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未來幾年GaN市場的營收預(yù)測

kus1_iawbs2016 ? 來源:lq ? 2018-12-11 14:45 ? 次閱讀

經(jīng)過了多年的探索和研究之后,氮化鎵(GaN)等寬禁帶材料終于進入了大爆發(fā)前的最后沖刺階段。面對這個十億美元級別的市場,國內(nèi)外廠商正在摩拳擦掌,紛紛推出新品,以求在這個市場與競爭對手一決高下。全球功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌也在近日宣布了他們在GaN方面的最新進展。

未來幾年GaN市場的營收預(yù)測

按照英飛凌大中華區(qū)副總裁電源管理及多元化市場事業(yè)部負責人潘大偉的說法,他們推出的GaN增強模式高電子遷移率晶體管( E-HEMT )產(chǎn)品系列CoolGaN?非常適合高壓下運行更高頻率的開關(guān),可以將整個系統(tǒng)的成本降低,可以做到更輕薄設(shè)計、功率密度擴展,使轉(zhuǎn)換效率大大地提高。而一貫以來在電源產(chǎn)品方面的積累是英飛凌在GaN市場繼續(xù)開拓的有力支柱。

英飛凌大中華區(qū)副總裁電源管理及多元化市場事業(yè)部負責人潘大偉

潘大偉表示,作為英飛凌四大業(yè)務(wù)之一的電源管理及多元化市場(簡稱PMM)是公司第二大的營收來源,這部分2017年的營收了公司當年總收入31%,僅次于汽車電子業(yè)務(wù)。具體下來,PMM的產(chǎn)品專注于三大領(lǐng)域,分別是射頻、電源和傳感器,其中電源產(chǎn)品的營收占比高達75%。這幫助他們的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)走上了全球領(lǐng)先的位置。

以分立式功率MOSFET為例,英飛凌2017年在占了市場整體份額的26.3%,遙遙領(lǐng)先于第二名。

英飛凌PMM業(yè)務(wù)的市場表現(xiàn)

在硅市場取得出色成績的英飛凌正在加快他們在寬禁帶半導(dǎo)體市場的步伐。從潘大偉的極少中我們得知,英飛凌是市場上唯一一家能提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司。

英飛凌是唯一一家掌握所有高壓電源技術(shù)的企業(yè)

作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的代表,氮化鎵擁有平面型的結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)硅材料的垂直型的結(jié)構(gòu)有木箱的不同;同時,硅的帶隙是1.1電子伏特,氮化鎵是3.4電子伏特,這就使得氮化鎵GaN能夠讓器件在更高的電壓、頻率和溫度下運行。這種材料的器件在上世紀60年代就被應(yīng)用于LED產(chǎn)品中。直到最近才被電源類產(chǎn)品市場慢慢開始接受。

英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場營銷經(jīng)理鄧巍

英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場營銷經(jīng)理鄧巍告訴記者:“氮化鎵主要定位成高功率、高電壓的一些應(yīng)用 ,比如從600V一直到3.3kv是氮化硅類比較合適應(yīng)用的一些應(yīng)用場景。氮化鎵定位中央的低壓產(chǎn)品,大概是100-600V左右。氮化鎵的產(chǎn)品還有一個特性是能夠在高頻下無損耗地進行開關(guān),比如說在特定地為氮化鎵所采用的高頻下的應(yīng)用。”

英飛凌對不同材料器件的定位

最近推出的-600V CoolGaN 技術(shù)和Eice DRIVER 驅(qū)動芯片則是英飛凌針對GaN市場推出的新產(chǎn)品。

英飛凌氮化鎵的優(yōu)勢

在問到英飛凌氮化鎵產(chǎn)品的優(yōu)勢時,鄧巍表示,這首先體現(xiàn)在其GaN制造商擁有完整的價值鏈。英飛凌擁有自主的研發(fā)能力,能夠覆蓋從前端到后端的自主研發(fā),能夠把整個氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈在自己的工廠里面完成。“我們有自己的IP、研發(fā)、生產(chǎn)基地,和深入的投入,我們的目標是短期和遠期的穩(wěn)定性,這是對于一個全新的產(chǎn)品非常重要”,潘大偉強調(diào)。

