2018的全球封測領域擴產不停，前十大封測廠積極拉充產能，代工商臺積電也積極擴充高端封裝產能。

本期盤點文章，芯思想研究院將從營收、技術、建設（擴產）、收購等方面對全球封測業進行回顧。

1營收篇

2019年2月，芯思想研究院繼推出2017年全球前十大封測公司排名后，再次推出2018年排名。前十大公司名稱和去年沒有變化。

2018年產業集中度進一步加劇

2018年全球封測總營收達281億美元，較2017年增長4.3%，前十大封測公司的收入占OSAT營收的80.9%，較2017年增加了1.2個百分點。值得慶賀的是，2018年前十大公司都取得了不同程度的增長。

芯思想研究院在2018年12月發布預估排名就表示，2018年前十大封測公司與2017年相比唯一的變化是，通富微電超越華天科技，由去年的第七上升至全球第六，華天科技則從第六位下滑一位成為第七。其他公司的排名沒有變化。

根據總部所在地劃分，前十大封測公司中，中國***有五家（日月光ASE、矽品精密SPIL、力成科技PTI、京元電子JYEC、頎邦Chipbond），市占率為42.1%，較去年增長1個百分點；中國大陸有三家（長電科技JCET、通富微電TF、華天科技HUATIAN），市占率為20.7%，較去年增長0.3個百分點；美國一家（安靠Amkor），市占率為15.4%，較去年增長0.1個百分點；新加坡一家（聯合科技UTAC），市占率為2.2%，和去年持平。

安靠（Amkor）依托中國上海工廠的快速增長，2018年上海工廠營收整體增幅達到30%，突破50億元關口，助力安靠全球整體錄得3.1%的增長。

長電科技受惠于SiP(系統級封裝)、eWLB(嵌入式晶圓級閘球陣列封裝)、TSV(硅穿孔封裝)、3D封裝技術等皆具備世界級實力的先進封裝技術，取得2.3%的增長。

通富微電與AMD配套的7nm封測產品已經具備量產實力，在高端市場有較大幅度地增長；蘇通工廠則持續聚焦于高端產品，預計整體產能利用率會逐漸提升；合肥工廠的產能利用率逐步提升，也為公司的營收增長提供了支持。2018年通富微電取得11.5%的增長率，在前十大封測公司中，增速排名第二。

受到指紋識別TSV封裝和比特幣礦機芯片封裝訂單下滑，CIS封裝價格下滑，導致華天科技2018年僅僅有2%的增長，這是華天科技自2007年上市以來錄得的最低的增速，2008年和2009年經濟危機時，其增幅也有8.9%和4.7%。從2007年上市至今，公司年均增長率達20%。2018年華天科技營收逐季下滑，第四季較第一季下滑20%。

聯合科技（UTAC）于2018年初正式關閉上海工廠，產能轉移到泰國廠區，整合泰國工廠QFN產能，進一步降低了運營成本。不過在2018年4月傳出出售消息，擬10億美元出售。

京元電子（KYEC）受惠于面板驅動IC的成長，取得8.6%的增長率。

頎邦科技（Chipbond）受惠于子公司頎中科技，加大與面板大廠京東方的合作，公司COF產能爆滿。

營收增幅現疲態

值得慶賀的是，2018年前十大公司都取得了不同程度的增長。

2018年前十大公司合計營收較2017年成長4.3%，相較2017年的成長率10%來說稍顯疲態。

2018年前十大封測公司中，營收增幅最大的是力成科技的17.3%，增幅第二是通富微電的11.5%，增幅排名第三的是京元電子的8.6%。

而2017年的增幅前三確實驚人，通富微電、華天科技、長電科技分別以42%、28.04%、24.54%位居營收增幅前三位，而增幅排名第四位的力成科技也高達23.35%。

利潤率情況

根據芯思想研究院統計，凈利潤率排名前三名都來自中國***，分別是頎邦的20.6%、日月光投控（日月光+矽品）的11.4%、力成11.2%。

雖然聯合科技（UTAC）的全年凈利率超過25%，是由于其第一季凈利潤高達117%，但扣除其第一季度的營業外收入2.47億美元后，其第一季度的凈利潤是負數。其全年的凈利潤也是負數。所以其年凈利潤率不具備可比性。

而中國大陸凈利潤率最高的還是華天科技，約在5%左右，是自公司上市以來最低的一次。

2技術篇

隨著集成電路應用多元化，智能手機、物聯網、汽車電子、高性能計算、5G、人工智能等新興領域對先進封裝提出更高要求，封裝技術發展迅速，創新特別活躍，競爭特別激烈。先進封裝向著系統集成、高速、高頻、三維方向發展。當前，高密度TSV技術/Fan-Out扇出技術由于其靈活、高密度、適于系統集成，而成為新時代先進封裝的核心技術。

