據(jù)中新網(wǎng)報道，由中國科學院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項目于11月29日在成都通過驗收，作為項目重要成果之一，中國科學家已研制成功世界上首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備，并形成一條全新的納米光學光刻工藝路線，具有完全自主知識產權。

中科院光電所所長、超分辨光刻裝備項目首席科學家羅先剛研究員介紹說，2012年，該所承擔了超分辨光刻裝備這一國家重大科研裝備項目研制任務，經(jīng)過近7年艱苦攻關，在無國外成熟經(jīng)驗可借鑒的情況下，項目組突破了高均勻性照明、超分辨光刻鏡頭、納米級分辨力檢焦及間隙測量和超精密、多自由度工件臺及控制等關鍵技術，完成國際上首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備研制，其采用365納米波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米(約1/17曝光波長)。在此基礎上，項目組還結合超分辨光刻裝備項目開發(fā)的高深寬比刻蝕、多重圖形等配套工藝，實現(xiàn)了10納米以下特征尺寸圖形的加工。

▲超分辨光刻設備加工的4英寸光刻樣品。

這一世界首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備是基于表面等離子體超衍射研制而成，它打破了傳統(tǒng)光學光刻分辨力受限于光源波長及鏡頭數(shù)值孔徑的傳統(tǒng)路線格局，形成了一條全新的超衍射納米光刻從原理、裝備到工藝的技術路線，具有完全自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性戰(zhàn)略領域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。

驗收專家認為，中科光電所研制成功的超分辨光刻裝備所有技術指標均達到或優(yōu)于實施方案規(guī)定的考核指標要求，關鍵技術指標達到超分辨成像光刻領域的國際領先水平。該項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過了國外高分辨光刻裝備技術知識產權壁壘，實現(xiàn)中國技術源頭創(chuàng)新，研制出擁有自主知識產權、技術自主可控的超分辨光刻裝備，也是世界上首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。

同時，利用研制成功的超分辨光刻裝備已制備出一系列納米功能器件，包括大口徑薄膜鏡、超導納米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、生化傳感芯片、超表面成像器件等，驗證了該裝備納米功能器件加工能力，已達到實用化水平。

中科院光電所超分辨光刻裝備項目已發(fā)表論文68篇，目前已獲授權國家發(fā)明專利47項，授權國際專利4項，并培養(yǎng)出一支超分辨光刻技術和裝備研發(fā)團隊。羅先剛表示，中科院光電所后續(xù)將進一步加大超分辨光刻裝備的功能多樣化研發(fā)和推廣應用力度，推動國家相關領域發(fā)展。

爭議不斷

當這則“中國成功研制世界上首臺分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備”的消息一經(jīng)報道，立刻引發(fā)了兩種完全對立的聲音。

很多人認為這是“歷史性的突破”，中國芯片制造將走向完全自主；而另一群人則認為是在“吹牛”、“放衛(wèi)星”。那么究竟哪種觀點才靠譜呢？

今天業(yè)內人士——認證信息為“中國科學院/新加坡國立大學光學工程博士在讀”的知乎網(wǎng)友@看風景的蝸牛君 對此進行了解析。

先回答大家最關心的兩個問題：

1、我們可以實現(xiàn)芯片徹底國產化了嗎？

答：暫時還不行。

2、不吹不黑，這個裝備真的這么厲害嗎，還是只是吹牛？

答：確實很厲害。

很多人只盯著新聞里22nm這個指標，其實大家要關注的是“365nm的光源，單次曝光線寬可達22nm”。注意到我加黑的那幾個關鍵詞了嗎？22nm指標雖然很棒但是業(yè)界早就做過了，到底哪里厲害呢？所以關鍵是用365nm的光源單次曝光做到22nm，懂點光學的就知道這意味著什么：打破了傳統(tǒng)的衍射極限。

所以在我看來，這臺機器最大的價值是驗證了表面等離子體（SP）光刻加工的可行性。

這臺SP***與ASML***對比怎么樣呢？舉個不恰當?shù)睦影桑@就像是初期的槍械與最厲害的弓箭的對比。早期槍械，比如火銃，無論是射擊精度還是射擊距離都遠遠比不上厲害的弓箭，但是如今的狙擊槍早已把弓箭甩開十萬八千里了，這就是原理性的勝利。

要理解剛才說的這個“原理性的勝利”到底是怎么回事，我們首先得回顧一下以ASML為代表的傳統(tǒng)***是怎么做的。

上面是ASML***簡單的原理圖，拋開復雜的監(jiān)測設備不談，最核心的原理就是通過物鏡系統(tǒng)將掩膜版上的圖案進行縮印成像。涉及到成像過程，就不得不考慮光的衍射極限。即便拋開所有的幾何像差，由于衍射的作用，一個無限小的點成像后也會變成一個彌散斑，被稱為“艾里斑”。因此實際光學系統(tǒng)成像的分辨率就是兩個艾里斑恰好能夠分開的距離。

所以由于衍射效應，成像分辨率會受到限制，最終的分辨率取決于波長、數(shù)值孔徑等參數(shù)，波長越小、數(shù)值孔徑越大分辨率則越高。所以ASML這些年來主要的研究方向就是利用更短的波長（近紫外-深紫外-極紫外）、增大數(shù)值孔徑（更復雜的物鏡、液體浸沒）。但是每進一步都變得更加艱難，對系統(tǒng)設計、加工裝配、誤差檢測等等諸多方面都提出了更為苛刻的要求，成本也越來越高昂。

那么表面等離子體光刻又是怎么一回事呢？表面等離子體指的是一種局域在物質表面的特殊的電磁波，隨著離開物質表面距離的增大迅速衰減，一般認為波長量級以上的區(qū)域就不存在了。

更為神奇的是，雖然表面等離子體波是由其他電磁波激發(fā)的，但是波長會被極大地壓縮，而壓縮的比例取決于材料的電磁性質等參數(shù)。

這就意味著，利用表面等離子體波進行光刻時，從原理上就不在受到傳統(tǒng)衍射極限的限制了。

在***研制方面，我們一直有兩個選擇：沿用ASML的老路走一遍，還是另辟蹊徑通過新原理彎道超車？我們國家目前兩個選擇都在做。而這臺SP***的研制成功，就是讓我們看到了彎道超車的可能性。其實從原理上，這簡直就不是彎道超車了，而是在別的人還在繞山路的時候，我們嘗試著打了一條隧道……雖然還沒有完全挖通，但曙光就在眼前了。