Plessey已開發出專有的二維平面硅基氮化鎵工藝
日前，英國Plessey Semiconductors表示，它已開發出專有的二維（2D）平面硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝，無需色彩轉換技術即可發出綠光。
圖片來源：Plessey
為了產生綠光，LED制造商通常將磷光體或量子點轉換材料應用在天然藍色LED上。然后，這些材料將短波長（通常為450nm）藍光轉換為紅色或綠色波長，轉換效率通常為10-30％。
圖片來源：Plessey
Plessey的天然綠色LED是由其專有的GaN-on-Si外延生長工藝形成，與天然藍色LED類似，主要區別在于LED的量子阱結構中的銦含量。Plessey表示，由于沒有顏色轉換損失，天然綠色發光比Micro LED的顏色轉換過程要亮幾個數量級。綠色LED的主要綠色波長為530nm，半寬度（FWHM）為31nm，適用于彩色顯示器。此外，綠色LED表現出優異的波長穩定性。
Plessey首席運營官Mike Snaith表示，“Plessey通過生長技術創新，已經可以提供強大、高效的天然藍色Micro LED與綠色Micro LED，為市場提供下一代顯示和照明器件?！?/p>
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
led
+關注
關注
242文章
23295瀏覽量
661261 -
顯示器
+關注
關注
21文章
4981瀏覽量
140065 -
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1634瀏覽量
116384
原文標題：Plessey開發出這一全新工藝，可為Micro LED顯示屏提高光輸出
文章出處：【微信號：cnledw2013，微信公眾號：CNLED網】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
利用液態金屬鎵剝離制備二維納米片(2D NSs)的方法
本文介紹了一種利用液態金屬鎵（Ga）剝離制備二維納米片（2D NSs）的方法。該方法在接近室溫下通過液態鎵的表面張力和插層作用破壞范德華力，將塊體層狀材料剝離成二維納米片。此外，該過程
中國科大實現耦合高度可調的二維硅基量子點陣列
圖(左)硅基量子點二維陣列器件核心區的電子顯微鏡偽色圖;(右)任意調控量子點間最近鄰和次近鄰耦合，從而構造出不同的耦合結構。 我校郭光燦院士團隊在硅
AFM | 二維材料MXene的光電轉換與儲能進展
研究背景隨著技術的迅速發展和對石墨烯等二維材料光電性質的發現，人們對除石墨烯之外的其他二維平面材料的研究越來越引起關注。這些材料包括過渡金屬硫化物、碳氮化物、
二維材料 ALD 的晶圓級集成變化
來源:《半導體芯科技》雜志文章 在晶圓級集成 ALD 生長的二維材料，需要克服先進工藝開發的挑戰。 作者：Friedrich Witek，德國森泰科儀器（SENTECH Instruments）公司
技術|二維PDOA平面定位方案
一、方案概述二維平面定位系統，采用UWB定位技術，精度可到30cm。通過PDOA算法，可實現單基站二維平面的實時人員定位，增強對危險區域的管控，有效預防安全事故發生。面對突發情況，能做
二維氮化硼高效聲子橋效應讓快充不再過熱
和六方氮化硼納米片（BNNS）因其超高的平面熱導率而備受關注，已被廣泛用于散熱膜進行高效均熱。然而，當這些二維材料用作熱界面材料（TIM），高接觸熱阻嚴重限制其應
晶湛半導體與Incize合作，推動下一代硅基氮化鎵的發展
4月23日，在比利時新魯汶的愛因斯坦高科技園區，晶湛半導體和 Incize 達成了一份戰略合作備忘錄，雙方將在硅基氮化鎵外延技術的建模、仿真和測試方面進行深入的戰略合作。
氮化鎵芯片生產工藝有哪些
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：
氮化鎵芯片和硅芯片區別
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化
氮化鎵功率器件結構和原理
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：
工商網監
評論