色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

納米工藝、硅晶圓、知識總結

電子工程師 ? 來源:工程師李察 ? 2019-04-29 10:35 ? 次閱讀

最近,三星以及臺積電在先進半導體制程打得相當火熱,彼此都想要在晶圓代工中搶得先機以爭取訂單,幾乎成了14納米與16納米之爭,然而14納米與16納米這兩個數字的究竟意義為何,指的又是哪個部位?而在縮小工藝后又將來帶來什么好處與難題?以下我們將就納米工藝做簡單的說明。

納米到底有多細微?

在開始之前,要先了解納米究竟是什么意思。在數學上,納米是0.000000001米,但這是個相當差的例子,畢竟我們只看得到小數點后有很多個零,卻沒有實際的感覺。如果以指甲厚度做比較的話,或許會比較明顯。

用標尺實際測量的話可以得知指甲的厚度約為 0.0001 米(0.1 毫米),也就是說試著把一片指甲的側面切成 10 萬條線,每條線就約等同于1 納米,由此可略為想象得到1 納米是何等的微小了。

知道納米有多小之后,還要理解縮小工藝的用意,縮小晶體管的最主要目的,就是可以在更小的芯片中塞入更多的晶體管,讓芯片不會因技術提升而變得更大;其次,可以增加處理器的運算效率;再者,減少體積也可以降低耗電量;最后,芯片體積縮小后,更容易塞入行動裝置中,滿足未來輕薄化的需求。

再回來探究納米工藝是什么,以14納米為例,其工藝是指在芯片中,線最小可以做到14納米的尺寸,下圖為傳統晶體管的長相,以此作為例子。縮小晶體管的最主要目的就是為了要減少耗電量,然而要縮小哪個部分才能達到這個目的?左下圖中的L就是我們期望縮小的部分。藉由縮小閘極長度,電流可以用更短的路徑從Drain 端到Source 端(有興趣的話可以利用Google以MOSFET搜尋,會有更詳細的解釋)。

納米工藝、硅晶圓、知識總結

(Source:www.slideshare.net)

此外,計算機是以0和1作運算,要如何以晶體管滿足這個目的呢?做法就是判斷晶體管是否有電流流通。當在Gate端(綠色的方塊)做電壓供給,電流就會從 Drain端到Source端,如果沒有供給電壓,電流就不會流動,這樣就可以表示 1 和 0。(至于為什么要用 0 和 1 作判斷,有興趣的話可以去查布爾代數,我們是使用這個方法作成計算機的)

尺寸縮小有其物理限制

不過,工藝并不能無限制的縮小,當我們將晶體管縮小到20納米左右時,就會遇到量子物理中的問題,讓晶體管有漏電的現象,抵銷縮小 L 時獲得的效益。作為改善方式,就是導入FinFET(Tri-Gate)這個概念,如右上圖。在Intel以前所做的解釋中,可以知道藉由導入這個技術,能減少因物理現象所導致的漏電現象。

納米工藝、硅晶圓、知識總結

(Source:www.slideshare.net)

更重要的是,藉由這個方法可以增加 Gate 端和下層的接觸面積。在傳統的做法中(左上圖),接觸面只有一個平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)這個技術后,接觸面將變成立體,可以輕易的增加接觸面積,這樣就可以在保持一樣的接觸面積下讓 Source-Drain 端變得更小,對縮小尺寸有相當大的幫助。

最后,則是為什么會有人說各大廠進入 10 納米制程將面臨相當嚴峻的挑戰,主因是 1 顆原子的大小大約為 0.1 納米,在 10 納米的情況下,一條線只有不到 100 顆原子,在制作上相當困難,而且只要有一個原子的缺陷,像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質,就會產生不知名的現象,影響產品的良率。

如果無法想象這個難度,可以做個小實驗。在桌上用 100 個小珠子排成一個 10×10 的正方形,并且剪裁一張紙蓋在珠子上,接著用小刷子把旁邊的的珠子刷掉,最后使他形成一個10×5的長方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境,以及達成這個目標究竟是多么艱巨。

