隨著市場(chǎng)對(duì)高功率高電壓材料的需求增長(zhǎng)，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大 功率器件 。目前很多國(guó)家（也包括中國(guó)）都把發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料及其相關(guān)器件等列為半導(dǎo)體重要新興技術(shù)領(lǐng)域，投入巨資支持發(fā)展。

近日，全球知名的半導(dǎo)體廠商英飛凌科技股份公司推出了氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN?600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC（GaN EiceDRIVER?IC）。據(jù)悉，英飛凌產(chǎn)品的優(yōu)越性包括：它們具備更高功率密度，可實(shí)現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計(jì)，從而降低系統(tǒng)總成本和運(yùn)行成本，以及減少資本支出。

CoolGaN擁有行業(yè)領(lǐng)先的可靠性

隨著CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)IC的推出，目前，英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司。最新發(fā)布的CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT采用可靠的常閉概念，它經(jīng)專門優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)快速開通和關(guān)斷。它們可在開關(guān)模式電源（SMPS）中實(shí)現(xiàn)高能效和高功率密度，其優(yōu)值系數(shù)（FOM）在當(dāng)前市場(chǎng)上的所有600 V器件中首屈一指。

CoolGaN開關(guān)的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向?qū)顟B(tài)下提供優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能，進(jìn)而大幅提高工作頻率，從而通過(guò)縮小被動(dòng)元器件的總體尺寸，提高功率密度。 英飛凌CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT在功率因數(shù)校正（PFC）變流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達(dá)到160 W /in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓?fù)渲校珻oolGaN線性輸出電容可將死區(qū)時(shí)間縮短至八分之一到十分之一。

據(jù)悉，CoolGaN擁有行業(yè)領(lǐng)先的可靠性。在質(zhì)量控制過(guò)程中，我們不僅對(duì)器件本身進(jìn)行全面測(cè)試，而且對(duì)其在應(yīng)用環(huán)境中的性能進(jìn)行全面測(cè)試。這確保了CoolGaN開關(guān)滿足甚至優(yōu)于最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT可提供70 m?和190 m?的SMD封裝，確保杰出的散熱性能和低寄生效應(yīng)。通過(guò)提供全系列SMD封裝產(chǎn)品，英飛凌旨在支持高頻運(yùn)行的應(yīng)用，如企業(yè)級(jí)超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無(wú)線充電設(shè)施等。氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC（GaN EiceDRIVER IC）。

同步推出 GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)IC

英飛凌新推出的氮化鎵開關(guān)管 驅(qū)動(dòng)芯片 EiceDRIVERIC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強(qiáng)型HEMT的完美搭檔。它們經(jīng)專門研發(fā)，以確保CoolGaN開關(guān)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健且高效的運(yùn)行，同時(shí)最大限度地減少工程師研發(fā)工作量，加快將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

不同于傳統(tǒng)功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)IC，這個(gè)針對(duì)英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅(qū)動(dòng)IC可提供負(fù)輸出電壓，以快速關(guān)斷氮化鎵開關(guān)。在開關(guān)應(yīng)處于關(guān)閉狀態(tài)的整個(gè)持續(xù)時(shí)間內(nèi)，GaNEiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩(wěn)定保持為零。這可保護(hù)氮化鎵開關(guān)不受噪音導(dǎo)致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對(duì)于SMPS實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健運(yùn)行至關(guān)重要 。

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)IC可實(shí)現(xiàn)恒定的GaNHEMT開關(guān)轉(zhuǎn)換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開關(guān)速度影響 。這可確保運(yùn)行穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期 。它集成了電隔離 ，可在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健運(yùn)行，還可在SMPS一次側(cè)和二次側(cè)之間提供保護(hù)，并可根據(jù)需要在功率級(jí)與邏輯級(jí)之間提供保護(hù)。據(jù)了解， GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引腳LGA 5x5 mm封裝，1EDF5673F采用16引腳DSO 150 mil封裝，1EDS5663H采用16引腳DSO 300 mil封裝。供貨全新CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT現(xiàn)已開始供貨，硅基GaN EiceDRIVER IC可供預(yù)訂 。