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想做車用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)!

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:工程師曾暄茗 ? 2019-01-12 08:47 ? 次閱讀

在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援,實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個(gè)專案合作成員將在技術(shù)研究、制程、封裝測(cè)試和應(yīng)用展開(kāi)為期36個(gè)月的研發(fā)合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關(guān)內(nèi)容,并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。

WInSiC4AP聯(lián)盟由來(lái)自4個(gè)歐盟國(guó)家(意大利、法國(guó)、德國(guó)和捷克共和國(guó))的20個(gè)合作伙伴組成,包括大型企業(yè)、中小型企業(yè)、大學(xué)院校和政府科研機(jī)構(gòu)。在這種背景下,企業(yè)(汽車制造、航空電子設(shè)備、鐵路和國(guó)防)和垂直產(chǎn)業(yè)鏈(半導(dǎo)體供應(yīng)商,電感器電容器廠商)以及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和研究實(shí)驗(yàn)室將合作設(shè)計(jì)解決方案,解決技術(shù)難題,分享專有知識(shí),同時(shí)也可能出現(xiàn)無(wú)法預(yù)料的結(jié)果。WInSiC4AP的核心目標(biāo)是為高效能、高成本效益的目標(biāo)開(kāi)發(fā)可靠的技術(shù)模組,以解決社會(huì)問(wèn)題,同時(shí)克服歐洲在其已處于世界領(lǐng)先水平之細(xì)分市場(chǎng)以及汽車、航空電子、鐵路和國(guó)防領(lǐng)域所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

WInSiC4AP藉由產(chǎn)業(yè)垂直整合的優(yōu)勢(shì),依照應(yīng)用需求優(yōu)化技術(shù),發(fā)展出完整的生態(tài)系統(tǒng),并將相關(guān)問(wèn)題作為可靠性問(wèn)題給予全面分析。在當(dāng)今美日等國(guó)家正在研發(fā)碳化矽技術(shù),新企業(yè)搶占市場(chǎng)的背景下,該專案將提升歐盟工業(yè)、一級(jí)和二級(jí)供應(yīng)商以及產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。專案組將針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和架構(gòu),在實(shí)驗(yàn)室層面模擬操作環(huán)境,推進(jìn)目前急需的還是空白的技術(shù)、元件和展示產(chǎn)品的研發(fā)工作,以縮小現(xiàn)有技術(shù)水平與技術(shù)規(guī)范的極高要求之間的差距。

在開(kāi)始討論技術(shù)和開(kāi)發(fā)目標(biāo)前,圖1為電動(dòng)汽車概念的簡(jiǎn)單示意圖。在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引馬達(dá)所采用的電子元件是本專案的研究方向。

圖1 : 電動(dòng)汽車工作原理示意圖

圖2是眾人所熟悉之矽和寬帶隙材料(SiC,GaN)的比較圖。在開(kāi)關(guān)頻率還不是重點(diǎn)的汽車應(yīng)用中,卓越的驅(qū)動(dòng)性能和寬廣的工作溫度范圍,讓SiC成為電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)者的首選功率元件。

想做車用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)!

圖2 : Si、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較(source:YoleDeveloppement)

WINSIC4AP 的主要目標(biāo)

主要目標(biāo)

WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標(biāo)應(yīng)用開(kāi)發(fā)可靠的技術(shù)模組,以解決社會(huì)問(wèn)題,并克服歐洲在其已處于世界領(lǐng)先水平的細(xì)分市場(chǎng)以及汽車、航空電子、鐵路和國(guó)防領(lǐng)域所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

展示品

所有技術(shù)開(kāi)發(fā)和目標(biāo)應(yīng)用的講解和展示,都是使用含有本專案開(kāi)發(fā)出來(lái)的SiC技術(shù)模組和封裝原型展示品:

汽車與鐵路

1.PHEV(插電式混動(dòng)汽車)或BEV(純電動(dòng)汽車)車載充電器

2.HEV(混動(dòng)汽車)、BEV和FC(燃料電池汽車)隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器

3. 鐵路機(jī)車智能功率開(kāi)關(guān)(IPS-RA)

4. 航空級(jí)智能功率開(kāi)關(guān)(IPS-AA)

納/ 微電網(wǎng)與航空電子

5.用于奈米/微電網(wǎng)V2G/V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器

6.航空電子逆變器。

航空電子

7. LiPo介面

8.引擎控制器- 逆變器

該專案執(zhí)行分為三個(gè)主要階段:規(guī)范和用例定義,技術(shù)開(kāi)發(fā),原型展示研發(fā)。

WINSIC4AP項(xiàng)目中的SIC技術(shù)