隨著三星以及臺積電在近期將完成14納米、16納米 FinFET 的量產,兩者都想爭奪Apple下一代的iPhone 芯片代工,我們將看到相當精彩的商業競爭,同時也將獲得更加省電、輕薄的手機,要感謝摩爾定律所帶來的好處呢。

【半導體科普】半導體產業的根基:硅晶圓是什么?▼

在半導體的新聞中,總是會提到以尺寸標示的晶圓廠,如8吋或是 12 吋晶圓廠,然而,所謂的晶圓到底是什么東西?其中8吋指的是什么部分?要產出大尺寸的晶圓制造又有什么難度呢?以下將逐步介紹半導體最重要的基礎——「晶圓」到底是什么。

晶圓是什么?

晶圓(wafer),是制造各式計算機芯片的基礎。我們可以將芯片制造比擬成用樂高積木蓋房子,藉由一層又一層的堆棧,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)。然而,如果沒有良好的地基,蓋出來的房子就會歪來歪去,不合自己所意,為了做出完美的房子,便需要一個平穩的基板。對芯片制造來說,這個基板就是接下來將描述的晶圓。

(Souse:Flickr/Jonathan Stewart?CC BY 2.0)

首先,先回想一下小時候在玩樂高積木時,積木的表面都會有一個一個小小圓型的凸出物,藉由這個構造,我們可將兩塊積木穩固的迭在一起,且不需使用膠水。芯片制造,也是以類似這樣的方式,將后續添加的原子和基板固定在一起。因此,我們需要尋找表面整齊的基板,以滿足后續制造所需的條件。

在固體材料中,有一種特殊的晶體結構──單晶(Monocrystalline)。它具有原子一個接著一個緊密排列在一起的特性,可以形成一個平整的原子表層。因此,采用單晶做成晶圓,便可以滿足以上的需求。然而,該如何產生這樣的材料呢,主要有二個步驟,分別為純化以及拉晶,之后便能完成這樣的材料。

如何制造單晶的晶圓

純化分成兩個階段,第一步是冶金級純化,此一過程主要是加入碳,以氧化還原的方式,將氧化硅轉換成 98% 以上純度的硅。大部份的金屬提煉,像是鐵或銅等金屬,皆是采用這樣的方式獲得足夠純度的金屬。但是,98% 對于芯片制造來說依舊不夠,仍需要進一步提升。因此,將再進一步采用西門子制程(Siemens process)作純化,如此,將獲得半導體制程所需的高純度多晶硅。

納米工藝、硅晶圓、知識總結

▲硅柱制造流程(Source: Wikipedia)

接著,就是拉晶的步驟。首先,將前面所獲得的高純度多晶硅融化,形成液態的硅。之后,以單晶的硅種(seed)和液體表面接觸,一邊旋轉一邊緩慢的向上拉起。至于為何需要單晶的硅種,是因為硅原子排列就和人排隊一樣,會需要排頭讓后來的人該如何正確的排列,硅種便是重要的排頭,讓后來的原子知道該如何排隊。最后,待離開液面的硅原子凝固后,排列整齊的單晶硅柱便完成了。

單晶硅柱(Souse:Wikipedia)

然而,8吋、12吋又代表什么東西呢?他指的是我們產生的晶柱,長得像鉛筆筆桿的部分,表面經過處理并切成薄圓片后的直徑。至于制造大尺寸晶圓又有什么難度呢?如前面所說,晶柱的制作過程就像是在做棉花糖一樣,一邊旋轉一邊成型。有制作過棉花糖的話,應該都知道要做出大而且扎實的棉花糖是相當困難的,而拉晶的過程也是一樣,旋轉拉起的速度以及溫度的控制都會影響到晶柱的質量。也因此,尺寸愈大時,拉晶對速度與溫度的要求就更高,因此要做出高質量 12 吋晶圓的難度就比 8 吋晶圓還來得高。

只是,一整條的硅柱并無法做成芯片制造的基板,為了產生一片一片的硅晶圓,接著需要以鉆石刀將硅晶柱橫向切成圓片,圓片再經由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經過這么多步驟,芯片基板的制造便大功告成,下一步便是堆棧房子的步驟,也就是芯片制造。

至于該如何制作芯片呢?

