新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開關(guān)性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
7985瀏覽量
212537 -
仿真
+關(guān)注
關(guān)注
50文章
4094瀏覽量
133687 -
功率
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
2068瀏覽量
69913
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問題
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率
功率器件封裝新突破:納米銅燒結(jié)連接技術(shù)
、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,以及相對較低的成本,在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭
WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)
:RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅(qū)動器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料,因其開關(guān)更快且損耗更低,相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢。對于需要關(guān)鍵考量高效率和高
發(fā)表于 09-27 15:05
?791次閱讀
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索,本篇章帶你了
功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對功率
大功率器件散熱裝置設(shè)計探討
摘要:針對某大功率器件的散熱需求,基于傳熱路徑和流動跡線,進(jìn)行了一種內(nèi)嵌熱管的高效風(fēng)冷散熱裝置的設(shè)計研究,并進(jìn)行了仿真計算。計算結(jié)果顯示散熱符合設(shè)計要求,表明此高效散熱裝置設(shè)計方案可行
如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器
們往往無法滿足關(guān)鍵變頻器應(yīng)用對性能和效率的更高要求。 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù),在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改進(jìn)和進(jìn)步,設(shè)計人員可以利用 GaN 器件達(dá)成上述目標(biāo)。GaN
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅
SiC功率器件先進(jìn)互連工藝研究
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 (湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求,文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗
碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性,正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的
簡單認(rèn)識功率器件
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功
評論