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利用石墨烯電導率變化實現(xiàn)太赫茲調(diào)制

MEMS ? 來源:lq ? 2018-12-05 17:15 ? 次閱讀

與太赫茲電磁頻譜的其它頻段相比,位于紅外微波之間的頻段似乎被忽略了。據(jù)麥姆斯咨詢報道,香港中文大學和華威大學(The University of Warwick)的一個研究小組最近發(fā)表研究成果,表明實現(xiàn)太赫茲光束的寬帶寬、大幅度且快速的調(diào)制是可能的,甚至只需非常簡單的器件就能實現(xiàn)。

調(diào)制器結(jié)構(gòu)及其與太赫茲光相互作用的圖解為了設(shè)計出工作在太赫茲頻段的相機和光譜儀,研究人員花費了不少努力。目前已經(jīng)被證明其在機場安全掃描儀和舊畫底層識別應用是有用的。這些設(shè)備的重要組成部分則是調(diào)制器,它控制太赫茲光束的振幅或相位。調(diào)制器必須快速運作,且功耗低,在較大的頻率范圍內(nèi)給出一致的調(diào)制,最大限度地改變太赫茲光束的強度或相位。迄今為止,供選擇的方法包括超材料、半導體和液晶器件,但都無法滿足所有需求。

Brewster先生來了

1815年,David Brewster發(fā)表了一篇論文,描述了實現(xiàn)透明物體零反射所需的入射角。兩百多年后,香港中文大學許建斌和華威大學Emma Pickwell-MacPherson領(lǐng)導的科學家小組應用這些知識以及最新技術(shù),創(chuàng)造了破紀錄的太赫茲調(diào)制器。Pickwell-MacPherson評論道,“我們的第一步是證明通過采用全內(nèi)反射(TIR)幾何結(jié)構(gòu)而非透射幾何結(jié)構(gòu)獲得用更低的導電率變化,從而實現(xiàn)寬帶太赫茲調(diào)制。利用最新的布魯斯特角,這已經(jīng)成為實現(xiàn)幾種新器件設(shè)計的方法。

”該器件通過在石英襯底上進行石墨烯、氧化鋁(Al2O3)和氧化鈦(TiOx)單層堆疊實現(xiàn)。一束p偏振太赫茲光束從堆棧中反射出來,當達到布魯斯特角時,反射變?yōu)榱恪L砑右粚邮┰试S了可調(diào)元素的引入。當在兩個金接觸點之間的石墨烯上施加電壓時,電導率會發(fā)生變化。這改變了堆疊的布魯斯特角,因此對于給定的入射角,反射的太赫茲可以通過控制電壓而“接通或斷開”。

選擇運作模式

將p偏振太赫茲光束以65°的角度照射到器件上,施加在石墨烯的電壓從-12V變?yōu)?14V,可以在0.5~1.6 THz的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)對太赫茲振幅99.3%~99.9%的調(diào)節(jié)。振幅調(diào)節(jié)范圍受到實驗條件的限制,理論上可以實現(xiàn)更大的帶寬。但這并不是唯一的選擇。研究人員利用在大于布魯斯特角時反射光束發(fā)生180°相變這一事實。當電壓從-12V變?yōu)?16V時,以68°角入射的太赫茲光束在相同的頻率范圍內(nèi)將發(fā)生不小于140°的相變。在這個電壓范圍內(nèi),布魯斯特角在72°和64°之間變化。

對1kHz方波電信號調(diào)制太赫茲時域波形(紅色)和調(diào)制深度響應(藍色)對速度的要求調(diào)制的上升時間約為1ms,因此很容易實現(xiàn)1kHz的調(diào)制頻率。不過,如果可以犧牲調(diào)制深度,也可以達到高達10kHz的頻率。雖然其他固態(tài)太赫茲調(diào)制器工作在大約2.4MHz的較高頻率段,也可以進一些小調(diào)整提高該器件的調(diào)制頻率。目前受限于金接觸層之間的電阻電容,通過將尺寸減小到1mm左右,并用石墨烯代替TiOx,調(diào)制速度與其他器件相當。香港中文大學材料科技研究中心主任許建斌解釋說,“這個裝置的另一個好處是可以被改造成現(xiàn)有的商用太赫茲光譜儀。”石墨烯控制的布魯斯特角太赫茲調(diào)制器將真正帶我們進入太赫茲技術(shù)進入現(xiàn)實應用的未來。

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原文標題:中英科學家新發(fā)現(xiàn):利用石墨烯電導率變化實現(xiàn)太赫茲調(diào)制

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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