M6362A詳細資料
1.M6362A是一款AC-DC反激式六級能效高性能開關電源適配器電源芯片,耐低溫,能在-40℃環溫正常工作,待機功耗小于75mW的,應用在60W范圍。
2.M6362A提供了極為全面和性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(OCP),過載保護(OLP),VDD鉗位電壓,軟啟動功能和欠電壓鎖定(UVLO)。通過QR,CCM,Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件實現超低待機功耗,全電壓范圍下的最佳效率。具有抖頻功能改善EMI性能。
3. 替換OB2362A,OB2281,OB2263,OB2273,SP5673,GR1837等。開關頻率65KHz。
4主要用于高性能、低待機功耗和低成本的離線反激式電源適配器。
M6362A驅動外置MOSFET適用于高性能、低待機功耗、低成本的離線式反激開關電源。在滿載時,IC在固定頻率(65KHz)模式下運行。當負載降低時,工作在谷底導通的綠色工作模式,實現高功率下的高轉換效率
。當負載很小的時候,芯片以“擴展的突發模式”運行,以減少待機功耗。因此,在整個負載范圍內可以實現高轉換效率。
M6362A的VCC極低的啟動電流和低運行電流為啟動和工作低功耗要求的設計中提供了可靠的應用保證。
產品特點:
優化EMI性能的抖頻技術擴展的突發工作模式提高轉換效率和極低的待機功耗
音頻噪聲處理功能全面的保護功能:VCC鎖定與遲滯(UVLO)
VCC過電壓保護(VCC OVP)在通用輸入電壓范圍內固定輸出功率限制的電流閾值設置
過載保護(OLP)及自動恢復功能外部(如果NTC電阻連接在PRT pin)或內部溫度保護(OTP)與自動恢復功能
輸出電壓保護(輸出OVP)與自動恢復OVP觸發電壓可由輔助繞組與PRT銷連接的電阻調節
應用結構圖
該電路圖中R18,R19為反饋分壓電阻,并且和U3(AZ431),U2(PC817)組成反饋電路,確保輸出準確電壓。為了使系統具有較好的動態響應特性,可以調節R20,C8,C9的值來改善AZ431的補償,使環路具有較高的增益;另外需要調節R16的值使U2光耦發光二極管端能夠把次級信號迅速反饋到芯片FB端精心跟隨控制;D1,R4,R5,R6,C3組成RCD鉗位電路,用來吸收Q1 MOSFET漏源尖峰電壓
R1,R2,J1,R3,R11,C4,C5,C6,C15,D2,D3組成芯片的啟動電路及供電環路;該電路為AC兩級啟動電路,可以有效的降低待機功耗,功耗可以控制在75mW以內,啟動時間2S以內;注意當芯片的應用功率大于49W時,待機功耗小于210mW即可滿足六級能效的要求。
VAR1為壓敏電阻7D471可以吸收浪涌沖擊電壓,CX1為X2安規電容,CY1為共模安規Y1電容,以及共模電感LF1,LF2都起到EMC濾波效果
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原文標題:(滿足六級能耗)高性能電流模式控制ICM6362A應用方案
文章出處:【微信號:mojay_semi,微信公眾號:茂捷半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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