▼接著往下看。

【半導體科普】IC 芯片的制造,層層打造的高科技工藝▼

在介紹過硅晶圓是什么東西后,同時,也知道制造 IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣,藉由一層又一層的堆棧,創造自己所期望的造型。然而,蓋房子有相當多的步驟,IC 制造也是一樣,制造 IC 究竟有哪些步驟?本文將將就 IC 芯片制造的流程做介紹。

層層堆棧的芯片架構

在開始前,我們要先認識IC芯片是什么。IC,全名集成電路(Integrated Circuit),由它的命名可知它是將設計好的電路,以堆棧的方式組合起來。藉由這個方法,我們可以減少連接電路時所需耗費的面積。下圖為 IC 電路的 3D 圖,從圖中可以看出它的結構就像房子的梁和柱,一層一層堆棧,這也就是為何會將 IC 制造比擬成蓋房子。

▲ IC 芯片的 3D 剖面圖。(Source:Wikipedia)

從上圖中 IC 芯片的 3D 剖面圖來看,底部深藍色的部分就是上一篇介紹的晶圓,從這張圖可以更明確的知道,晶圓基板在芯片中扮演的角色是何等重要。至于紅色以及土黃色的部分,則是于 IC 制作時要完成的地方。

首先,在這里可以將紅色的部分比擬成高樓中的一樓大廳。一樓大廳,是一棟房子的門戶,出入都由這里,在掌握交通下通常會有較多的機能性。因此,和其他樓層相比,在興建時會比較復雜,需要較多的步驟。在 IC 電路中,這個大廳就是邏輯閘層,它是整顆 IC 中最重要的部分,藉由將多種邏輯閘組合在一起,完成功能齊全的 IC 芯片。

黃色的部分,則像是一般的樓層。和一樓相比,不會有太復雜的構造,而且每層樓在興建時也不會有太多變化。這一層的目的,是將紅色部分的邏輯閘相連在一起。之所以需要這么多層,是因為有太多線路要連結在一起,在單層無法容納所有的線路下,就要多迭幾層來達成這個目標了。在這之中,不同層的線路會上下相連以滿足接線的需求。

分層施工逐層架構

知道IC的構造后,接下來要介紹該如何制作。試想一下,如果要以油漆噴罐做精細作圖時,我們需先割出圖形的遮蓋板,蓋在紙上。接著再將油漆均勻地噴在紙上,待油漆干后,再將遮板拿開。不斷的重復這個步驟后,便可完成整齊且復雜的圖形。制造IC就是以類似的方式,藉由遮蓋的方式一層一層的堆棧起來。

納米工藝、硅晶圓、知識總結

制作IC時,可以簡單分成以上4種步驟。雖然實際制造時,制造的步驟會有差異,使用的材料也有所不同,但是大體上皆采用類似的原理。這個流程和油漆作畫有些許不同,IC制造是先涂料再加做遮蓋,油漆作畫則是先遮蓋再作畫。以下將介紹各流程。

1.金屬濺鍍:將欲使用的金屬材料均勻灑在晶圓片上,形成一薄膜。

2.涂布光阻:先將光阻材料放在晶圓片上,透過光罩(光罩原理留待下次說明),將光束打在不要的部分上,破壞光阻材料結構。接著,再以化學藥劑將被破壞的材料洗去。

3.蝕刻技術:將沒有受光阻保護的硅晶圓,以離子束蝕刻。

4.光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉,如此便完成一次流程。

最后便會在一整片晶圓上完成很多 IC 芯片,接下來只要將完成的方形 IC 芯片剪下,便可送到封裝廠做封裝,至于封裝廠是什么東西?就要待之后再做說明啰。

▲ 各種尺寸晶圓的比較。(Source:Wikipedia)