作為封測代工企業（OSAT），面臨前道企業在先進封裝技術領域的競爭，必須尋求對應低成本高性能封裝技術，展開差異化競爭，才能在激烈的競爭中不斷發展。

我國封測公司都在加緊研發，并取得了相當成績。

一、華進半導體

華進半導體成立SiP技術融合實驗室，研發包括異質混合集成、芯片埋入技術等。

1、基于III-V芯片的無源/有源多層混合埋入SiP先導技術研究

本項目實現100um Ⅲ-Ⅴ族GaAs超薄芯片埋入，所有埋入芯片完好無裂片；在不同Z軸高度埋入10個0201被動元件與2個PA/LNA放大器芯片，形成單一封裝體內多層3D系統級埋入的全套工藝能力；三維系統級埋入因沒有焊料和引線鍵合，通過器件表面直接接觸薄介質層與金屬層實現低熱阻的雙面散熱；封裝體表貼開關芯片、數控衰減芯片即可以實現極低Footprint的完整T/R模塊。

2、微波背金裸芯片混合三維微組裝工藝技術研究

本項目開發異形墊片，實現基于III-V族射頻收發模塊的三維堆疊；異形墊片可避免破壞芯片表面的空氣橋，同時不影響芯片表面微帶線的特征阻抗；異形墊片表面與頂層芯片背金鍵合，通過金線為頂層芯片提供良好接地；樣品通過TC、HAST、振動、加速度等航天可靠性測試。

3、全硅集成微系統用硅轉接板全套工藝研發完成，并開始小批量生產

本項目通過TSV轉接板實現多顆不同結構或不同功能的芯片系統集成。TSV直徑小，間距很密，可以實現高密度芯片封裝。芯片與芯片之間的互連通過平面內的線路來實現，可以重新分布電源、接地和信號引腳，這些電學信號可以通過TSV，在底部進行信號輸入和輸出，從而明顯降低輸入輸出引腳數量。同時，轉接板還可以進行散熱設計，來進行熱管理。

功能芯片無需改變現有的結構和設計，與不同芯片組合搭配，具有很高的靈活度和集成度，適合對尺寸有嚴苛要求的高頻高速的電子產品。同時，所有的芯片和互連線被密封，只有幾個端口裸露在外，整個系統有更好的密封性和可靠性

本項目可以用于射頻前端等場合，在提高電子系統性能同時大幅縮減系統體積、重量。可通過多層硅轉接板的堆疊實現更復雜的系統集成

4、五面塑封保護晶圓級芯片尺寸封裝技術

電子產品的進化依賴于半導體技術的進步，在更緊湊的面積內集成更多功能的器件，IC器件的封裝在電子產品系統中扮演著越來越重要的角色。在移動終端中（如手機、平板電腦等）中廣泛使用的晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP），節約了移動終端的寶貴空間，但是WLCSP芯片裸露在外的本質，很容易在后道組裝過程中被損壞。

為避免WLCSP裸片本身的損壞，開發五面塑封保護的WLCSP封裝技術，是解決目前WLCSP封裝產品缺陷，改善WLCSP Chipping異常，提高芯片良率和可靠性的創新思路。

五面塑封保護WLCSP整體封裝厚度≦0.5mm，側壁塑封體厚度≧10um。滿足封裝可靠性測試標準：濕氣敏感性等級MSL4、溫度循環500次、高溫存儲500小時等。

推廣五面塑封保護WLCSP封裝，有效解決芯片Chipping和Crack異常，拓展WLCSP封裝的應用場景。

二、長電科技

2018 年長電科技在市場與技術的發展以及系統產品在不同功能要求的情況下，研發了數個封裝的新技術，尤其應用在未來即將迅猛發展的5G通訊以及5G下的人工智能(AI)以及物聯網 (IoT)，期望能夠全面跟上局部超越。

1、一種雙金屬板封裝結構的制作方法

雙金屬板封裝結構的制作方法的新技術可形成信號電磁屏蔽、高效功率散熱以及高密度線路的扇出等封裝技術。而這些效能可以是依據芯片所需功能單獨體現也可以融合這些技術綜合表現，尤其是應用在 5G 通訊以及物聯網(IoT)所需要的信號屏蔽、基地臺功率放大要求所產生的功率散熱以及訊號高速傳輸所需要的快速反應與數據計算等，都是非常好且高效的封裝技術。