英飛凌CoolGaN制造的價值鏈

其次,深厚的技術(shù)積累。

一方面,英飛凌擁有獨一無二的常閉式概念解決方案,是獲得最長使用壽命的理想之選;

鄧巍告訴記者,P型氮化鎵電阻柵,柵極電壓超出正向電壓時空穴注入。作為第三代半導(dǎo)體器件,如果不在柵極做任何的電壓動作的話,它中間有一個二維電子器的層,中間會有電子在中間流動。作為一個常開型器件,很難被客戶所應(yīng)用和接受,因為大家無論是在硅,還是其他器件上,已經(jīng)熟悉了常關(guān)型的理念。所以,英飛凌非常了解這個狀況,并在技術(shù)細節(jié)和工藝上做了一些改動,在柵極加了P-,做出了一個市場比較容易理解的常關(guān)型器件。把P-引入之后,還能把表面的電子中和掉,這樣可以從技術(shù)的根本來解決棘手的動態(tài)RDS(ON)問題,這也是為什么英飛凌可以在工藝領(lǐng)域領(lǐng)先的原因。這個結(jié)構(gòu)只有英飛凌和松下可以用。鄧巍強調(diào)。

英飛凌獨有的常閉式概念解決方案

另一方面,采用貼片式(SMD)封裝發(fā)揮GaN的最大效率。據(jù)介紹,貼片式封裝的最大優(yōu)勢在于進深參數(shù)比較小,可以最大效率地發(fā)揮氮化鎵的功能。

“我們引入的都是SMD的封裝,區(qū)別在于熱性能不同,頂部散熱的話,它的熱性能更好,當然它的體積更大。英飛凌可以根據(jù)不同的客戶、不同的需求提供不同的產(chǎn)品給他們,有的客戶要求散熱性能更好,有的客戶要求體積更小,我們分別提供不同封裝的產(chǎn)品。”鄧巍告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察的記者。

其次,英飛凌有豐富的解決方案。

現(xiàn)在市場上GaN方案主要分成三種方式,分別是:分立式+外部驅(qū)動器;多片集成,開關(guān)和驅(qū)動雖然是不同的襯底,但是封裝在同一個殼子里;單片集成,氮化鎵的開關(guān)、驅(qū)動、其他器件作為同襯底的一個解決方案。

“現(xiàn)在市場上有不同的一些公司在著重不同的解決方案。關(guān)于成熟度來說,分立式器件是現(xiàn)在目前最成熟的一種解決方案。但是漸漸地,氮化鎵可以在多片集成和單片集成中也體現(xiàn)出優(yōu)勢。而英飛凌的著重點是所有領(lǐng)域,因為英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域有一個很大的企圖心,希望在所有領(lǐng)域都有所成長和貢獻。”鄧巍補充說。

英飛凌提供的完整的GaN解決方案

這也是英飛凌在推出GaN器件的同時推出Eice DRIVER 驅(qū)動芯片的原因。在鄧巍看來,并不是所有的客戶都有很好的研發(fā)能力來驅(qū)動氮化鎵的產(chǎn)品,驅(qū)動不好就代表它的優(yōu)勢不能最大化。因此英飛凌自主研發(fā)了氮化鎵的三款不同的驅(qū)動器,提供最佳穩(wěn)健性。聯(lián)合氮化鎵的開關(guān)共同使用,能提供最好的效率和最小的研發(fā)投入。

在問到如定位硅、碳化硅和氮化鎵的市場的時候。鄧巍告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察的記者:“目前,硅是主流,氮化鎵和碳化硅是作為一種補充的方案, 在硅達不到的性能和指標的情況下,氮化鎵和碳化硅開始發(fā)揮作用”,“這個材料有一個很大的特點,那就是高效能、高頻率,在那些硅不能滿足需求的應(yīng)用,氮化鎵可以去覆蓋。未來硅和GaN的市場會同時發(fā)展”,潘大偉補充說。

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原文標題:關(guān)于氮化鎵器件的未來,英飛凌是這樣看的

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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