近日,在首屆全球IC企業(yè)家大會(huì)暨第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽在上海召開。在RISC-V創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)者論壇上,記者獲悉,中天弘宇公司4F2NOR Flash新一代閃存亮相,這款被命名為“中國(guó)閃存”的技術(shù),突破了多年來困擾半導(dǎo)體NOR閃存領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,引起人們廣泛關(guān)注。
“我們經(jīng)過了十幾年的研發(fā)積累,完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新。”中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司執(zhí)行董事長(zhǎng)趙涇生告訴記者。
中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司執(zhí)行董事長(zhǎng)趙涇生發(fā)表演講
十余年創(chuàng)新之路 顛覆傳統(tǒng)技術(shù)
中天弘宇研究人員向記者介紹,閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn),NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。
中天弘宇研究人員回憶到,2010年,因一位研究人員偶然接錯(cuò)了電路,研發(fā)團(tuán)隊(duì)便陰差陽(yáng)錯(cuò)地開啟了對(duì)NOR的創(chuàng)新之路。經(jīng)過近十年研發(fā),中天弘宇突破了多年來困擾半導(dǎo)體NOR閃存科技領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸,最終完成4F2NOR Flash閃存技術(shù)的研發(fā),成為一家全面完整擁有4F2NOR Flash閃存核心技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)。
“通過我們的架構(gòu)設(shè)計(jì)完全可以讓NOR閃存進(jìn)入到65nm甚至28nm以下的工藝。” 中天弘宇研究人員告訴記者,相比于更適合大容量應(yīng)用的NAND閃存,NOR閃存的讀取速度要快得多,非常適合芯片內(nèi)的存儲(chǔ)應(yīng)用,但限于工藝制程,NOR閃存的應(yīng)用市場(chǎng)比起千億級(jí)的NAND閃存要小得多,很多芯片內(nèi)還在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技術(shù)突破將讓NOR閃存變得更具競(jìng)爭(zhēng)力,通過取代DRAM+NAND的方式可以為芯片帶來更高讀取速度和更低的內(nèi)存讀取功耗,而后者現(xiàn)在已經(jīng)成為芯片整體功耗中非常關(guān)鍵的一環(huán)。
對(duì)于這項(xiàng)創(chuàng)新,NOR Flash發(fā)明人、英特爾前副總裁Dr. Stefan Lai認(rèn)為,這是對(duì)他的NOR Flash的革命性創(chuàng)新。
趙涇生執(zhí)行董事長(zhǎng)代表中天弘宇給Dr. Stefan Lai 頒發(fā)首席技術(shù)顧問聘書
上世紀(jì)八十年代,Dr. Stefan Lai發(fā)明了NOR,隨后被產(chǎn)業(yè)化,但由于當(dāng)時(shí)NOR無法繼續(xù)縮小,發(fā)展陷入停滯。“我從來沒有想過會(huì)有新的東西出現(xiàn),這是對(duì)NOR Flash的顛覆性的發(fā)現(xiàn),解決了很多問題。意義十分重大。”Dr. Stefan Lai告訴記者,“新一代NOR技術(shù)的出現(xiàn),讓我看到新的希望。”
中國(guó)智造 提升我國(guó)芯片自主化水平
如今,這家總部位于上海、專注于集成電路存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的企業(yè)已擁有了43項(xiàng)國(guó)際專利,尚有20多項(xiàng)專利在申請(qǐng)中,構(gòu)成較完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。
這項(xiàng)突破性的技術(shù)創(chuàng)新將會(huì)帶來哪些產(chǎn)品的創(chuàng)新?趙涇生告訴記者,目前,中天弘宇已完成1MB NOR的硅驗(yàn)證,并成功流片,2017年開始運(yùn)用在中天弘宇首顆MCU(微控制單元)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)上,使芯片可在低至1V的電壓下工作,低壓、低功耗的特性使這款MUC在物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域大有可為。
“中國(guó)閃存”憑借著強(qiáng)大的性能和價(jià)格優(yōu)勢(shì),擁有廣闊的市場(chǎng)前景,不但可對(duì)現(xiàn)有使用傳統(tǒng)NOR閃存的產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)換代,還可以進(jìn)入中低端功能手機(jī)、智能電視、機(jī)頂盒、國(guó)產(chǎn)平板等消費(fèi)類智能等電子產(chǎn)品及汽車市場(chǎng)中。隨著進(jìn)一步研發(fā)及工藝的優(yōu)化,新一代NOR閃存將觸及NAND閃存的海量存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),并將拓展至人工智能領(lǐng)域。
“希望和上下游合作伙伴一起進(jìn)行制造和工藝攻關(guān),邁出中國(guó)閃存更大的一步,提升我國(guó)芯片自主化水平。”趙涇生告訴記者。
談及未來,趙涇生表示,中天弘宇的三大目標(biāo),第一是讓中國(guó)自主研制的存儲(chǔ)芯片從無到有,第二是讓存儲(chǔ)芯片擁有完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán),第三是進(jìn)一步完成NOR閃存向1X進(jìn)軍,向3D NOR發(fā)展,與產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商實(shí)現(xiàn)合作共贏。
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原文標(biāo)題:人民網(wǎng):突破半導(dǎo)體NOR閃存領(lǐng)域技術(shù)瓶頸 “中國(guó)閃存”首秀
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