（圖片提供：長電科技）

由上圖結構圖我們可以清楚的看出各項功能所需要搭配的封裝結構，而其封裝技術中亦包含了芯片正裝技術、芯片倒裝技術、線路印刷技術、表面貼裝技術、金屬絲正打以及倒打技術、功率所需要散熱裝置技術等等，在在都能充分的體現出芯片因系統產品所需要的屏蔽、散熱、高密度線路扇岀以及各項的混合功能的封裝結構。

而在雙金屬基板載體的善出封裝技術結構中，我們由上圖可以明顯的看出其中可以融合 PiP 混合封裝技術、PiP 芯片各種方式堆棧封裝技術、PoP 塑封體與塑封體的堆棧封裝等等的技術，在這雙金屬板載體中充分的發揮出各種封裝技術與結構的靈活性以及芯片所需要在系統產品上各項功能的追求。

2、一種選擇性局部塑封技術

主要是應用在各類傳感以及MEMS的封裝技術上。而這種選擇性局部塑封技術，可根據需要自行調節選擇性地包封封裝結構的任一部分，操作簡單相對也簡化很多繁雜工藝步驟與流程。

在這種”選擇性局部塑封技術”的研發中尚可以輕松體現出電磁屏蔽的功能，以及輕松的體現出”選擇性的電磁屏蔽”功能。

封裝結構通常包括：基板、基板上方的元器件、用于封裝元器件的塑封料、需要包封的元器件以及無需包封的元器件，而通常情況下元器件為功能芯片和無源器件，功能芯片為有源電子元件，需要能量的來源而實現它特定的功能，一般用來信號的放大、轉換等。

無源器件是在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件，主要是電阻類、電感類和電容類器件，它們的共同特點是在電路中無需加電源即可在有信號時工作，例如：電阻，電容，電感，轉換器，漸變器，匹配網絡，諧振器，濾波器，混頻器和開關等，而采用了”選擇性局部塑封”的封裝技術將可輕松且靈活的表現出優越的性能。

3、晶圓凸點及重布線晶圓級封裝技術

集成電路產業技術創新戰略聯盟創新獎

2018年3月，長電科技子公司江陰長電先進封裝有限公司憑借“晶圓凸點及重布線晶圓級封裝技術”獲得“成果產業化獎”。長電先進研團隊通過在圓片級多層重布線封裝技術、嵌入式無源器件（IPD）封裝技術、高密度銅柱凸塊技術等方面的技術創新與突破， 開發了TI、博通、聯發科、海思、Intel、MPS、Onsemi等國際一流客戶，成功將項目技術應用于IBM、三星、小米、OPPO、ViVO等國際知名企業的終端產品。創造了項目產品出貨量位居中國大陸第一，全球前列的佳績。

三、華天科技

華天科技（昆山）電子有限公司專注于晶圓級封裝技術研發與產業化，自2014年以來，通過創新發展，加大投入，開發了Bumping、TSV、WLCSP、WLP-FO等平臺技術，并實現了規模化量產。2018年，華天昆山在晶圓級封裝領域大踏步前進，取得多個技術和產品突破。

應用于圖像傳感器的CIS方面，率先完成了12吋BSI產品的驗證，率先通過了12吋車載CIS產品驗證，解決了一系列技術難題。

12吋車載封裝產品

開發了3P3M的WLP技術，產品實現量產。

3P3M WLP產品

應用于ESD芯片的晶圓級六面保護技術通過了包括三星、APPLE在內眾多終端產品工藝稽核。

新型扇出型封裝技術在多個產品的成功應用，無疑是2018年最鼓舞人心的成績。

集成電路產業技術創新戰略聯盟創新獎

2018年華天昆山開發的具有自主知識產權的埋入硅基板扇出型封裝技術eSiFO?（embedded Silicon Fan-out）進入量產。該技術使用硅基板為載體，通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定于凹槽內，芯片表面和硅圓片表面構成了一個扇出面，在這個面上進行多層布線，并制作引出端焊球，最后切割，分離、封裝。eSiFO?技術具有如下優點：

1. 可以實現多芯片系統集成SiP，易于實現芯片異質集成

2. 滿足超薄和超小芯片封裝要求

3. 與標準晶圓級封裝兼容性好，無污染

4. 良好的散熱性和電性

5. 可以在有源晶圓上集成

6. 工藝簡單，翹曲小，無塑封/臨時鍵合/拆鍵合

7. 封裝靈活：WLP/BGA/LGA/QFP等

8. 與TSV技術結合可實現高密度三維集成

由于技術的創新型和巨大應用潛力，2018年3月獲評集成電路產業技術創新聯盟創新獎。該技術目前有三個主要應用領域，多芯片系統級封裝，5G毫米波射頻以及三維扇出堆疊。

