增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)功率管理器件領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普(EPC)近日宣布為汽車行業(yè)和其他惡劣環(huán)境激光雷達(dá)(LiDAR)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協(xié)會(huì)AEC Q101認(rèn)證。
EPC率先推出了增強(qiáng)模式硅基氮化鎵(eGaN)FET,可替代眾多應(yīng)用中的功率MOSFET,如 DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線功率傳輸、包絡(luò)跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、LiDAR以及D類音頻放大器等,其性能高于最好的硅功率MOSFET數(shù)倍。
eGaN技術(shù)已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)超過9年,在多個(gè)領(lǐng)域積累了數(shù)十億小時(shí)的實(shí)際應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),例如:汽車應(yīng)用的LiDAR和自動(dòng)駕駛汽車?yán)走_(dá),數(shù)據(jù)中心計(jì)算機(jī)應(yīng)用的48 V-12 V DC-DC轉(zhuǎn)換器,超高保真信息娛樂系統(tǒng)和卡車用高強(qiáng)度前照燈等。EPC推出的這款新器件已經(jīng)完成了嚴(yán)格的汽車AEC Q101認(rèn)證測試,還將推出幾款專為惡劣汽車應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)的分立晶體管和集成電路。
EPC2214是一款80 V、20 mΩ、eGaN FET,具有47 A的脈沖電流,占位面積僅為1.8平方毫米,非常適合用于LiDAR系統(tǒng)中的激光器,因?yàn)閑GaN FET可以觸發(fā)以產(chǎn)生極短脈沖寬度的高電流。短脈沖寬度可以實(shí)現(xiàn)更高的分辨率,而更高的脈沖電流可使LiDAR探測并識(shí)別更遠(yuǎn)距離的物體。憑借這兩種特性,以及小尺寸和低成本優(yōu)勢,使eGaN FET成為高要求汽車應(yīng)用LiDAR以及雷達(dá)、超聲波傳感器的理想選擇。
為了完成AEC Q101測試,EPC的eGaN FET經(jīng)受了嚴(yán)格的環(huán)境和偏壓應(yīng)力測試,包括偏壓濕度測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫柵極偏壓(HTGB)、溫度循環(huán)(TC)以及其他幾項(xiàng)測試。值得注意的是,EPC的晶圓級芯片(WLCS)封裝通過了針對傳統(tǒng)封裝器件創(chuàng)建的所有相同測試標(biāo)準(zhǔn),證明了芯片級封裝的卓越性能不會(huì)影響器件的堅(jiān)固性或可靠性。這些eGaN器件由經(jīng)過汽車質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)IATF 16949認(rèn)證的工廠生產(chǎn)。
EPC首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow指出:“這種新型汽車產(chǎn)品是EPC晶體管和集成電路的最新產(chǎn)品,旨在實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛并提高燃油經(jīng)濟(jì)性和安全性。我們的eGaN技術(shù)比當(dāng)今車輛中使用的老舊硅功率MOSFET更快、更小、更高效、更經(jīng)濟(jì)、更可靠。”
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原文標(biāo)題:EPC車規(guī)級eGaN FET增強(qiáng)激光雷達(dá)“視覺性能”
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