制造SiC元件需要使用專用生產(chǎn)線,系因半導(dǎo)體的物理特性(摻雜劑的極低擴(kuò)散性和晶格的復(fù)雜性),以及市場(chǎng)現(xiàn)有芯片的直徑尺寸較小(150mm),尤其是離子注入或摻雜劑激活等制程與半導(dǎo)體元件制程使用的常規(guī)層不相容。因此,這些特異性需要特殊的集成方案。

使用這些方法將可以實(shí)現(xiàn)截止電壓高于1200V和1700V的兩種SiC功率MOSFET電流強(qiáng)度為45A,輸出電阻小于100微歐姆。

這些元件將采用HiP247新型封裝,該封裝是專為SiC功率元件而設(shè)計(jì),以提升其散熱性能。SiC的導(dǎo)熱率是矽的三倍。以意法半導(dǎo)體研發(fā)的SiC MOSFET為例,即使在攝氏200度以上時(shí),SiC MOSFET也能保持高效能之特性。

WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開(kāi)發(fā)主要在2018年進(jìn)行。圖3、圖4、圖5分別提供元件的輸出特性、閾值電壓和擊穿電壓等預(yù)測(cè)性能。

想做車用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)!

圖3 : SiC SCT30N120中MOSFET在攝氏25度和攝氏200度時(shí)的電流輸出特性。

在整個(gè)溫度范圍內(nèi),輸出電阻遠(yuǎn)低于100 mOhm; 當(dāng)溫度從攝氏25度上升到攝氏200度時(shí),閾值電壓值(Vth)降低了600mV,擊穿電壓(BV)上升了約50V,不難看出,SiC MOSFET性能明顯高于矽MOSFET。

想做車用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)!

圖4 : SiC SCT30N120中的MOSFET在攝氏25和200度時(shí)的閾值電壓

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圖5 : SiC SCT30N120中MOSFET在攝氏25和200度時(shí)的擊穿電壓特性

從其它表征數(shù)據(jù)可以看出,隨著溫度從攝氏25度上升至攝氏200度,開(kāi)關(guān)耗散能量和內(nèi)部體漏二極體的恢復(fù)時(shí)間保持不變。

本專案所研發(fā)的新元件將帶來(lái)類似的或更好的性能。Rdson降低是正在開(kāi)發(fā)的SiC MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)。最低的Rdson值將幫助最終使用者完成原型展示品。

功率模組

WInSiC4AP專案設(shè)想透過(guò)技術(shù)創(chuàng)新開(kāi)發(fā)先進(jìn)的封裝技術(shù),發(fā)揮新型SiC元件能夠在高溫[3,4]下輸出大電流的性能優(yōu)勢(shì)。

關(guān)于封裝技術(shù),WInSiC4AP將一方面想在完整封裝方案的高溫穩(wěn)健性方面取得突破,另一方面想要控制封裝溫度變化,最終目標(biāo)是創(chuàng)造新的可靠性記錄:

可靠性是現(xiàn)有技術(shù)水平5倍多; 高溫性能同樣大幅提升

能夠在攝氏200度或更高溫度環(huán)境中工作。

專案將針對(duì)整合式SiC元件的特性優(yōu)化封裝方法,采用特別是模塑或三維立體封裝技術(shù),開(kāi)發(fā)新一代功率模組,如圖6所示。

圖6 : 新一代功率模組(here 3D)

考量到SiC是一種相對(duì)較新的材料,SiC元件的工作溫度和輸出功率高于矽,有必要在專案內(nèi)開(kāi)發(fā)介于芯片和封裝(前工序和后工序)之間的新方法和優(yōu)化功率模組。

事實(shí)上,為滿足本專案開(kāi)發(fā)之目標(biāo)應(yīng)用的功率需求,需要在一個(gè)功率模組內(nèi)安裝多個(gè)SiC元件(> 20個(gè))。功率模組需要經(jīng)過(guò)專門(mén)設(shè)計(jì),確保元件并聯(lián)良好,以最大限度地減少導(dǎo)通損耗和寄生電感,開(kāi)關(guān)頻率良好(最小20kHz)。

圖7所示是本專案使用的一個(gè)模組。

圖7 : STA5汽車功率模組(最大功率100kW)

結(jié)論

得益于SiC材料的固有特性,新一代功率器件提高了應(yīng)用能效,同時(shí)也提高了工作溫度。

從項(xiàng)目的角度看,熱動(dòng)力汽車向混動(dòng)汽車和最終的電動(dòng)汽車發(fā)展,需要使用高效的先進(jìn)的電子產(chǎn)品,我們預(yù)計(jì)碳化矽技術(shù)在新車中的應(yīng)用將會(huì)對(duì)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生積極的影響。

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