采用GaN和SiC技術的新一代半橋逆變器的性能分析
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
逆變器
+關注
關注
285文章
4734瀏覽量
207143 -
SiC
+關注
關注
29文章
2841瀏覽量
62720 -
GaN
+關注
關注
19文章
1947瀏覽量
73677
發布評論請先 登錄
相關推薦
使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器
電子發燒友網站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器.pdf》資料免費下載
發表于 01-03 16:19
?0次下載
使用LMG5200EVM-02 GaN半橋功率級EVM用戶指南
電子發燒友網站提供《使用LMG5200EVM-02 GaN半橋功率級EVM用戶指南.pdf》資料免費下載
發表于 01-03 16:17
?0次下載
納米銀燒結技術：SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術的快速發展，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，以其優異的物理和化學性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環境下展現出巨大的應用潛力。尤其在雷達陣面高功率密度的需求下，
SiC和GaN：新一代半導體能否實現長期可靠性?
近年來，電力電子應用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導體正
威兆半導體發布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導體震撼發布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該產品以其卓越的性能和創新的設計，
微型逆變器性能躍升：SiC器件的關鍵作用
隨著光伏儲能技術的崛起，SiC器件已成為微型逆變器性能提升的關鍵。看SiC器件如何為光伏儲能帶來革命性的改變！ 編者按： 在當今能源轉型的大
基于 GaN 的 MOSFET 如何實現高性能電機逆變器
，設計人員可以使用氮化鎵(GaN)來實現這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進和進步。G
PMP22089.1-配備 GaN 技術的半橋點負載轉換器 PCB layout 設計
電子發燒友網站提供《PMP22089.1-配備 GaN 技術的半橋點負載轉換器 PCB layout 設計.pdf》資料免費下載
發表于 05-16 15:10
?0次下載
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
英飛凌發布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和
晶能微電子10億元SiC半橋模塊制造項目簽約嘉興
近日，浙江晶能微電子有限公司與嘉興國家高新區成功簽約，共同打造一項總投資約人民幣10億元的SiC半橋模塊制造項目。該項目由晶能微電子攜手星驅技術
工商網監
評論