三星電子宣布推出970EVOPlus系列固態硬盤 9x層堆疊性能達到全新高度
三星電子今天宣布推出970 EVO Plus系列固態硬盤，在此前970 EVO的基礎上再進一步，升級閃存，性能也達到了全新的高度。
970 EVO Plus仍然是M.2 2280規格，支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3，三星自家Phoenix主控，閃存芯片從64層堆疊V-NAND TLC升級為9x層堆疊V-NAND TLC（具體多少層沒有公布按說應該是96層）。
總容量還是250GB、500GB、1TB、2TB四種可選，分別搭配51MB、512MB、1GB、2GB LPDDR4緩存，而寫入壽命依然是150TB、300TB、600TB、1200TB，五年質保，相當于允許每三天一次全盤寫入。
性能方面，最高持續讀取速度保持不變3.5GB/s，最高持續寫入從2.5GB/s大幅提升了32％而來到3.3GB/s，同時最高隨機讀寫從50萬、48萬IOPS提高到62萬、56萬IOPS，250GB的隨機寫入速度更是暴漲57％，但未給出具體指標。
三星表示，新盤的功耗也降低了，能效更高，但也未透露具體指標。
Class 0（AES-256）、TCG/Opal v2.0、MS eDrive（IEEE1667）等安全技術延續不變。
970 EVO Plus 250GB/500GB/1TB立即上市，2TB四月份跟進。價格方面暫時只公布了256GB 89.99美元。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15859瀏覽量
180986 -
固態硬盤
+關注
關注
12文章
1460瀏覽量
57336
發布評論請先 登錄
相關推薦
鎧俠推出EXCERIA PLUS G4固態硬盤系列
全球領先的存儲解決方案供應商鎧俠，近日宣布即將在中國市場推出全新的EXCERIA PLUS G4固態硬盤
三星推出990 EVO Plus固態硬盤，支持PCIe 4.0性能出色
容量高達4TB，提供增強的性能和能效。性能卓越，隨機讀寫速度分別最高可達 1,050K IOPS 和 1,400K IOPS。 韓國——2024年9月25日 —三星
三星電子發布最新固態硬盤產品990 EVO Plus
9月26日，三星電子震撼發布了其旗艦級固態硬盤新品——990 EVO Plus，該產品標志著存儲技術的新里程碑。融合了
三星發布旗下首款超大容量固態硬盤BM1743
，將固態硬盤的容量上限提升至了一個全新的高度。BM1743的發布，不僅標志著三星在存儲技術領域的又一次重大突破，也預示著數據存儲行業即將迎來
群聯電子發布企業級SSD品牌PASCARI及X200系列固態硬盤
群聯電子昨日重磅發布其全新企業級固態硬盤品牌PASCARI，并同步推出了PCIe Gen5x4規
三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品，采用290層雙重堆疊技術
作為九代V-NAND的核心技術，雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層，主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解，三星計劃于明年
三星九代V-NAND閃存或月底量產，堆疊層數將達290層
據韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術會議上展示了280層堆疊的QL
思瑞浦正式宣布推出全新高壓Buck—TPP0003X系列產品
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導體供應商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）正式宣布，推出全新高壓Buck—TPP0003X
三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。
三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是
三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術
三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
三星推出990 EVO固態硬盤：提升日常游戲、商業和創意工作效率
新的NVMe固態硬盤帶來了性能提升、功率效率和接口靈活性 2024年1月24日——三星電子宣布
工商網監
評論