FPGA SiP集成

在5G射頻領域，其中多芯片堆疊產品包括4G射頻前端，毫米波芯片。2018年11月，華天科技與微遠芯發布新聞，成功完成40GHz毫米波eSiFO?封裝技術開發，性能優異。

40GHz毫米波eSiFO?封裝產品

2018年華天昆山進一步開發了基于硅基板的三維扇出技術，值得一體的是埋入硅基板扇出型3D封裝結構已獲得國家發明專利授權（授權號CN105575913B）。該技術的特點是利用TSV作為垂直互聯，互連密度可以大大高于目前的臺積電InFO技術。目前工藝已經開發完成，與國際客戶進行的產品開發進展順利。

埋入硅基板扇出型3D封裝結構示意圖

埋入硅基板扇出型3D封裝結構產品圖

華天昆山2018年的技術和產品突破，完成了技術轉型升級，同時，為后摩爾時代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案，隨著產品應用的不斷豐富，必將推動整個行業的技術發展。

四、晶方半導體

2018年晶方半導充分利用自身擁有知識產權的傳感器和高密度封裝技術優勢，上下游產業鏈合作伙伴資源，通過針對性解決AI產業發展相關半導體硬件制造難題進行相關先進封裝技術研發。

基于以上深厚的微型化傳感器制造工藝經驗、領先的市場優勢與專利布局，完整的大規模量產制造能力，公司已具備實現人工智能應用所需的關鍵核心技術儲備與先發優勢，成為自主擁有相關核心制造技術完整開發能力與產業整合能力的企業。

WLCSP晶圓級先進封裝

通過利用先進的半導體中道技術（W2W Bonding，TSV, RDL, Bumping等），實現在3D表面的重布線，其實現的FAN-IN結構很好的解決了傳感器芯片封裝正面開窗，并且尺寸小，低功耗和高密度集成化的要求。利用該技術的不同版本，可以針對例如CIS, MEMS，ALS和LED等不同種類芯片的小型化封裝。

WLO晶圓級光學器件

晶圓級WLO技術利用了半導體設備的精度和加工效率，在微鏡頭，微陣列，衍射器件等方面都由應用，有效的縮小了光學系統的尺寸，使得光學器件產品設計可以無縫融入集成電路產品的封裝中，大大降低了模塊的尺寸和成本，在3D深度和AR/VR領域有廣泛的用途。

FAN/OUT封裝

在原有晶圓級技術基礎上，公司開發了針對大尺寸，多芯片封裝的F/O結構封裝，將原來的FAN-IN RDL層重置到一塊玻璃或者有機基板上，并通過倒裝工藝，W/B工藝完成系統集成。該封裝的特點是可以實現高像素芯片，或者多芯片，或者高可靠性車用芯片的封裝，為系統化集成提供了一個靈活的平臺。

3D-TSV三維堆疊技術

目前公司依托核心的晶圓級TSV封裝工藝，正在與客戶合作開發拓展三維堆疊技術，形成完備的“CIS芯片+DRAM芯片+ISP芯片”三維堆疊設計與制造能力，以此為基礎并購整合人工智能應用的軟件和算法，形成完整的“軟件+硬件”有機協同的系統集成服務能力。

五、通富微電

通富微電在2018年持續加大Bumping+FC為主的高端封測技術研發，包括：1、與AMD配套的7nm封測，已順利進入量產階段；2、多芯片倒裝技術；3、扇出型封裝、2.5D和3D封裝、SiP系統級封裝等。

一、全新產品和全新技術的開發與應用成為公司技術亮點，將培育成為公司新的增長點，為經營業績的可持續發展奠定了基礎。

Gold bump

Gold bump順利導入和量產：完成先進封裝生產線建置，國產設備超過50%（業界一般低于10%）。三季度順利通過多家客戶審核驗證，四季度量產即產出兩千片，是中國顯示驅動芯片行業做強的堅實一步；

Driver IC

2018年Driver IC CP完成產線建設并通過國際大客戶驗證：完成業界領先的8寸和12寸產品測試能力建設，全球五大Driver IC廠商中已有兩家驗證通過；

