低功耗微控制器是一種按需產品，由雙設計需求驅動：（1）節(jié)省能源以降低設備的運營成本; （2）滿足手持式電池供電設備的嚴格能源預算。大多數(shù)MCU芯片供應商都提供低功耗產品，這些制造商總是吹噓自己的MCU如何擁有最低功耗。

本文旨在幫助您查看細節(jié)，不僅僅是比較數(shù)據(jù)表第一頁上的要點。它將幫助您熟悉MCU選擇的架構，并檢查為Microchip Technology，Renesas，Texas Instruments和Freescale提供的典型低功耗MCU收集的規(guī)范，所有這些都旨在幫助您為您的應用選擇合適的嵌入式MCU 。

在此過程中，我們將指出以下因素：

掉電模式

時鐘系統(tǒng)

事件驅動功能

片上外設

漏電流

許多電源管理選項

首先考慮Microchip PIC24FJ128GA310（圖1）。這款16位處理器是工程師的最愛，因為它采用了Microchip的nanoWatt XLP技術，具有60 x 8 LCD控制器，并采用64/80/100引腳封裝。該器件還具有五個外部中斷，一個六通道DMA，一個可編程32位CRC發(fā)生器和七個比較/PWM模塊。

圖1：Microchip PIC24FJ128GA310系列MCU的框圖。

該芯片的數(shù)據(jù)表提供多種電源管理選項，用于“極端”功耗降低（因此XLP標簽），轉換為備用電池的規(guī)定，以及運行RT日歷/時鐘（RTCC）的低功耗。它具有深度睡眠模式，允許接近完全斷電，能夠在外部觸發(fā)器上喚醒，以及睡眠和空閑模式，可以選擇性地關閉外圍設備和/或核心。

在深度睡眠中，主調節(jié)器關閉，低功率調節(jié)器打開，所有電源都從芯片的核心移除。核心和外圍設備是無功能的。只有RTCC和兩個寄存器可用。在這種模式下，芯片在2.0 V電源下僅需10 nA，在3.3 V電源下僅需40 nA - 如果將其打開，則RTCC的電流為400 nA。您也可以離開WDT，通常需要270 nA。

現(xiàn)在，看起來更深一點，在85°C時，深度睡眠數(shù)量在2.0 V時大幅上升至1.1μA，在3.3 V時則達到1.4μA，RTCC再次增加400 nA - 在整個溫度范圍內保持恒定。喚醒時間僅為200μs。

PIC24還具有低壓休眠模式，其中主穩(wěn)壓器關閉，并打開一個特殊的低功耗穩(wěn)壓器。整個芯片都通電，但LCD，RTCC和定時器等外設都關閉，如果啟用則會增加功率。在2 V時，指定為330 nA，但要小心，因為在85°C時這最高可達7.7μA。還應注意，這些都是典型值，而不是最大值。從該模式喚醒僅需90μs。

運行頻率為32 MHz，最高可達16 MIPS，芯片通常在2 V時需要4.8 mA電流。由于IC具有為內核供電的穩(wěn)壓器，因此VDD或溫度的電流變化非常小。此測量的設置是從閃存執(zhí)行的代碼，沒有啟用外設，也沒有I/O驅動，時鐘來自外部源。運行A/D在25°C時增加750μA，RT時鐘在所有溫度下增加400 nA。

許多安全功能

16位瑞薩RL78/G14（R5F1006EASP）MCU（圖2）在32 MHz時提供高達44 DMIPS的性能，85％的指令在一個時鐘周期內執(zhí)行。該控制器具有64 KB的閃存（最高可達500 K），具有高達64 MHz運行的精密16位電機定時器和五種工作模式，包括一個六通道互補PWM。它具有許多安全功能，包括CRC，非法內存訪問檢測和IEC/UL 60730支持。它工作電壓為1.6至5 V，具有10通道10位A/D.。

圖2：16位瑞薩RL78/G14。

在停止模式下，RL78/G13在32 MHz時為0.54 mA，最高為5.5 V.僅RTC為0.46μA。在停止模式下，此數(shù)字僅降至0.23μA（全部停止，RAM保留），僅欠壓檢測僅為0.08μA。

停止模式電流只是泄漏（沒有時鐘開啟），并且在較高溫度下會顯著上升。 MCU中的所有內部（門，寄存器，RAM）的泄漏通常為0.9μA，但在85°C時最大值為3.3μA。

有源電流在32 MHz時為66μA/MHz，據(jù)稱是目前市場上最低的。這僅適用于運行NOP，因此在32 MHz時需要2.1 mA。但是，根據(jù)指令組合，電流可以高達144μA/MHz，同樣適用于64 Kbyte閃存版本的器件。 MCU工作電流額定值為-40°至85°C，在整個溫度范圍內具有相同的典型和最大有效電流。當使用高速外部或片內振蕩器時鐘時，從停止到有效的轉換時間最大為32μs。

快速喚醒

MSP430F5510版本的TI MSP430（圖3）具有32 KB的閃存和6 KB的RAM以及10位或12位A/D轉換器。該MCU包括全速USB，實時時鐘，DMA，乘法器和比較器以及嵌入式仿真模塊。

圖3：德克薩斯州的方塊圖儀器MSP430F5xx系列。

對于此器件，在采用3 V電源的閃存運行的工作模式下，1 MHz時的電流消耗僅為250μA，8 MHz時的電流消耗為1.55 mA（193.75μA/MHz）。

在待機狀態(tài)下，啟用自喚醒和欠壓復位，完全RAM保持，看門狗定時器和電源監(jiān)控器操作以及USB禁用，在-40°C時需要1.1μA，在25°C時需要1.3μA ，在85°C時為2.7μA。那里沒有太大的變化，但仍然很重要。如果打開RT時鐘，電流在25°C時為2.1μA，在85°C時為3.6μA。使用3 V電源運行A/D可增加75μA電流。從待機到激活，快速喚醒時間不到5μs。

您可以在Digi-key網站上找到有關MSP430系列功耗的TI產品培訓模塊。

十種功耗模式下一步讓我們來看看其32位Kinetis K20系列中的飛思卡爾器件（圖4）。 MK20DX256ZV具有10 MHz Cortex M4內核，256 KB閃存和25通道16位A/D.該器件還具有CRC，存儲器保護單元，電容式觸摸單元，WM和64 KB的SRAM。電源電壓范圍為1.71至3.6 V，可管理1.25 Dhrystone MIPS/MHz。

圖4：飛思卡爾MK20DX256ZV MCU的特性。

運行在12.5 MHz且外圍設備關斷電源電流約為5.5 mA，在85°C時電流大致相同。該芯片有10種電源模式。在CPU靜止的停止模式下，所有寄存器都保持不變并且A/D有效，來自2.0 V電源的電流約為310μA。在85°C時，在相同模式下，電流為380μA。停止模式的喚醒時間為4.5μs。在K20的最低功耗模式下，僅保留32字節(jié)寄存器，電流僅為220 nA（電源= 3.0 V），但在85°C時上升至5.50μA。從這種模式完全操作需要130μs。