【半導體科普】IC 功能的關鍵,復雜繁瑣的芯片設計流程▼

在前面已經介紹過芯片制造的過程就如同用樂高蓋房子一樣,先有晶圓作為地基,再層層往上迭的芯片制造流程后,就可產出必要的 IC 芯片。然而,沒有設計圖,擁有再強制造能力都沒有用,因此,建筑師的角色相當重要。但是 IC 設計中的建筑師究竟是誰呢?接下來要針對 IC 設計做介紹。

在 IC 生產流程中,IC 多由專業 IC 設計公司進行規劃、設計,像是聯發科、高通、Intel 等知名大廠,都自行設計各自的 IC 芯片,提供不同規格、效能的芯片給下游廠商選擇。因為 IC 是由各廠自行設計,所以 IC 設計十分仰賴工程師的技術,工程師的素質影響著一間企業的價值。然而,工程師們在設計一顆 IC 芯片時,究竟有那些步驟?設計流程可以簡單分成如下

設計第一步,訂定目標

IC設計中,最重要的步驟就是規格制定。這個步驟就像是在設計建筑前,先決定要幾間房間、浴室,有什么建筑法規需要遵守,在確定好所有的功能之后在進行設計,這樣才不用再花額外的時間進行后續修改。IC 設計也需要經過類似的步驟,才能確保設計出來的芯片不會有任何差錯。

規格制定的第一步便是確定 IC 的目的、效能為何,對大方向做設定。接著是察看有哪些協議要符合,像無線網卡的芯片就需要符合 IEEE 802.11 等規范,不然,這芯片將無法和市面上的產品兼容,使它無法和其他設備聯機。最后則是確立這顆 IC 的實作方法,將不同功能分配成不同的單元,并確立不同單元間鏈接的方法,如此便完成規格的制定。

設計完規格后,接著就是設計芯片的細節了。這個步驟就像初步記下建筑的規畫,將整體輪廓描繪出來,方便后續制圖。在 IC 芯片中,便是使用硬件描述語言(HDL)將電路描寫出來。常使用的 HDL 有 Verilog、VHDL 等,藉由程序代碼便可輕易地將一顆 IC 地菜單達出來。接著就是檢查程序功能的正確性并持續修改,直到它滿足期望的功能為止。

▲ 32 bits 加法器的 Verilog 范例。

有了計算機,事情都變得容易

有了完整規畫后,接下來便是畫出平面的設計藍圖。在 IC 設計中,邏輯合成這個步驟便是將確定無誤的 HDL code,放入電子設計自動化工具(EDA tool),讓計算機將 HDL code 轉換成邏輯電路,產生如下的電路圖。之后,反復的確定此邏輯閘設計圖是否符合規格并修改,直到功能正確為止。

納米工藝、硅晶圓、知識總結

▲ 控制單元合成后的結果。

最后,將合成完的程序代碼再放入另一套 EDA tool,進行電路布局與繞線(Place And Route)。在經過不斷的檢測后,便會形成如下的電路圖。圖中可以看到藍、紅、綠、黃等不同顏色,每種不同的顏色就代表著一張光罩。至于光罩究竟要如何運用呢?

▲ 常用的演算芯片- FFT 芯片,完成電路布局與繞線的結果。

層層光罩

迭起一顆芯片

首先,目前已經知道一顆IC會產生多張的光罩,這些光罩有上下層的分別,每層有各自的任務。下圖為簡單的光罩例子,以集成電路中最基本的組件 CMOS 為范例,CMOS 全名為互補式金屬氧化物半導體(Complementary metal–oxide–semiconductor),也就是將 NMOS 和 PMOS 兩者做結合,形成 CMOS。至于什么是金屬氧化物半導體(MOS)?這種在芯片中廣泛使用的組件比較難說明,一般讀者也較難弄清,在這里就不多加細究。

下圖中,左邊就是經過電路布局與繞線后形成的電路圖,在前面已經知道每種顏色便代表一張光罩。右邊則是將每張光罩攤開的樣子。制作是,便由底層開始,依循上一篇 IC 芯片的制造中所提的方法,逐層制作,最后便會產生期望的芯片了。