COF封裝產線試產成功：最嚴苛產品規格（芯片高長寬比等）試產成功，進入高端顯示驅動芯片封裝領域。

SiP

物聯網方案：NB-IoT面向物聯網行業領先SiP解決方案，2018年開發完成并成功招標進入中國電信等運營商模組解決方案。

二、傳統產品持續開發業界領先的解決方案和技術，進一步提升我司產品線的競爭優勢。

QFN

Large Size Saw Type Dual Row QFN：業界主流高性能能低成本技術，業界首批完成自動化產線建立并具備大規模量產能力的封測企業。

車載側錫(Wettbale Flank)進入考核：完成樣品進入考核制作，成為大陸首家掌握此車載封裝技術的企業，夯實國產車載汽車芯片發展的根基。

POWER

大功率IPM-DBC：OSAT率先掌握單一40顆芯片產品技術，成功通過業界TOP客戶驗證

uTOLL/LFPAK：持續啟動Power前沿產品，進一步穩固了通富業界Power封測領先地位。

FC

Exposed Die (露芯片) CUF和MUF解決方案：3個月內建立能力并快速建成最大規模能力，并零質量事故。

成功開發FCCSP背面金屬化工藝：全球首批家可提供高散熱性能FCCSP解決方案企業。

BGA

u5G射頻和觸控用薄FBGA：全球首批提供5G大功率射頻產品的封測企業，以及大陸首批高端旗艦手機觸控FBGA產品。

3建設篇

1、華進半導體晶圓級扇出型封裝產業化項目

2018年3月，江蘇中科智芯集成科技有限公司成立，承接華進半導體晶圓級扇出型封裝產業化項目。

據悉，主廠房于2018年11月底封頂；其他輔助建筑于2019年1月封頂。凈化裝修工作業已開始，計劃2019年5月全部完工，凈化間開始試運行。建成后陸續投產12英寸晶圓級扇出型封裝，逐步實現單芯片扇出型封裝、2D多芯片扇出型封裝、3D多芯片扇出型封裝量產。

華進半導體表示，中科智芯產品定位中高密度集成芯片扇出型（Fan-Out）封裝與測試，高頻率射頻芯片封裝的設計與制造。

晶圓級扇出型封裝是最高性價比的集成電路封裝技術，無須使用印刷電路板，可直接在晶圓上實現芯片封裝。具體來說，第一，結合內嵌式印刷電路板技術的系統級封裝，雖符合移動設備小型化需求，然而供應鏈、產品良率（成本）存在很多問題；第二，硅穿孔（TSV ）封裝技術可以實現產品良率的問題，但設計難度較大、制造成本極高。與上述兩種方案不同的晶圓級扇出封裝（Fan-Out）技術，可在單芯至多芯片的封裝中做到更高的集成度，而具有更好的電氣屬性，不僅降低封裝成本，并且讓系統計算速度加快，產生的功耗更小，更為重要的是，該技術能夠提供更好的散熱性能，并可以整合射頻元件，使網絡基帶性能更加優良。

2、中芯長電二期J2A封頂

2018年9月17日下午，中芯長電半導體（江陰）有限公司二期項目J2A主廠房榮耀封頂。

二期項目計劃新建三座大規模的現代化加工工廠，形成領先的中段硅片制造和先進封裝的研發和制造基地。

J2A是二期項目第一座廠房，于2017年9月15日舉行了奠基儀式。

3、長電科技通信用高密度集成電路及模塊封裝項目

長電科技通信用高密度集成電路及模塊封裝項目擬投資17.3492億元，建成后將形成FBGA、PBGA、SiP模組、P-SiP模組、通訊模塊-LGA、高腳位通訊模塊、倒裝通訊模塊等通信用高密度集成電路及模塊封裝產品年產20億塊的生產能力。項目建設期3年。

4、長電科技通訊與物聯網集成電路中道封裝技術產業化項目

長電先進主導的通訊與物聯網集成電路中道封裝技術產業化項目擬投資23.5億元，建成后將形成Bumping、WLCSP等通訊與物聯網集成電路中道封裝年產82萬片Bumping、47億顆芯片封裝的生產能力。項目建設期3年。

目前長電先進中道封裝從技術到產能已具有較強的國際競爭能力，市場客戶端需求旺盛，產能利用率高。通訊與物聯網集成電路中道封裝技術產業化項目系長電先進對現有技術、產能的擴充，項目建成并完成達產后，將進一步增加長電先進中道封裝產能，增強國際競爭力。

5、長電科技宿遷廠擴建

2018年5月23日，長電科技集成電路封測基地項目正式開工。宿遷廠以腳數較低的IC和功率器件為主，低成本是其競爭優勢。

6、通富廈門一期工程主廠房封頂

2018年12月14日，廈門通富微電子有限公司一期工程主廠房成功封頂。

2018年8月，廈門通富微電子有限公司一期工程主廠房完成樁基工程。

207年8月21日，廈門通富微電子有限公司一期工程奠基。目一期投資13.8億元，一期用地約100畝，規劃建設2萬片Bumping、CP以及2萬片WLCSP、SiP中試線。

