在發(fā)明比較器之后可能不會(huì)太久，有人想把它們中的兩個(gè)放在一起制作一個(gè)窗口比較器。目前，半導(dǎo)體供應(yīng)商在兩個(gè)比較器上的這種流行應(yīng)用變得更加容易，他們?cè)趩蝹€(gè)硅芯片上提供兩個(gè)比較器和一個(gè)電壓基準(zhǔn)。本文采用ADI的代表性雙比較器，并展示如何在基本電路中添加外部控制測(cè)試功能，以測(cè)試電路是否正常工作。

圖1顯示ADCMP670低 - 電源雙比較器配置為窗口比較器，用于監(jiān)控標(biāo)稱電壓為3.6 V的鋰離子電池。通常，需要獨(dú)立監(jiān)控過(guò)電壓和欠電壓電池偏移，并由于所需的不同響應(yīng)而單獨(dú)報(bào)告。不同的情況。典型的過(guò)壓限制約為4.2 V，而典型的欠壓限制為2.3 V.

ADCMP670包含兩個(gè)低功耗比較器和一個(gè)共享的高精度400 mV參考電壓。每個(gè)比較器周圍的滯后固定為9 mV。在圖1中，通道A監(jiān)視窗口的高側(cè)。要使電路在4.2 V時(shí)報(bào)警，所需的R1A / R2A比率為9.5。 B頻道觀看窗戶的低側(cè)。為使其在2.3 V時(shí)報(bào)警，所需的R1B / R2B比率為4.75。

當(dāng)該電路正常工作時(shí)，OUTA和OUTB都為低，僅高警告條件時(shí)。在關(guān)鍵應(yīng)用中，明智的做法是定期測(cè)試窗口比較器，看看事情是否還可以，并確保電路仍在工作。

圖2顯示了如何輕松添加此測(cè)試功能圖1的標(biāo)準(zhǔn)電路。晶體管QA與R2A串聯(lián)，通常 on 。晶體管QB與R2B并聯(lián)連接，通常 off 。將驅(qū)動(dòng)信號(hào)反轉(zhuǎn)到這些晶體管會(huì)使上的QA 關(guān)閉和QB ，從而將兩個(gè)比較器同時(shí)驅(qū)動(dòng)到其錯(cuò)誤狀態(tài)的方式設(shè)置跳閘電平。如果兩個(gè)組件都正常工作，OUTA和OUTB將被驅(qū)動(dòng)高。當(dāng)QA和QB驅(qū)動(dòng)電平恢復(fù)時(shí)，恢復(fù)正常跳變電平，輸出電平恢復(fù)正常工作狀態(tài)，窗口比較器顯示正常工作。

晶體管QA和QB可以是任何通用，低成本，低電壓，N溝道MOSFET。它們通常較低的導(dǎo)通電阻不會(huì)導(dǎo)致電路操作中的重大錯(cuò)誤。

參考電路

比較器選擇指南2007