晶閘管是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品,并于1958年將其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和控制極; 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。
晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:
1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態。
2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態,這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。
3. 晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。門極只起觸發作用。
4. 晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶閘管
+關注
關注
35文章
1101瀏覽量
77165
發布評論請先 登錄
相關推薦
可控硅的工作原理 可控硅與晶閘管的區別
可控硅的工作原理 可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結??煽毓?/div>
雙向晶閘管交流調壓的工作原理
雙向晶閘管(Bidirectional Thyristor,簡稱Triac)交流調壓技術是一種重要的電力電子技術,它利用雙向晶閘管的特性來實現對交流電壓的精確控制。
晶閘管門極有什么作用
交流/直流轉換、電機控制、電力調節等。 1. 晶閘管的結構和工作原理 晶閘管由四個層次的半導體材料組成,通常為P-N-P-N結構。這四個層次分別是: 陽極(Anode) :正極 陰極(Cathode) :負極 門極(Gate)
晶閘管導通的五種情況
晶閘管作為一種重要的電力電子器件,其導通狀態受多種因素影響。以下是晶閘管導通的五種詳細情況,每種情況都結合了晶閘管的工作原理、結構特性及外部條件進行闡述。
晶閘管的正向阻斷是因為什么
材料組成。 其中,A、K1、K2、C分別代表晶閘管的陽極、陰極1、陰極2和陰極。晶閘管的四個層分別對應PNPN結構,其中P型半導體和N型半導體交替排列。 二、晶閘管的工作原理
晶閘管整流器的工作原理
晶閘管整流器,作為一種電力變流器件,在工業和電力領域得到了廣泛的應用。其工作原理基于晶閘管的導通和關斷,通過控制電壓施加或去除晶閘管上的控制電流來實現對輸入電壓的整流轉換。本文將詳細闡
門極可關斷晶閘管與普通晶閘管的區別
晶閘管家族,但在結構、工作原理、性能特點以及應用方面存在顯著的差異。本文將對這兩種晶閘管進行詳細比較,以便讀者更好地理解它們之間的區別。
瞬態電壓抑制晶閘管的基本結構和工作原理
瞬態電壓抑制晶閘管是一種用于保護電路免受瞬態過電壓沖擊的半導體器件。隨著電子技術的不斷發展,電子設備對于電壓波動的敏感性越來越高,因此瞬態電壓抑制晶閘管在電子系統中的應用日益廣泛。本文將對瞬態電壓抑制晶閘管的基本結構和
晶閘管的基本工作特性可概括為哪些
晶閘管(SCR)是一種典型的半導體器件,常用于電力控制及變換電路中。它的基本工作特性由許多方面組成,包括導通、關斷、觸發以及特殊工作模式等。下面將詳細介紹晶閘管的基本
高清視頻編碼器:解析其工作原理與優勢
高清視頻編碼器是一種數字視頻壓縮工具,它能夠將高清視頻信號編碼成數字信號,并將其壓縮到較小的文件大小,以便更高效的存儲和傳輸。以下是高清視頻編碼器的
GTO與普通晶閘管相比為什么可以自關斷?為什么普通晶閘管不能呢?
GTO與普通晶閘管相比為什么可以自關斷?為什么GTO可以關斷普通晶閘管而不能呢? GTO晶閘管相比普通晶閘管具有自關斷功能。這個功能的實現是通過改進GTO
MOS門控晶閘管的工作原理解析
MOS 門控晶閘管 ( MOS Controlled Thyristor, MCT)是結合雙極功率晶體管和MOS 功率晶體管于一體的功率器件,主要利用兩個 MOS 柵極來控制晶閘管的導通電流以獲得較好的關斷特性。
晶閘管開關工作環境要求
晶閘管開關是一種在電力控制領域中極其重要的設備,其使用環境是影響其工作性能和壽命的關鍵因素。為了確保晶閘管開關能夠正常工作并具有長久的使用壽命,以下是一些
評論