207年8月17日，通富微電發布公告，稱計劃與廈門半導體投資集團有限公司共同出資在廈門市海滄區投資項目公司，成立廈門通富微電子有限公司，注冊資本為7億元人民幣。從公告內容知道，通富微電雖然僅出資7000萬元人民幣，在合資公司中占股為10%，但在3個董事會席位中占有2席。

2017年6月26日，廈門市海滄區人民政府與通富微電簽署了共建集成電路先進封測生產線的戰略合作協議。按協議約定，項目總投資70億元，規劃建設以Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP及三、五族化合物為主的先進封裝測試產業化基地，重點服務于“福、廈、漳、泉”及華南地區的區域市場和重點企業，項目分三期實施。

7、南通通富二期工程

2017年11月18日，南通通富微電子有限公司舉行二期工程奠基暨開工典禮。

經過2018年全年的建設，2019年1月30日上午，南通通富微電子有限公司二期工程成功封頂。

8、合肥通富增設驅動芯片封裝和存儲封測項目

2018年4月16日，在“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，通富微電表示，將在合肥設驅動芯片封裝和存儲封測項目。

驅動芯片封裝項目將建成一條世界先進的包含10多種12英寸國產裝備的液晶驅動芯片封裝測試生產線。該項目的研發整整已經在通富總部完成，將很快在合肥通富進行量產線建設。

通富微電的存儲封測已經具備4層堆疊量產能力，正在和合肥睿力合作開展應用于高端DRAM產品的WBGA和FCBGA封裝測試，組裝測試團隊已經全部到位。

9、華天科技設立南京基地

2018年7月7日，華天科技發布公告，董事會同意投資南京集成電路先進封測產業基地項目，并與南京浦口經濟開發區管理委員會簽訂南京集成電路先進封測產業基地項目《投資協議》。項目分三期建設完成，全部項目計劃不晚于2028年12月31日建成運營。項目投資總額80億元。

最新消息：2019年1月24日上午，華天科技（南京）有限公司集成電路先進封測產業基地項目開工儀式在浦口區舉行。

10、華天高可靠性車用晶圓級先進封裝生產線項目落戶昆山

2018年11月7日，華天科技控股子公司華天科技（昆山）電子有限公司高可靠性車用晶圓級先進封裝生產線項目簽約儀式在昆山開發區成功舉行，至此華天科技在昆山布局了三條技術領先的高端封測量產產線。

11、日月光K24廠投產，K25開工建設

2018年6月，日月光高雄K24廠投產。K24廠于2016年10月6日開工，地下二層、地上八層的建筑，廠房以芯片的圖騰進行設計。

K25于2018年4月3日動工至今，一切進展順利。K25廠總投資金額達新臺幣125億元，預計2020年完工。

日月光表示，K25廠房是日月光推動的5年6廠投資計劃之一，將專攻高端的3C、通信、車用、消費性電子、以及繪圖芯片等應用領域。

目前楠梓加工區第二園區K21廠、K22廠、K23廠已完工進駐；K24廠已經投產，到2019年第一季全部完工；K26廠也于2017年1月份購入大樓。

12、日月光新加坡廠擴產WLCSP產能

2018年，日月光新加坡廠WLCSP的月產能達1億顆規模，較2017年7000萬顆的產能擴產幅度達5成，強化日月光在通訊芯片WLCSP封測領域的競爭力。

日月光新加坡廠前身是ISELabs Singapore，成立于1998年，日月光在1999年并購該廠后，2003年正式更名為日月光新加坡廠。而日月光2010年收購EEMS Singapore公司后，再強化半導體測試業務。并于2014年建設了WLCSP封裝產能。

13、日月光馬來西亞基地擴產

日月光馬來西亞基地積極搶進汽車電子市場，于2018年再擴充一個新廠區。

馬來西亞基地是日月光第一個在海外設立的封測廠，目前是汽車電子芯片封測重鎮，營收占比達20～25%，同時也是電動車與資料中心專用大電流銅制彈片（copper clips）制程主要據點。

14、矽品晉江廠動工

2018年4月，矽品電子（福建）有限公司晉江新廠動工。投資金額2500萬美元，主攻存儲器和邏輯產品封裝與測試。

原希望拿下晉華存儲封測訂單。

15、力成竹科三廠開工

2018年9月25日力成竹科三廠開工；總投資金額達新臺幣500億元，預計2020年上半年完工、同年下半年裝機量產，基地面積約8000坪，規劃興建為地上8層、地下2層廠房。

