多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來(lái),就結(jié)晶成多晶硅。
多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面,遠(yuǎn)不如單晶硅明顯;在電學(xué)性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒(méi)有導(dǎo)電性。
在化學(xué)活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率等。
當(dāng)前,晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是最主要的光伏材料,其市場(chǎng)占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中,形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。
多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同,分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。其中,用于電子級(jí)多晶硅占55%左右,太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%,隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展,預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開(kāi)發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開(kāi)發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池,并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
發(fā)表于 03-03 09:02
?234次閱讀
本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì),它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
發(fā)表于 02-11 09:19
?147次閱讀
本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開(kāi)始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
發(fā)表于 02-08 11:22
?189次閱讀
在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性。因此,了解并嚴(yán)格把控多晶硅的存儲(chǔ)條件顯得尤為重要。
發(fā)表于 12-27 09:22
?332次閱讀
1. 美國(guó)宣布提高中國(guó)太陽(yáng)能硅片、多晶硅關(guān)稅至50% 2025 年1 月1 日生效 ? 美國(guó)拜登政府周三(12月11日)宣布,將增加對(duì)中國(guó)太陽(yáng)能硅片和多晶硅、鎢產(chǎn)品的進(jìn)口關(guān)稅,作為其保護(hù)本國(guó)清潔
發(fā)表于 12-12 10:09
?639次閱讀
? ? ? ?多晶硅還原爐內(nèi),硅芯起著至關(guān)重要的作用。?? 在多晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程中,硅芯的表面會(huì)逐漸被新沉積的硅層所覆蓋,形成
發(fā)表于 11-14 11:27
?421次閱讀
與亞微米工藝類(lèi)似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜,NMOS 的柵是n型摻雜。
發(fā)表于 11-07 08:58
?1025次閱讀
光伏多晶硅是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料,它在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)中扮演著重要角色。多晶硅太陽(yáng)能電池因其成本相對(duì)較低、制造工藝成熟、穩(wěn)定性好等特點(diǎn),在光伏市場(chǎng)中占有重要地位。 1. 住宅和商業(yè)建筑 1.1
發(fā)表于 09-20 11:33
?848次閱讀
光伏多晶硅是一種用于制造太陽(yáng)能電池的材料,其分片過(guò)程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽(yáng)能電池的小塊。這個(gè)過(guò)程對(duì)于提高太陽(yáng)能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。以下是一篇關(guān)于光伏多晶硅分片方法及其優(yōu)缺點(diǎn)
發(fā)表于 09-20 11:26
?665次閱讀
多晶硅作為一種關(guān)鍵的功能材料,在集成電路、晶體管、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而,多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中需要使用大量的水,如冷卻水、清洗水、反應(yīng)水等。這些水在使用后會(huì)被污染,需要進(jìn)行處理以去除其中
發(fā)表于 09-02 13:35
?246次閱讀
當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí),它們之間存在電場(chǎng),靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶硅柵與柵氧化層之間產(chǎn)生一個(gè)額外的串聯(lián)電容。當(dāng)柵氧化層厚度減小到 2nm 以下
發(fā)表于 08-02 09:14
?3808次閱讀
近日,大全能源宣布其半導(dǎo)體級(jí)(芯片用電子級(jí))多晶硅項(xiàng)目的首批產(chǎn)品順利出爐,這一里程碑事件標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體原材料領(lǐng)域取得了重要突破。
發(fā)表于 05-29 11:38
?739次閱讀
目前,8英寸、12英寸晶圓用多晶硅主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路,其生產(chǎn)過(guò)程涉及精密控制、高度純化以及嚴(yán)格的品質(zhì)管理等環(huán)節(jié),工藝復(fù)雜且難度較高。
發(fā)表于 05-24 10:57
?883次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《控制多晶硅(poly-Si)/4H-SiC異質(zhì)結(jié)二極管能壘高度(ΦB)的方法.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 04-23 09:24
?0次下載
根據(jù)晶體凝固生長(zhǎng)與位錯(cuò)形成、運(yùn)動(dòng)與增殖的理論,多晶硅錠中位錯(cuò)存在兩種來(lái)源:原生和增殖。
發(fā)表于 03-27 11:09
?666次閱讀
評(píng)論