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中天弘宇4F2NOR Flash新一代閃存亮相國際半導體博覽會

xPRC_icunion ? 來源:cg ? 2018-12-21 10:17 ? 次閱讀

近日,在首屆全球IC企業家大會暨第十六屆中國國際半導體博覽在上海召開。在RISC-V創新應用開發者論壇上,記者獲悉,中天弘宇公司4F2NOR Flash新一代閃存亮相,這款被命名為“中國閃存”的技術,突破了多年來困擾半導體NOR閃存領域的技術瓶頸,填補了國內空白,引起人們廣泛關注。

“我們經過了十幾年的研發積累,完成了對原有NOR閃存架構的大膽創新。”中天弘宇集成電路有限責任公司執行董事長趙涇生告訴記者。

中天弘宇集成電路有限責任公司執行董事長趙涇生發表演講

十余年創新之路 顛覆傳統技術

中天弘宇研究人員向記者介紹,閃存是當今數據存儲的重要介質之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發展,相比于NAND技術的快速演進,NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關鍵。

中天弘宇研究人員回憶到,2010年,因一位研究人員偶然接錯了電路,研發團隊便陰差陽錯地開啟了對NOR的創新之路。經過近十年研發,中天弘宇突破了多年來困擾半導體NOR閃存科技領域的技術瓶頸,最終完成4F2NOR Flash閃存技術的研發,成為一家全面完整擁有4F2NOR Flash閃存核心技術和知識產權的企業。

“通過我們的架構設計完全可以讓NOR閃存進入到65nm甚至28nm以下的工藝。” 中天弘宇研究人員告訴記者,相比于更適合大容量應用的NAND閃存,NOR閃存的讀取速度要快得多,非常適合芯片內的存儲應用,但限于工藝制程,NOR閃存的應用市場比起千億級的NAND閃存要小得多,很多芯片內還在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技術突破將讓NOR閃存變得更具競爭力,通過取代DRAM+NAND的方式可以為芯片帶來更高讀取速度和更低的內存讀取功耗,而后者現在已經成為芯片整體功耗中非常關鍵的一環。

對于這項創新,NOR Flash發明人、英特爾前副總裁Dr. Stefan Lai認為,這是對他的NOR Flash的革命性創新。

趙涇生執行董事長代表中天弘宇給Dr. Stefan Lai 頒發首席技術顧問聘書

上世紀八十年代,Dr. Stefan Lai發明了NOR,隨后被產業化,但由于當時NOR無法繼續縮小,發展陷入停滯。“我從來沒有想過會有新的東西出現,這是對NOR Flash的顛覆性的發現,解決了很多問題。意義十分重大。”Dr. Stefan Lai告訴記者,“新一代NOR技術的出現,讓我看到新的希望。”

中國智造 提升我國芯片自主化水平

如今,這家總部位于上海、專注于集成電路存儲芯片領域的企業已擁有了43項國際專利,尚有20多項專利在申請中,構成較完整的知識產權體系。

這項突破性的技術創新將會帶來哪些產品的創新?趙涇生告訴記者,目前,中天弘宇已完成1MB NOR的硅驗證,并成功流片,2017年開始運用在中天弘宇首顆MCU(微控制單元)產品的設計上,使芯片可在低至1V的電壓下工作,低壓、低功耗的特性使這款MUC在物聯網等應用領域大有可為。

“中國閃存”憑借著強大的性能和價格優勢,擁有廣闊的市場前景,不但可對現有使用傳統NOR閃存的產品進行升級換代,還可以進入中低端功能手機智能電視、機頂盒、國產平板等消費類智能等電子產品及汽車市場中。隨著進一步研發及工藝的優化,新一代NOR閃存將觸及NAND閃存的海量存儲芯片市場,并將拓展至人工智能領域。

“希望和上下游合作伙伴一起進行制造和工藝攻關,邁出中國閃存更大的一步,提升我國芯片自主化水平。”趙涇生告訴記者。

談及未來,趙涇生表示,中天弘宇的三大目標,第一是讓中國自主研制的存儲芯片從無到有,第二是讓存儲芯片擁有完整的知識產權,第三是進一步完成NOR閃存向1X進軍,向3D NOR發展,與產業鏈上下游廠商實現合作共贏。

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原文標題:人民網:突破半導體NOR閃存領域技術瓶頸 “中國閃存”首秀

文章出處:【微信號:icunion,微信公眾號:半導體行業聯盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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