竹科三廠將成為全球首座面板級扇出型封裝制程的量產基地，預期月產能將可達約5萬片，約與15萬片12英寸晶圓相當。

力成表示，面板級扇出型封裝可降低封裝厚度、增加導線密度、提升產品電性，面板大工作平臺可提高生產效率，可運用于5G、AI、自動駕駛、生物技術及物聯網等相關產品。

16、京元電子興建銅鑼三廠、蘇州B廠

2018年京元電子資本支出達新臺幣75億元，以滿足銅鑼、蘇州擴建新廠及采購測試設備。

2018年4月23日，京元電子舉行銅鑼三廠動土典禮，預計2020年首季完工啟用。

京元電子表示，此次興建銅鑼三廠，主要為滿足各大客戶在人工智能、物聯網、微機電、移動通訊、電競和車用電子產品測試業務需求持續增加，以及因應IDM廠測試委外加速趨勢。

京元電銅鑼三廠規劃為地上5層、地下1層的RC結構建筑，單層面積約2,700坪，總樓地板面積約1.63萬坪。由于銅鑼廠區的生產設備配置，主要以自行開發的測試設備為主，未來新廠依不同測試平臺需求，預期可增設800至1000臺測試設備。

子公司京隆科技（蘇州）有限公司在蘇州運營A廠，始建于2002年，目前產能滿載。公司于2018年開始擴充產產能，在原先建好的B廠房中安裝設備調試，預計2019年3月投產。

另外，2019年蘇州震坤科技有限公司將并入京隆科技（蘇州）有限公司，實現蘇州廠封裝測試一體化運營。

17、安靠***T6廠投產

2018年9月10日，安靠***T6廠正式投產，總投資新臺幣23億元。

這是安靠在中國***的第4座先進封測廠，落腳于龍潭園區。T6廠也是安靠在***建設的唯一新廠，原有3個廠房都是收購而來。

安靠于2001年在***合并上寶半導體與臺宏半導體，成立安靠***分公司，2004年并購眾晶科技湖口廠，同年入主悠立半導體，2010年進駐竹科龍潭。 為因應訂單需求增加，安靠于2017年4月收購原諾發光電廠房，將2層廠房改造為現代化的3層高新封測廠，并引進晶圓測試（Wafer Probe）及裸晶切割封裝（DPS）設備，結合既有龍潭T1廠產能，提供客戶晶圓級封裝（WLSCP）、先進測試，bump-probe-DPS一條龍服務。

18、欣銓科技南京測試廠投產

2018年3月，欣銓科技南京測試基地投產。

2017年5月欣銓科技南京測試基地廠房開工，12月開始移入設備。

19、SFA菲律賓、韓國新廠相繼投產

2018年2月27日，SFA旗下菲律賓子公司（SFA Semicon Philippines Corp.）位于菲律賓邦板牙省的克拉克自的新工廠P2投產，主要生產eMMC芯片。2017年2月動工，總投資達5500萬美元。

2018年5月，SFA韓國天安二廠K2投產。

在OSAT擴大產能的同時，晶圓代工公司臺積電也在擴大其先進封裝產能。

20、臺積電擴大InFO產能

2018年3月，臺積電龍潭廠InFO后段高階封測月產能從10萬片到13萬片，已經量產。并增購龍潭二期用地。

臺積電除在龍潭擴產先進封裝，也在中科10納米重鎮FAB15廠區旁的原臺積太陽能廠增加InFO新廠，整體產能可望倍增。

2018年9月，臺積電在竹南實施先進封測廠建廠計劃，已開始進行建廠環評作業，預估半年內完成相關程序，并預計在2020年完成設廠。

4收購篇

1、華天宣布收購Unisem

2018年9月12日，華天科技發布公告稱，公司擬與控股股東天水華天電子集團、馬來西亞主板上市公司Unisem股東John Chia Sin Tet等聯合要約人，收購除馬來西亞聯合要約人直接持有Unisem公司股份以外的股份，約占Unisem公司流通股總額的75.72%。

2018年11月16日，要約已在國家發改委完成境外投資備案，取得商務部門頒發的《企業境外投資證書》并完成相關外匯登記。

最新消息：2019年1月11日，華天科技與控股股東天水華天電子集團要約的股份占Unisem公司流通股總額的58.94%，聯合要約人已持有的股份占流通股總額的24.28%。聯合要約人已持有和有效接受要約股份數合計占Unisem公司流通股總額的83.22%。此次要約股份交割工作正在進行中，預計交易對價約合人民幣23.32億元。