至此,對于IC設計應該有初步的了解,整體看來就很清楚IC設計是一門非常復雜的專業,也多虧了計算機輔助軟件的成熟,讓IC設計得以加速。IC設計廠十分依賴工程師的智能,這里所述的每個步驟都有其專門的知識,皆可獨立成多門專業的課程,像是撰寫硬件描述語言就不單純的只需要熟悉程序語言,還需要了解邏輯電路是如何運作、如何將所需的算法轉換成程序、合成軟件是如何將程序轉換成邏輯閘等問題。

在了解 IC 設計師如同建筑師,晶圓代工廠是建筑營造廠之后,接下來該暸解最終如何把芯片包裝成一般用戶所熟知的外觀,也就是「封裝」。下面將介紹 IC 封裝是什么以及幾個重要的技術。

【半導體科普】封裝,IC 芯片的最終防護與統整▼

經過漫長的流程,從設計到制造,終于獲得一顆 IC 芯片了。然而一顆芯片相當小且薄,如果不在外施加保護,會被輕易的刮傷損壞。此外,因為芯片的尺寸微小,如果不用一個較大尺寸的外殼,將不易以人工安置在電路板上。因此,本文接下來要針對封裝加以描述介紹。

目前常見的封裝有兩種,一種是電動玩具內常見的,黑色長得像蜈蚣的 DIP 封裝,另一為購買盒裝 CPU 時常見的 BGA 封裝。至于其他的封裝法,還有早期 CPU 使用的 PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版 QFP(塑料方形扁平封裝)等。因為有太多種封裝法,以下將對 DIP 以及 BGA 封裝做介紹。

傳統封裝

歷久不衰

首先要介紹的是雙排直立式封裝(Dual Inline Package;DIP),從下圖可以看到采用此封裝的 IC 芯片在雙排接腳下,看起來會像條黑色蜈蚣,讓人印象深刻,此封裝法為最早采用的 IC 封裝技術,具有成本低廉的優勢,適合小型且不需接太多線的芯片。但是,因為大多采用的是塑料,散熱效果較差,無法滿足現行高速芯片的要求。因此,使用此封裝的,大多是歷久不衰的芯片,如下圖中的 OP741,或是對運作速度沒那么要求且芯片較小、接孔較少的 IC 芯片。

▲ 左圖的 IC 芯片為 OP741,是常見的電壓放大器。右圖為它的剖面圖,這個封裝是以金線將芯片接到金屬接腳(Leadframe)。(Source :左圖Wikipedia、右圖Wikipedia)

至于球格數組(Ball Grid Array,BGA)封裝,和 DIP 相比封裝體積較小,可輕易的放入體積較小的裝置中。此外,因為接腳位在芯片下方,和 DIP 相比,可容納更多的金屬接腳,

相當適合需要較多接點的芯片。然而,采用這種封裝法成本較高且連接的方法較復雜,因此大多用在高單價的產品上。

▲ 左圖為采用 BGA 封裝的芯片,主流的 X86 CPU 大多使用這種封裝法。右圖為使用覆晶封裝的 BGA 示意圖。(Source:左圖Wikipedia)

行動裝置

興起,新技術躍上舞臺

然而,使用以上這些封裝法,會耗費掉相當大的體積。像現在的行動裝置、穿戴裝置等,需要相當多種組件,如果各個組件都獨立封裝,組合起來將耗費非常大的空間,因此目前有兩種方法,可滿足縮小體積的要求,分別為SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。

在智能型手機剛興起時,在各大財經雜志上皆可發現 SoC 這個名詞,然而SoC究竟是什么東西?簡單來說,就是將原本不同功能的IC,整合在一顆芯片中。藉由這個方法,不單可以縮小體積,還可以縮小不同 IC 間的距離,提升芯片的計算速度。至于制作方法,便是在 IC 設計時間時,將各個不同的IC放在一起,再透過先前介紹的設計流程,制作成一張光罩。

