4406雙橋原理圖如下:
4435雙橋原理圖如下:
場效應管到達雪崩電流會怎么樣?
漏極電壓持續升高,則漏極體二極管由于雪崩倍增產生載流子,而進入持續導通模式,此時,全部的漏極電流(此時即雪崩電流)流過體二極管,而溝道電流為零。
在開關管雪崩擊穿過程中,能量集中在功率器件各耗散層和溝道中,在寄生三極管激活導通發生二次擊穿時,MOSFET會伴隨急劇的發熱現象,這是能量釋放的表現。
雪崩電流在功率MOS管的數據表中表示為IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗過壓沖擊的能力。在測試過程中,選取一定的電感值,然后將電流增大,也就是功率MOS管開通的時間增加,然后關斷,直到功率MOSFET損壞,對應的最大電流值就是最大的雪崩電流。
標稱的IAV通常要將前面的測試值做70%或80%降額處理,因此它是一個可以保證的參數。一些功率MOS管供應商會對這個參數在生產線上做100%全部檢測,由于有降額,因此不會損壞器件。
留意:測量雪崩能量時,功率MOS管工作在UIS非鉗位開關狀態下,因此功率MOSFET不是工作在放大區,而是工作在可變電阻區和截止區。因此最大的雪崩電流IAV通常小于最大的連續的漏極電流值ID。
采用的電感值越大,雪崩電流值越小,但雪崩能量越大,生產線上需要測試時間越長,生產率越低。電感值太小,雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH,此時,雪崩電流相對于最大的連續的漏極電流值ID有明顯的改變,而且測試時間比較合適范圍。
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