前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢。

存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，然NAND價格大跌超60%，引原廠產能“緊急制動”

2018年以來，Flash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現跌勢。據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據，Q3 NAND Flash價格指數下滑22.5%，相較于Q2 24.6%的跌幅略有收窄。截止到10月底，2018年NAND Flash價格累積跌幅高達63%，其中高容量SSD跌幅高達55%，eMMC價格跌幅達50%，閃存卡價格跌幅超過50%。

近3年NAND Flash綜合價格指數走勢圖

來源：中國閃存市場網www.chinaflashmarket.com;數據截止至2018年10月31日

在NAND Flash價格跌幅持續(xù)擴大的環(huán)境下，存儲器原廠Q3財報卻表現搶眼。其主要是因為三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級，以及SSD向高容量轉移需求帶動下，Flash原廠NAND Flash bit出貨量增加，從而抵消了Q3市場價格下滑的影響。據各家公布的財報數據顯示，三星Q3凈利潤13.15兆韓元，同比增長17.5%。美光Q4凈利潤43.25億美元，同比增長82.6%。SK海力士Q3凈利潤4.69兆韓元，同比增長54%。英特爾Q3凈利潤63.98億美元，同比增長42%。

近2年，存儲器原廠凈利潤持續(xù)走高，除了市場對NAND Flash容量需求增加外，DRAM和NAND Flash價格上漲也是主因。如今NAND Flash價格大跌，據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據，每GB價格下探至0.08美金，已逐漸逼近部分廠商的成本價。此外，DRAM價格也有明顯的松動，再加上進入傳統(tǒng)的Q4需求淡季，三星、西部數據、美光、英特爾等Q4財報難抵下滑之勢，均預告營收或利潤會有所下滑。

為了提高產品競爭力，存儲器原廠正在加快有成本優(yōu)勢的96層NAND和1ynm DRAM技術量產。同時，為了平市場供需，原廠產能采取“緊急制動”，其中西部數據宣布Fab工廠減少產出量，并推遲96層技術的下一步擴產計劃，三星擴產平澤廠DRAM產線計劃也有所調整，原廠此舉將有助于NAND Flash和DRAM價格的穩(wěn)定。

三星Q3凈利潤同比增17.5%

01

one

三星Q3營收65.46兆韓元，同比增長5.5％，環(huán)比增長12%；營業(yè)利潤17.57兆韓元，同比增長20.9%，環(huán)比增長18.2%。

西部數據Q1凈利潤同比下滑25%

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Two

西部數據Q1營收50億美元，同比下滑3%；營業(yè)利潤6.86億美元，同比下滑24%。其中HDD營收25億美元，Flash營收25億美元，各占大約50%。

注：西部數據2019財年Q1，即2018年7-9月數據

美光Q4凈利潤同比增長82.6%

03

Three

美光Q4營收84.4億美元，同比增長38%，環(huán)比增長8.2%；營業(yè)利潤43.77億美元，同比增長75%；環(huán)比增長10.7%。

注：美光2018財年Q4財報，即2018年6-8月數據

SK海力士Q3凈利潤同比增長54%

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Four

SK海力士Q3營收11.42兆韓元，同比增長41%，環(huán)比增長10%；營業(yè)利潤6.47兆韓元，同比增長73%，環(huán)比增長16%。

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國際原廠聚焦新技術

隨著Flash原廠從2018下半年陸續(xù)進入64層QLC和96層TLC量產階段，國際原廠新一輪技術較量正式拉開序幕，預計2019年將推進96層QLC技術發(fā)展，不僅單顆Die容量向1Tb升級，也將進入QLC元年，而NAND Flash市場供貨進一步增加，將對市場影響巨大。

中國企業(yè)機遇與危機

隨著武漢二期、南京、成都三大基地開工，中國存儲產業(yè)發(fā)展又向前推進了一步。然而，中國企業(yè)也遇到了困難和險阻。比如：長江存儲如何快速推進3D技術工藝；紫光存儲如何整合資源強化競爭力；以及福建晉華如何化解 “美國禁令”危機等，很多問題都有待去解決。