存儲級存儲器(SCM)克服了NAND閃存的局限性,這使得接管成為必然。
存儲級存儲器(SCM),能夠如同NAND閃存一樣保留其內容的能力,也能有像DRAM一樣的的速度,這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲介質。
這就是HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經理Ivan Iannaccone的預測。但他補充說,這需要一些時間。
“這不會在一夜之間發生; 它變得經濟可行只是時間問題,但它最終會接管。也許10年后。“,他告訴我。
在每個字節的基礎上,SCM的成本比閃存高出四倍。目前只有兩家供應商:英特爾和三星。英特爾以Optane品牌銷售它并以企業為目標,英特爾的Optane HPE將其用于其存儲陣列。
三星的產品名為Z-SSD,現在專注于消費者,并計劃在今年晚些時候向OEM提供樣品。據說東芝和Western Digital也在開發自己的SCM產品。
除了更換NAND閃存外,Iannaccone還認為SCM使用的NVMe協議將取代目前存儲陣列中使用的SCSI / SAS接口。“,現實是NVMe是一種更加精簡的記憶方式。存儲級內存SCM的行為更像內存,延遲更低?!埃f。
由于閃存的固有設計,SCM在這塊要好很多。性能問題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數據寫入閃存驅動器時,無法覆蓋舊信息。它必須在其他地方寫入一個新數據塊,并在磁盤I / O暫停時刪除舊文件。
因為你在以前的寫入之后總是在清理,它會導致一些不穩定,這就是媒體行為的方式。
SCM比NAND閃存更快,但仍然很昂貴
憑借其覆蓋文件的能力,寫入數據所需的時間要短得多,SCM為9ms,NAND為90ms至100ms。此外,您沒有媒體的不可預測性,因為您沒有運行后臺進程來優化媒體。
英特爾以多種外形銷售Optane。3PAR為其存儲陣列而非服務器提供PCI Express附加卡。它們充當存儲陣列SSD和服務器內存之間的緩存。通過增加大約3TB的SCM,3PAR在Oracle基準測試中實現了30%的性能提升,同時價格提升了5%。
最終,Iannaccone認為SCM能夠從其物理位置分解并充當多個存儲陣列的緩存,并且所有其他陣列都與具有SCM內存的陣列通信。
“SCM仍然相當昂貴,因此我們將其用作緩存和智能算法層來制作緩存,”他說。
隨著SCM的成本下降并且作為閃存的替代品變得更加可行,用例將分裂。對于大容量存儲,每千兆字節將有一個更合適的價值,并且將有一個性能層來優化I / O。
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原文標題:HPE預測SCM將取代NAND
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