美國羅徹斯特理工學院(Rochester Institute of Technology)的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構,有助于提高Micro LED顯示器的效率。
羅徹斯特理工學院的馬修(Matthew Hartensveld)和張敬(音譯,Jing Zhang)在 IEEE Electron Device Letter期刊上發表了一項研究,描述了他們將納米線氮化鎵場效電晶體(field-effect transistors簡稱“FETs”)和氮化銦鎵LED集成在一起的方法。在這個有創意的新結構中,電晶體被放置在LED下面以實現控制和調光。
來源:羅徹斯特理工學院Hartensveld和Zhang
據悉,研究員通過結合電晶體和LED,創造出一個緊湊的結構,且制造過程簡易。在改善Micro LED顯示器發展方面,這個新設計的結構是一個性價比更高的選擇。
研究表明,新結構中,一個區域可放置更多的LED,因此,像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸變小,像素密度變大,這對于發展Micro LED顯示器有很大的幫助。
但是,目前垂直設計的局限性在于關閉LED需要一個負電壓,對此,研究者正在努力改進中。
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原文標題:新發現:垂直集成氮化鎵LED助力發展Micro LED顯示器
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