廉價的雙倍數據速率（DDR）內存（以及DDR2和DDR3等后來的版本）為臺式機和筆記本電腦的工作內存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲器提供時鐘，存儲器吞吐量加倍，而功耗僅略微增加。但是，為了充分利用這種吞吐量并避免這種高頻方案的常見問題，例如，無意中觸發邏輯器件的振鈴和反射，總線終端電路需要自己的電源。為了有效地工作，該電源必須提供主存儲器芯片組電源的輸入電壓的一半，同時能夠提供源電流和吸收電流。

本文介紹DDR存儲器電源的獨特需求，然后檢查主要供應商的一些專用電源控制器，以減輕設計工程師的挑戰。

DDR的特殊要求

圖1說明了一種用于計算機時鐘分配網絡的流行終端方案，旨在防止可能無意中觸發連接到總線的邏輯設備的虛假振鈴和反射。這種拓撲結構的另一個優點是，與簡單地通過直接接地的電阻器終止線路相比，它將時鐘網絡中消耗的功率減半（當總線高一半時，而其他時間則低）。權衡要求額外的電源產生VDD/2。

圖1：在公共總線終端電阻線上增加第二個電源，使電阻上的平均功耗減半（德州儀器公司提供）。

終端電阻連接到第二電源電壓（VTT），該電壓等于主電源電壓（VDD）的一半。連接第二個電壓的結果是，無論電源電壓如何，終端電阻的功耗都是恒定的，并且等于VTT（或VDD/2）平方除以終端電阻（來自P =V2/R）。但是，對二次電源的要求是不尋常的。除電源電壓（VTT）為主電源電壓（VDD）的一半外，器件還需要提供源電流和吸收電流（圖2）。當VDD為低電平時，電流從VTT電源流入驅動器。但是，當VDD為高電平時，電流從驅動器流向VTT電源。同樣重要的是，VTT電源在狀態之間平滑切換，以避免增加功耗的低效率。

圖2：DDR存儲器VTT電源的工作模式。在左側，器件以降壓模式工作，并在右側提供電流，作為升壓電源和吸收電流（德州儀器公司提供）。

同步開關DC/DC穩壓器通常用于VTT電源，因為它比線性低壓差穩壓器（LDO）更有效（盡管一些設計人員更青睞LDO，因為它更容易融入到LDO中。電源設計）。然而，在這兩種不同的工作模式下保持高效率（低功耗）和良好的瞬態響應是一項挑戰。

在同步開關降壓穩壓器中，精確控制從高端MOSFET導通點到低端器件導通點的過渡。可以幾乎沒有損失地進行高側到低側的轉換。實際上，首先關閉高側開關，這允許外部儲能電感器將相電壓擺動到零。通過使用比較器來感測相電壓，然后在沒有電壓的情況下打開底部開關，可以實現兩個器件的零電壓切換。相反，從低端到高端的轉換是“硬切換”，并且由于相電壓必須在正時切換，導致一些交叉傳導和電容損耗，因此會產生一些低效率。1

但是，在升壓模式下反之亦然：零電壓切換發生在低端到高端轉換期間，硬切換發生在電感拉低時。電源設計人員已經提出了一些巧妙的技巧來克服在電源長時間以降壓或升壓配置工作時很難工作的硬切換低效率，并且很少（如果有的話）在兩種模式之間切換。

DDR存儲器電路中次級穩壓器的降壓和升壓操作（源極和吸收電流）之間的持續快速翻轉，同時器件保持恒定輸出電壓為主電源（VDD）的一半，與輸入電壓無關，如果要保持高效率，則輸出電流需要與用于傳統電源的控制方案相比的不同類型的控制方案。

用于DDR電源的控制模塊

幸運的是，DDR電源設計人員不必擔心提出控制機制，因為幾家主要半導體供應商已將注意力轉移到任務上，并已實現商業化的控制器DDR內存電源的獨特需求。

飛兆半導體提供用于存儲器應用的FAN5026雙DDR/雙輸出開關控制器。該器件設計用作雙脈沖寬度調制（PWM）控制器，驅動兩個同步開關穩壓器。

在DDR模式下，一個通道跟蹤另一個通道的輸出電壓，并提供必要的輸出電流吸收和源功能。該器件提供兩個主電源（VDD）輸出和一個跟蹤VDD/2的二次電源（VTT）。該芯片可在3至16 V的輸入范圍內工作，該公司表示該器件可在0.9至5.5 V范圍內調節兩個輸出電壓，提供高效率和穩壓。同步整流和遲滯工作可在輕負載條件下保持效率。

該模塊面向服務器和臺式機DDR內存電源或顯卡電源要求等應用。圖3顯示了FAN5026的應用電路。

圖3：Fairchild FAN5026 DDR電源控制器的應用電路。

德州儀器還提供DDR和DDR2控制器模塊TPS51020。該芯片可在4.5至28 V輸入電壓下工作，專為高性能，高效率應用而設計，其中與電流檢測電阻相關的損耗是不可接受的。例子包括鋰離子電池供電的便攜式計算機。通過在PWM串中啟用自動跳過操作，可以保持輕載條件下的高效率（圖4）。

圖4：TI的TPS51020專為便攜式計算機而設計。該公司稱該器件為雙開關穩壓器DDR電源提供單芯片解決方案。在DDR模式下，TPS51020提供DDR應用所需的所有功能，包括VTT的VDD/2跟蹤，電流源和吸收能力以及VTT參考輸出。

凌力爾特公司將LTC3876作為完整的DDR電源解決方案提供。該器件兼容DDR，DDR2，DDR3和未來DDRX低電壓標準，集成了VDD和VTT控制器以及精密線性VTT參考。該公司表示，差分輸出檢測放大器和精密內部基準電壓相結合，可提供精確的VDD電源。

VTT控制器跟蹤精度VTT參考值，總直流誤差小于20 mV。在跟蹤VDD/2時，參考電壓保持1.2％的調節精度。 LTC3876的輸入范圍為4.5至38 V，VDD范圍為1.0至2.5 V，相應的VTT輸出范圍為0.5至1.25 V.

DDR內存及其后續版本使現代計算機能夠在高速而不會顯著增加功耗。但是，如果要在DDR運行的高頻率下避免雜散信號，則需要仔細設計芯片組并終止公共總線。幸運的是，通過選擇市場上的一種商用DDR電源模塊，工程師可以在電源設計方面取得重大進展。這些器件集成了為存儲器芯片組供電所需的所有功能，并為精確跟蹤主電源的終端跟蹤提供恒定的減半電壓。