采用氮化鎵材料的電子器件介紹
GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
8064瀏覽量
212365 -
電子器件
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
589瀏覽量
32081 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
59文章
1628瀏覽量
116306
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)
景和技術(shù)需求。 氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如，在5G通
碳化硅與氮化鎵哪種材料更好
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化
氮化鎵是什么充電器類型
、氮化鎵充電器的優(yōu)勢(shì)以及其在未來的應(yīng)用前景等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們先來了解一下氮化鎵的基本特性。
氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料
氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵
氮化鎵芯片研發(fā)過程
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，
氮化鎵芯片生產(chǎn)工藝有哪些
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化
氮化鎵是什么技術(shù)組成的
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮?dú)夂徒饘?b class='flag-5'>鎵反應(yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件
氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料
氮化鎵半導(dǎo)體屬于金屬材料嗎
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化
氮化鎵技術(shù)的用處是什么
氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光
氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)芯片有哪些
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動(dòng)芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵
氮化鎵功率器件電壓650V限制原因
的缺陷和雜質(zhì)。這些缺陷和雜質(zhì)會(huì)導(dǎo)致器件的擊穿電壓明顯降低。另外，氮化鎵材料的特殊晶體結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)導(dǎo)致器件在高電場(chǎng)下會(huì)發(fā)生
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論