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為了彌補(bǔ)DRAM內(nèi)存降價(jià)導(dǎo)致的損失,三星明年將加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)

電子工程師 ? 來(lái)源:lq ? 2018-12-17 16:59 ? 次閱讀

持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價(jià)今年10月份就結(jié)束了,遭受漲價(jià)之苦的下游廠商及消費(fèi)者總算可以舒口氣了,花旗集團(tuán)日前給出的預(yù)測(cè)是明年DRAM內(nèi)存至少會(huì)降價(jià)30%。

對(duì)于DRAM廠商來(lái)說(shuō),內(nèi)存降價(jià)是他們極不愿意看到的,特別是第一大內(nèi)存供應(yīng)商三星,DRAM芯片占了三星公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收的85%。為了彌補(bǔ)DRAM內(nèi)存降價(jià)導(dǎo)致的損失,三星明年將加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù),雖然在7nm節(jié)點(diǎn)上落后了臺(tái)積電,但三星表態(tài)他們的3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗(yàn)證,將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

在全球晶圓代工市場(chǎng)上,臺(tái)積電一家獨(dú)大,占據(jù)全球晶圓代工市場(chǎng)大約60%的份額,不僅營(yíng)收遠(yuǎn)超其他廠商,而且在7nm工藝節(jié)點(diǎn)幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單,今年流片了50多個(gè)7nm芯片,明年還有100多個(gè)7nm及7nm+工藝訂單。

在晶圓代工方面,三星之前也是有過(guò)光輝歷史的,在32nm、14nm及10nm節(jié)點(diǎn)率先量產(chǎn),不過(guò)7nm節(jié)點(diǎn)上三星進(jìn)度落后于臺(tái)積電,自家的Exynos 9820處理器也沒(méi)有趕上7nm EUV工藝,還是用的10nm工藝改進(jìn)的8nm LPP工藝,數(shù)字上聽(tīng)起來(lái)跟7nm工藝差不多,但實(shí)際上并不是麒麟980、蘋果A12及驍龍855同代水平的。

在DRAM內(nèi)存芯片降價(jià)的大環(huán)境下,三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的重點(diǎn)也會(huì)傾向于晶圓代工,去年三星晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收46億美元,三星的目標(biāo)是營(yíng)收增加一倍到100億美元以上,不過(guò)要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),三星除了斥資56億美元興建新的晶圓廠之外,還要在技術(shù)上加把勁,趕超臺(tái)積電。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Eun Seung Jung本周一在IEDM會(huì)議上表示三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術(shù)的性能驗(yàn)證,并且在進(jìn)一步完善該工藝,目標(biāo)是在2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

在3nm節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電也準(zhǔn)備投資6000億新臺(tái)幣,也就是200億美元左右,不過(guò)臺(tái)積電的計(jì)劃是2020年建廠,2021年完成設(shè)備安裝,2022年才能量產(chǎn)。如今三星的雄心是在2020年量產(chǎn),這個(gè)進(jìn)度要快得多了。

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原文標(biāo)題:三星明年加強(qiáng)晶圓代工,將于2020推3nm工藝

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