然而,SoC并非只有優點,要設計一顆SoC需要相當多的技術配合。IC芯片各自封裝時,各有封裝外部保護,且IC與IC間的距離較遠,比較不會發生交互干擾的情形。但是,當將所有IC都包裝在一起時,就是噩夢的開始。IC設計廠要從原先的單純設計IC,變成了解并整合各個功能的IC,增加工程師的工作量。此外,也會遇到很多的狀況,像是通訊芯片的高頻訊號可能會影響其他功能的IC等情形。

此外,SoC 還需要獲得其他廠商的 IP(intellectual property)授權,才能將別人設計好的組件放到 SoC 中。因為制作 SoC 需要獲得整顆 IC 的設計細節,才能做成完整的光罩,這同時也增加了 SoC 的設計成本?;蛟S會有人質疑何不自己設計一顆就好了呢?因為設計各種 IC 需要大量和該 IC 相關的知識,只有像 Apple 這樣多金的企業,才有預算能從各知名企業挖角頂尖工程師,以設計一顆全新的 IC,透過合作授權還是比自行研發劃算多了。

折衷方案

SiP現身

作為替代方案,SiP躍上整合芯片的舞臺。和SoC不同,它是購買各家的IC,在最后一次封裝這些 IC,如此便少了IP授權這一步,大幅減少設計成本。此外,因為它們是各自獨立的IC,彼此的干擾程度大幅下降。

▲ Apple Watch采用SiP技術將整個計算機架構封裝成一顆芯片,不單滿足期望的效能還縮小體積,讓手表有更多的空間放電池。(Source:Apple官網)

采用 SiP 技術的產品,最著名的非Apple Watch 莫屬。因為 Watch 的內部空間太小,它無法采用傳統的技術,SoC的設計成本又太高,SiP成了首要之選。藉由SiP技術,不單可縮小體積,還可拉近各個 IC 間的距離,成為可行的折衷方案。下圖便是Apple Watch芯片的結構圖,可以看到相當多的IC包含在其中。

▲ Apple Watch 中采用 SiP 封裝的 S1 芯片內部配置圖。(Source:chipworks)

完成封裝后,便要進入測試的階段,在這個階段便要確認封裝完的IC是否有正常的運作,正確無誤之后便可出貨給組裝廠,做成我們所見的電子產品。至此,半導體產業便完成了整個生產的任務。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27286

    瀏覽量

    218072
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15859

    瀏覽量

    180984
  • 臺積電
    +關注

    關注

    44

    文章

    5632

    瀏覽量

    166407

原文標題:精華 | 半導體人必看!納米工藝、硅晶圓、IC核心知識

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    背面涂敷工藝的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝
    的頭像 發表于 12-19 09:54 ?155次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷<b class='flag-5'>工藝</b>對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    為什么的?芯片是方的?

    為什么是的而不是方的?按理說,方型的Die放在圓形的Wafer里總會不可避免有空間浪費,為什么不做成方型的更節省空間。因為制作工藝決定了它是圓形的。提純過后的高純度多晶
    的頭像 發表于 12-16 17:28 ?125次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>是<b class='flag-5'>圓</b>的?芯片是方的?

    表面污染及其檢測方法

    本身、潔凈室、工藝工具、工藝化學品或水。污染一般可以通過肉眼觀察、過程檢查、或是最終器件測試中使用復雜的分析設備檢測到。 ▲
    的頭像 發表于 11-21 16:33 ?321次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面污染及其檢測方法

    利用全息技術在內部制造納米結構的新方法

    本文介紹了一種利用全息技術在內部制造納米結構的新方法。 研究人員提出了一種在
    的頭像 發表于 11-18 11:45 ?285次閱讀

    GaAs的清洗和表面處理工藝

    GaAs作為常用的一類,在半導體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應用。而如何處理好該類
    的頭像 發表于 10-30 10:46 ?356次閱讀
    GaAs<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的清洗和表面處理<b class='flag-5'>工藝</b>

    的制備流程

    本文從硅片制備流程為切入點,以方便了解和選擇合適的,的制備
    的頭像 發表于 10-21 15:22 ?254次閱讀

    詳解不同級封裝的工藝流程

    (Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及通孔(TSV)封裝。此外,本文還將介紹應用于這些級封裝的各項工藝,包括光刻(Photo
    的頭像 發表于 08-21 15:10 ?1508次閱讀
    詳解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級封裝的<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    碳化硅的區別是什么

    。而是傳統的半導體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應用領域。 制造工藝: 碳化硅
    的頭像 發表于 08-08 10:13 ?1398次閱讀

    LMV321同個型號生產工藝差異較大的原因是什么?

