次肯定Veeco的優秀MOCVD專業知識與ALLOS硅基氮化鎵外延片產品技術強強結合,能夠為客戶提供經驗證的、可靠的創新方案,加速推進Micro LED應用。”

作為標準,傳統LED技術通過分類和分級實現波長一致性。但鑒于Micro LED 尺寸小、數量多而無法分類和分級,因此,外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產MicroLED顯示器的承諾變成現實,最重要的成功要素在于實現極佳的發射波長一致性,這樣就不需要進行單獨的MicroLED芯片測試和分選。根據業內目標要求,外延片分級應介于+/-1 nm(下限)和+/-4 nm(上限)之間,取決于應用和傳質方法。通過合作項目,Veeco和ALLOS 通過標準偏差僅為0.85 nm的晶片進一步改善至關重要的波長一致性,這在生產系統方面屬于行業首例。

“Veeco和ALLOS對晶片之間的可復制性進行了驗證,所有晶片的平均波長標準偏差為1.21nm,且峰值波長介于+/-0.5 nm范圍內。由此,我們朝著+/-1 nm外延片分級的目標又邁進一大步,”ALLOS首席執行官Burkhard Slischka 表示。“我們的技術已經可以在直徑200 mm的晶片上使用,這樣就能使用低成本、高收益的硅系列進行MicroLED芯片生產。此外,我們對于300 mm晶片應用已有清晰的發展藍圖。”

作為下一個重大技術轉變主題,MicroLED備受顯示器技術創新者的關注。根據LEDinside分析,Micro LED市場產值于2022年將達31.8億美金。邊長小于 100 μm 的MicroLED技術被視作開發功耗更低的旗艦顯示器的重要驅動因素,相關技術承諾助長了這一樂觀情緒。但是,材料成本高、收益低以及MicroLED傳質技術產量一直阻礙著此類顯示器的開發。此次技術聯合有效地解決了這些挑戰,Veeco和ALLOS將繼續與客戶合作,旨在進一步改善硅基氮化鎵外延片和MicroLED傳質技術。

2018年11月12日,兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國際氮化物半導體工作研討會 (IWN) 上詳細展示他們的突破成就。

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原文標題:200mm硅基氮化鎵Micro LED新突破!Veeco攜手ALLOS展示合作成果

文章出處:【微信號:cnledw2013,微信公眾號:CNLED網】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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