2、通富微電宣布收購FABTRONIC

2018年11月29日，通富微電發布公告稱，公司下屬控股子公司通富超威檳城（TF AMD MICROELECTRONICS（PENANG）SDN BHD）與CYBERVIEW SDN BHD簽署了收購協議，通富超威檳城擬不超過2205萬元人民幣購買CYBERVIEW SDN BHD持有的FABTRONIC SDN BHD的100%股份。

3、紫光完成收購矽品蘇州30%股權

2018年1月8日，紫光完成收購矽品科技（蘇州）有限公司30%的股權，矽品科技（蘇州）有限公司是矽品精密工業股份有限公司（SPIL）2001年在蘇州設立的獨資子公司。2017年11月紫光宣布經10.26億元收購矽品科技（蘇州）有限公司30%股權。此收購案發生在2017年11月24日中國商務部有條件通過日月光與矽品精密的合并案之后的新動作。

4、奕斯偉完成收購頎中科技68.15%股權

2018年2月2日，合肥奕斯偉封測技術有限公司完成收購頎中科技（蘇州）有限公司，頎中科技（蘇州）有限公司是頎邦科技股份有限公司（Chipbond）2004年在蘇州設立的獨資子公司。

2017年12月14日，頎邦科技宣布出售子公司頎中科技（蘇州）有限公司部份股權予合肥地方政府基金、京東方旗下北京芯動能投資基金及北京奕斯偉科技。交易總金額約1.66億美元。

2018年1月18日，合肥奕斯偉封測控股有限公司、頎中控股有限公司、合肥芯屏產業投資基金（有限合伙）、北京芯動能投資基金（有限合伙）、CTC INVESTMENT COMPANY LIMITED聯合組建合肥奕斯偉封測技術有限公司。

5、日月光收購恩智浦在日月新的40%股權

2018年8月15日，日月光（ASE）完成收購NXP（恩智浦）在蘇州日月新半導體有限公司所持股權。

2018年3月，日月光宣布1.27億美元收購了NXP（恩智浦）在蘇州日月新半導體所持40%股權，以此持有蘇州日月新半導體100%股權。

6、紫光收購蘇州日月新30%股權

2018年11月1日，紫光完成收購蘇州日月新半導體有限公司（ASEN）30%股權。

2018年8月，紫光宣布以29.18億元新臺幣（約9534萬美元）收購蘇州日月新半導體有限公司30%股權。此收購案發生在2017年11月24日中國商務部有條件通過日月光與矽品精密的合并案之后的第二個收購動作。之前是紫光收購矽品科技（蘇州）有限公司30%的股權。

7、京元電收購東琳精密

2018年11月1日，京元電完成對從事IC封裝和記憶卡封裝服務商東琳精密的合并（京元電持股約33.5%）

2018年8月7日，京元電子（KYEC）董事會通過現金對價與東琳精密進行合并案，合并對價金額為4.56億元。

東琳精密從事IC封裝和記憶卡封裝服務，以竹南為營運據點，股東京元電（33.50%）、聯電旗下宏誠創投、存儲器模組大廠威剛等。

京元電子完成收購東琳精密后，將在***擁有第一座專業封裝廠，之前其封裝主要在蘇州子公司--蘇州震坤科技有限公司。

8、蘇州固锝完成收購AICS剩余股份

2018年12月29日，蘇州固锝收購馬來西亞AIC Semiconductor SDN BHD（AICS）公司100%股權交割工作已完成。

蘇州固锝于2017年1月13日，經公司第五屆董事會第四次臨時會議審議通過，公司與馬來西亞公司AIC Semiconductor SDN BHD的股東AIC CORPORATION SDN BH、AIC TECHNOLOGY SDN BHD和ATMEL CORPORATION共同簽署了《關于92%股權的轉讓協議書》。

2017年3月完成相關變更手續，2017年4月1日起，AIC Semiconductor SDN BHD.納入公司合并報表范圍內。

2018年10月24日，蘇州固锝經公司第六屆董事會第七次會議審議通過，與AICS的股東AICC簽署了《關于8%股權的轉讓協議》，本次收購完成后，公司持有AIC Semiconductor SDN BHD（AICS）100%的股權，AICS成為公司的全資子公司。

AICS被收購后目前主要提供SOIC、PDIP、QFN、SmartCard、氣壓傳感器等產品封裝測試業務。

蘇州固锝表示，整合標的公司擁有20多年經驗的管理團隊，以及馬來西亞良好的半導體生產制造環境，在海外建立半導體封裝測試生產基地，有利于蘇州固锝提升國際影響力及行業地位。同時，標的公司的封裝產品也增加了公司集成電路的封裝品種，有利于蘇州固锝獲得先進封裝技術，提升研發實力，躋身全球一流封測企業。