    同個型號生產工藝差異較大的原因是?
    發表于 08-07 07:02

    WD4000系列幾何量測系統:全面支持半導體制造工藝量測,保障制造工藝質量

    TTV、BOW、WARP對制造工藝的影響對化學機械拋光工藝的影響:拋光不均勻,可能會導致CMP過程中的不均勻拋光,從而造成表面粗糙和殘留應力。對薄膜沉積
    發表于 06-07 09:30 ?0次下載

    WD4000系列幾何量測系統:全面支持半導體制造工藝量測,保障制造工藝質量

    面型參數厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數。其中TTV、BOW、Warp三個參數反映了半導體
    的頭像 發表于 06-01 08:08 ?894次閱讀
    WD4000系列<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>幾何量測系統:全面支持半導體制造<b class='flag-5'>工藝</b>量測,保障<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造<b class='flag-5'>工藝</b>質量

    的劃片工藝分析

    圓經過前道工序后芯片制備完成,還需要經過切割使上的芯片分離下來,最后進行封裝。
    的頭像 發表于 03-17 14:36 ?1894次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的劃片<b class='flag-5'>工藝</b>分析

    一文看懂級封裝

    共讀好書 在本文中,我們將重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——級封裝(WLP)。本文將探討級封裝的五項基本工藝,包括:光刻(Pho
    的頭像 發表于 03-05 08:42 ?1356次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級封裝

    級封裝的五項基本工藝

    在本文中,我們將重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——級封裝(WLP)。本文將探討級封裝的五項基本工藝,包括:光刻(Photolit
    發表于 01-24 09:39 ?1883次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級封裝的五項基本<b class='flag-5'>工藝</b>

    鍵合設備及工藝

    隨著半導體產業的飛速發展,鍵合設備及工藝在微電子制造領域扮演著越來越重要的角色。鍵合技術是一種將兩個或多個
    的頭像 發表于 12-27 10:56 ?1470次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>鍵合設備及<b class='flag-5'>工藝</b>
    主站蜘蛛池模板: 97精品免费视频| 男生插女生下体| china野外18:19| 亚洲AV午夜福利精品香蕉麻豆| 美丽的姑娘BD在线观看| 国内精品蜜汁乔依琳视频| 成人亚洲视频| 99热6精品视频6| 中文字幕国产视频| 亚洲精品无码葡京AV天堂| 色婷婷AV国产精品欧美毛片| 囚禁固定在调教椅上扩张H| 欧美亚洲日韩一道免费观看| 欧美高清69vivo| 欧美特级午夜一区二区三区| 欧美三级不卡在线观线看| 青草在线观看视频| 日本一卡精品视频免费| 窝窝色资源站| 亚洲成人国产| 亚洲伊人精品综合在合线| 一级做a爰片久久毛片苍井优| 一区二一二| 4k岛国精品午夜高清在线观看| 999久久久国产| jizzzz亚洲丰满xxxx| 丰满女朋友在线观看中文| 国产电影一区二区三区| 国产午夜精AV在线麻豆| 精品无码久久久久久久动漫| 久久精品麻豆国产天美传媒果冻| 两个奶被男人揉了一个晚上| 男女肉大捧进出全过程免费| 青柠在线观看视频在线高清| 兽交白浆喷水高潮| 亚洲精品婷婷无码成人A片在线| 一本大道手机在线看| 99精品视频免费在线观看| 成人小视频免费在线观看| 国产午夜一级淫片| 久久日本精品国产精品|