IGBT基本工作原理
IGBT的工作原理
IGBT由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。如圖1，IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
圖1 IGBT 結(jié)構(gòu)圖
圖2 IGBT電氣符號(hào)（左）與等效的電路圖（右）
如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)低則IGBT不能穩(wěn)定的工作，如果過(guò)高甚至超過(guò)柵極—發(fā)射極之間的耐壓，則IGBT可能會(huì)永久損壞。同樣，如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過(guò)允許值，則流過(guò)IGBT的電流會(huì)超限，導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫超過(guò)允許值，此時(shí)IGBT也有可能會(huì)永久損壞。
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